TVS和齐纳稳压管都能用作稳压，但是齐纳击穿电流更小，大于10V的稳压只有1mA，相对来说要比齐纳二极管击穿电流要大不少，但是齐纳二极管稳压精度可以做的比较高。在电路中一般工作于反向截止状态，此时它不影响电路的任何功能。TVS在规定的反向应用条件下，当电路中由于雷电、各种电器干扰出现大幅度的瞬态干扰电压或脉冲电流时，辽宁15000W瞬态抑制二极管封装，它在极短的时间内（比较高可达到1×10-12秒）迅速转入反向导通状态，辽宁15000W瞬态抑制二极管封装，辽宁15000W瞬态抑制二极管封装，并将电路的电压箝位在所要求的安全数值上，从而有效的保护电子线路中精密元器件免受损坏。TVS在其散热及功率承受范围内可反复应用于电路的过压保护。辽宁15000W瞬态抑制二极管封装

8）DO-201封装：1.5KE系列（5000W）、LCE系列；9）R-6/P600封装：3KP系列（3000W）、5KP系列（5000W）、LDP系列（6000W）、15KP系列（15000W）、30KP系列（30000W）；10）NA封装：蓝宝宝浪涌抑制器KA系列；DO-218AB封装：SM5S系列（3600W）、SM6S系列（4600W）、SM8S系列（6600W）、SM8T系列（6600W）；4）SMC/DO-214AB封装：1.5SMC系列（1500W）、SMCJ系列（1500W）、TPSMCJ系列（1500W）、SMDJ系列（3000W）、TPSMDJ系列（3000W）、5.0SMDJ系列（5000W）、TP5.0SMDJ系列（5000W）。江苏6600W瞬态抑制二极管应用要减少 TVS 短路失效，首先应加强 TVS 制造工艺过程的控制，以减少或消除 TVS 的固有缺陷。

根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管，利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管；利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管；利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管；利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器；利用光生伏***应可制成太阳电池。此外，利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大，振荡等多种电子功能。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的**，是现代电子技术的基础。在二级管中广泛应用。

TVS的极性选择。单极性还是双极性-常常会出现这样的误解即双向TVS用来抑制反向浪涌脉冲，其实并非如此。双向TVS用于交流电或来自正负双向脉冲的场合。单向TVS用于直流电源信号防护，正向导通也可以起到泄放浪涌电流的作用。TVS有时也用于减少电容。TVS串联可以减少TVS的结电容，或串联一个低电容的二极管也可有效降低TVS的结电容。如果电路只有正向电平信号，那麽单向TVS就足够了。TVS操作方式如下：正向浪涌时,TVS处于反向雪崩击穿状态；反向浪涌时，TVS类似正向偏置二极管一样导通并吸收浪涌能量。DO-15封装的TVS一般有SA系列（500W）、P6KE系列（600W）、SAC系列。

TVS瞬态抑制二极管失效模式：1：当瞬态脉冲能量大于TVS所能承受能量时会引起TVS器件过电应力损伤，特别是当瞬态能量远远超出TVS所能承受的数倍时会直接导致TVS过电应力烧毁。失效模式为短路。2：当电路中通过的电流太大，可能会造成TVS炸裂，失效模式为开路。这种情况通常为设计时考虑不周全，TVS通流量过小造成的。3：电性能退化当TVS经过成千上万次的标准脉冲冲击后失效，失效模式为短路。这种模式因长时间工作结温持续增大导致（器件内部结构变化、散热能力下降）过热烧毁。多线保护选用TVS 阵列更为有利。辽宁1500W瞬态抑制二极管失效

SMAJ、SMBJ、SMCJ、SMDJ表示贴片封装，分别**400W、600W、1.5kW和3kW。辽宁15000W瞬态抑制二极管封装

在规定的反向应用条件下，当承受一个高能量的瞬时过压脉冲时，其工作阻抗能立即降至很低的导通值，允许大电流通过，并将电压箝制到预定水平，从而有效地保护电子线路中的精密元器件免受损坏。TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦，其箝位响应时间*为1ps（10^-12S）。TVS允许的正向浪涌电流在T=25℃，T=10ms条件下，可达50～200A。双向TVS可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率，并把电压箝制到预定水平，双向TVS适用于交流电路，单向TVS一般用于直流电路。辽宁15000W瞬态抑制二极管封装

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