4：大电流布线尽量采用粗、短的布局结构，尽量减少布线寄生电感。5：选择合理的栅极电阻Rg。6：在大功率电源中，可以根据需要适当的加入RC减震或齐纳二极管进行吸收。SOA失效（电流失效）再简单说下第二点，SOA失效SOA失效是指电源在运行时异常的大电流和电压同时叠加在MOSFET上面，造成瞬时局部发热而导致的破坏模式。或者是芯片与散热器及封装不能及时达到热平衡导致热积累，持续的发热使温度超过氧化层限制而导致的热击穿模式。关于SOA各个线的参数限定值可以参考下面图片。1：受限于大额定电流及脉冲电流2：限于大节温下的RDSON。3：受限于器件大的耗散功率。4：受限于大单个脉冲电流。5：击穿电压BVDSS限制区我们电源上的MOSFET，只要保证能器件处于上面限制区的范围内，就能有效的规避由于MOSFET而导致的电源失效问题的产生。。1：确保在差条件下，MOSFET的所有功率限制条件均在SOA限制线以内。2：将OCP功能一定要做精确细致。在进行OCP点设计时，一般可能会取，然后就根据IC的保护电压比如。有些有经验的人会将检测延迟时间，浙江优势MOS管供应、CISS对OCP实际的影响考虑在内。但是此时有个更值得关注的参数，那就是MOSFET的Td（off），浙江优势MOS管供应，浙江优势MOS管供应。它到底有什么影响呢。为了保证MOS管的安全工作，很多MOS管内置了稳压管来限制栅极的控制电压。浙江优势MOS管供应

    对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。为解释MOS管工作原理图，我们先了解一下含有一个P—N结的二极管的工作过程。如图所示，我们知道在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。对于MOS管（见图），在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时MOS管与截止状态（图a）。当有一个正电压加在N沟道的MOS管。MOS管栅极上时，由于电场的作用。江苏进口MOS管值得推荐OS管是指场效应管。它采用绝缘栅结构的晶体三极管，输入阻抗高，输出呈电阻态。

    4：谐振失效：在并联使用的过程中，栅极及电路寄生参数导致震荡引起的失效。5静电失效：在秋冬季节，由于人体及设备静电而导致的器件失效。6：栅极电压失效：由于栅极遭受异常电压尖峰，而导致栅极栅氧层失效。雪崩失效分析（电压失效）到底什么是雪崩失效呢，简单来说MOSFET在电源板上由于母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等等系统电压叠加在MOSFET漏源之间，导致的一种失效模式。简而言之就是由于就是MOSFET漏源极的电压超过其规定电压值并达到一定的能量限度而导致的一种常见的失效模式。下面的图片为雪崩测试的等效原理图，做为电源工程师可以简单了解下。可能我们经常要求器件生产厂家对我们电源板上的MOSFET进行失效分析，大多数厂家都给一个，那么到底我们怎么区分是否是雪崩失效呢，下面是一张经过雪崩测试失效的器件图，我们可以进行对比从而确定是否是雪崩失效。雪崩失效的预防措施雪崩失效归根结底是电压失效，因此预防我们着重从电压来考虑。具体可以参考以下的方式来处理。1：合理降额使用，目前行业内的降额一般选取80%-95%的降额，具体情况根据企业的保修条款及电路关注点进行选取。2：合理的变压器反射电压。3：合理的RCD及TVS吸收电路设计。

    此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图b），从而形成电流，使源极和漏极之间导通。我们也可以想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决定。图给出了P沟道的MOS管。MOS管工作原理图工作过程，其工作原理类似这里不再重复。下面简述一下用C-MOS场效应管（增强型MOS管）组成的应用电路的工作过程（见图）。电路将一个增强型P沟道MOS管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时，P沟道MOS管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作，其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响，使得栅压在还没有到0V，通常在栅极电压小于1到2V时，MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如此，使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。P-MOS管的通断控制，其实就是控制其Vgs的电压，从而达到控制电源的目的。

    我们看下面FLYBACK电流波形图（图形不是太清楚，十分抱歉，建议双击放大观看）。从图中可以看出，电流波形在快到电流尖峰时，有个下跌，这个下跌点后又有一段的上升时间，这段时间其本质就是IC在检测到过流信号执行关断后，MOSFET本身也开始执行关断，但是由于器件本身的关断延迟，因此电流会有个二次上升平台，如果二次上升平台过大，那么在变压器余量设计不足时，就极有可能产生磁饱和的一个电流冲击或者电流超器件规格的一个失效。3：合理的热设计余量，这个就不多说了，各个企业都有自己的降额规范，严格执行就可以了，不行就加散热器。在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，大电压等，大电流等，也有很多人考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是的，作为正式的产品设计也是不允许的。1、MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被**成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。mos管是个开关，栅极（G）是控制端，它控制着源极（S）和漏极（D）之间是否能导通，即是否可以通过电流。江苏进口MOS管值得推荐

mos管的外形和三极管，可控硅，三端稳压器，IGBT类似。浙江优势MOS管供应

    原因是导通电阻小，且容易。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，大电压等，大电流等，也有很多人考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是的，作为正式的产品设计也是不允许的。1、MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被**成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，*。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。浙江优势MOS管供应

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