TVS被广泛应用于各类电子电路中，包括计算机系统、通讯设备，四川8000W瞬态抑制二极管电压、交/直流电源、汽车、电子镇流器、家用电器、仪器仪表（电度表），RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL，四川8000W瞬态抑制二极管电压、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、数字照相机的保护、共模/差模保护、RF耦合/IC驱动接收保护、电机电磁波干扰抑制、声频/视频输入、传感器/变速器、工控回路、继电器、接触器噪音的抑制等各个领域。当TVS管两端经受瞬间的高能量冲击时，它能以极高的速度（比较高达1/(10^12)秒）使其阻抗骤然降低，同时吸收一个大电流，将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上，从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。如果是使用的话，TVS有二极管类，和压敏电阻类。我个人认为压敏电阻类更有优势，***用于手机，四川8000W瞬态抑制二极管电压，LCD模组，及一些比较精密的手持设备。特别是出口欧洲的产品一般都要加，来作为静电防护的主要手段之一。SMB/DO-214AA封装的TVS有SMBJ、P6SMB、1.0SMB系列等。四川8000W瞬态抑制二极管电压

引发TVS短路的**典型的原因是管芯与内引线组件、底座铜片烧结不良，在烧结界面出现大面积空洞，空洞可能是由于焊料不均匀或粘结界面各层材料玷污、氧化使焊料沾润不良，造成烧焊时焊料与芯片或金属电极没有良好的熔合焊接引起的。空洞面积较大时，电流在烧结点附近汇聚，管芯散热困难，造成热电应力集中，产生局部热点，严重时引起热奔，使器件烧毁。对这些烧毁的器件。进行解剖分析，可以看到有芯片局部较深的熔融:空洞面积较小时，可加速焊料热疲劳，使焊料层会产生疲劳龟裂，引起器件热阻增大，**终导致器件。过热烧毁。四川8000W瞬态抑制二极管电压箝位时间TC 是TVS两端电压从零到**小击穿电压VBR 的时间。

根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管，利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管；利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管；利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管；利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器；利用光生伏***应可制成太阳电池。此外，利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大，振荡等多种电子功能。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的**，是现代电子技术的基础。在二级管中广泛应用。

来明电子团队在电路保护领域深耕多年，从产品选型到技术支持提供一站式解决方案。我们为客户提供全系列TVS产品，瞬态峰值脉冲功率等级从200W至30000W，另有可替代MOV用超级TVS产品，产品电流可分为3kA，6kA，10kA，可达16kA。产品封装类型有SOD-123，SOD-123FL，SMA(DO-214AC)，SMAF，SMB(DO-214AA)，SMC(DO-214AB)，SMBF，SMCF，DO-15，DO-41，DO-201，DO-218AB，TO-277等。并可提供车规级TVS器件，特殊需求可根据客户要求定制。。TVS 台面缺陷造成的失效常常是批次性的。

当PN结的反向偏压较高时，会发生由于碰撞电离引发的电击穿，即雪崩击穿。存在于半导体晶体中的自由载流子在耗尽区内建电场的作用下被加速其能量不断增加，直到与半导体晶格发生碰撞，碰撞过程释放的能量可能使价键断开产生新的电子空穴对。新的电子空穴对又分别被加速与晶格发生碰撞，如果平均每个电子（或空穴）在经过耗尽区的过程中可以产生大于1对的电子空穴对，那么该过程可以不断被加强，**终达到耗尽区载流子数目激增，PN结发生雪崩击穿。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，皮秒级的速度变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率。北京插件瞬态抑制二极管应用

当TVS 器件工作温度超过其比较大允许工作温度时，易发生短路失效且通常发生在pn 结表面。四川8000W瞬态抑制二极管电压

干扰脉冲过去后，TVS又转入反向截止状态。由于在反向导通时，其箝位电压低于电路中其它器件的最高耐压，因此起到了对其它元器件的保护作用。TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦，其箝位时间<1ns。TVS在其散热及功率承受范围内可反复应用于电路的过压保护。TVS根据极性可分为单向和双向TVS。单向TVS一般适用于直流电路，双向TVS一般适用于交流电路中。由于TVS起保护作用响应速度快、使用寿命长、封装多样化，钳位电压低，因此在瞬变电压防护领域有着非常多方面的应用。四川8000W瞬态抑制二极管电压

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