磁控溅射是在外加电场的两极之间引入一个磁场。这个磁场使得电子受到洛伦兹力的束缚作用，其运动路线受到控制，因此大幅度增加了电子与Ar分子（原子）碰撞的几率，提高了气体分子的电离程度，从而使溅射效率得到很大的提升。溅射现象自发现以来己被普遍应用在多种薄膜的制备中，如制备金属、半导体、合金、氧化物以及化合物半导体等。磁控溅射包括很多种类，广州金属磁控溅射工艺。各有不同工作原理和应用对象。但有一共同点：利用磁场与电场交互作用，使电子在靶表面附近成螺旋状运行，从而增大电子撞击氩气产生离子的概率，广州金属磁控溅射工艺。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。磁控溅射在技术上可以分为直流(DC)磁控溅射，广州金属磁控溅射工艺、中频(MF)磁控溅射、射频(RF)磁控溅射。平衡靶源多用于半导体光学膜，非平衡多用于磨损装饰膜。广州金属磁控溅射工艺

磁控溅射靶材镀膜过程中，影响靶材镀膜沉积速率的因素：溅射电流。磁控靶的溅射电流与溅射靶材表面的离子电流成正比，因此也是影响溅射速率的重要因素。磁控溅射有一个普遍规律，即在较佳气压下沉积速度较快。因此，在不影响薄膜质量和满足客户要求的前提下，从溅射良率考虑气体压力的较佳值是合适的。改变溅射电流有两种方法：改变工作电压或改变工作气体压力。溅射功率：溅射功率对沉积速率的影响类似于溅射电压。一般来说，提高磁控靶材的溅射功率可以提高成膜率。然而，这并不是一个普遍的规则。在磁控靶材的溅射电压低，溅射电流大的情况下，虽然平均溅射功率不低，但离子不能被溅射，也不能沉积。前提是要求施加在磁控靶材上的溅射电压足够高，使工作气体离子在阴极和阳极之间的电场中的能量足够大于靶材的"溅射能量阈值"。广州金属磁控溅射工艺单向脉冲正电压段的电压为零!溅射发生在负电压段。

磁控溅射镀膜常见领域应用：1.一些不适合化学气相沉积(MOCVD)的材料可以通过磁控溅射沉积，这种方法可以获得均匀的大面积薄膜。2.机械工业：如表面功能膜、超硬膜、自润滑膜等.这些膜能有效提高表面硬度、复合韧性、耐磨性和高温化学稳定性，从而大幅度提高产品的使用寿命.3.光领域：闭场非平衡磁控溅射技术也已应用于光学薄膜(如增透膜)、低辐射玻璃和透明导电玻璃。特别是，透明导电玻璃普遍应用于平板显示器件、太阳能电池、微波和射频屏蔽器件和器件、传感器等。

磁控溅射设备的主要用途：1、各种功能性薄膜。如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。例如，低温沉积氮化硅减反射膜，以提高太阳能电池的光电转换效率。2、装饰领域的应用，如各种全反射膜及半透明膜等，如手机外壳，鼠标等。3、在微电子领域作为一种非热式镀膜技术，主要应用在化学气相沉积（CVD）或金属有机。4、化学气相沉积（CVD）生长困难及不适用的材料薄膜沉积，而且可以获得大面积非常均匀的薄膜。5、在光学领域：中频闭合场非平衡磁控溅射技术也已在光学薄膜（如增透膜）、低辐射玻璃和透明导电玻璃等方面得到应用。特别是透明导电玻璃普遍应用于平板显示器件、太阳能电池、微波与射频屏蔽装置与器件、传感器等。6、在机械加工行业中，表面功能膜、超硬膜，自润滑薄膜的表面沉积技术自问世以来得到长足发展，能有效的提高表面硬度、复合韧性、耐磨损性和抗高温化学稳定性能，从而大幅度地提高涂层产品的使用寿命。空磁控溅射技术是指一种利用阴极表面配合的磁场形成电子陷阱，使E×B的作用下电子紧贴阴极表面飘移。

磁控溅射技术有：直流溅射法。直流溅射法要求靶材能够将从离子轰击过程中得到的正电荷传递给与其紧密接触的阴极，从而该方法只能溅射导体材料。因为轰击绝缘靶材时，表面的离子电荷无法中和，这将导致靶面电位升高，外加电压几乎都加在靶上，两极间的离子加速与电离的机会将变小，甚至不能电离，导致不能连续放电甚至放电停止，溅射停止。故对于绝缘靶材或导电性很差的非金属靶材，须用射频溅射法。溅射过程中涉及到复杂的散射过程和多种能量传递过程：入射粒子与靶材原子发生弹性碰撞，入射粒子的一部分动能会传给靶材原子；某些靶材原子的动能超过由其周围存在的其它原子所形成的势垒，从而从晶格点阵中被碰撞出来，产生离位原子；这些离位原子进一步和附近的原子依次反复碰撞，产生碰撞级联；当这种碰撞级联到达靶材表面时，如果靠近靶材表面的原子的动能大于表面结合能，这些原子就会从靶材表面脱离从而进入真空。在热阴极的前面增加一个电极，构成四极溅射装置，可使放电趋于稳定。广州金属磁控溅射工艺

溅射所获得的薄膜纯度高、致密度好、成膜均匀性好。广州金属磁控溅射工艺

磁控溅射的工艺研究：1、传动速度。玻璃基片在阴极下的移动是通过传动来进行的。低传动速度使玻璃在阴极范围内经过的时间更长，这样就可以沉积出更厚的膜层。不过，为了保证膜层的均匀性，传动速度必须保持恒定。镀膜区内一般的传动速度范围为每分钟0~600英寸之间。根据镀膜材料、功率、阴极的数量以及膜层的种类的不同，通常的运行范围是每分钟90~400英寸之间。2、距离与速度及附着力。为了得到较大的沉积速率并提高膜层的附着力，在保证不会破坏辉光放电自身的前提下，基片应当尽可能放置在离阴极较近的地方。溅射粒子和气体分子的平均自由程也会在其中发挥作用。当增加基片与阴极之间的距离，碰撞的几率也会增加，这样溅射粒子到达基片时所具有的能力就会减少。所以，为了得到较大的沉积速率和较好的附着力，基片必须尽可能地放置在靠近阴极的位置上。广州金属磁控溅射工艺

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