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上海天线接口ESD保护元件厂家 上海来明电子供应

信息介绍 / Information introduction

降低防护器件结电容的设计方法当防护器件的并联结电容较大时,将对高频信号产生“衰耗”作用,此时需要改进防护电路的设计,降低结电容对信号质量的影响。常用的设计方法有;A二极管偏置法二极管结电容随反向偏升高而降低,对防护一极管施加话当的反向偏压可适用更高频率电路,上海天线接口ESD保护元件厂家。B.二极管串联法一-两个相同防护二极管串联可使接入电容减小一半。C阻抗匹配法一-当防护二极管的结电容太大,可以对防护器件并联小电感,使之和二极管结电容并联谐振在工作信号频率点,上海天线接口ESD保护元件厂家,上海天线接口ESD保护元件厂家,这时保护电路对工作频率呈高阻抗,从而减小对高频电路四配的影响,并有利于加强防护。MOS与BJT用于ESD放电保护原理基本上是一样的,均是通过寄生的BJT来释放ESD电流。上海天线接口ESD保护元件厂家

静电的发生机制。由于不同原子的原子核对电子的束缚能力不同,物体相互靠近时,电子就会在物体之间发生转移,从而导致电荷在物质系统之间的不均匀分布,打破原本的平衡状态。所谓静电,其实就是这些发生转移、在某一物体上积累下来的电荷,而由这些电荷引发的诸多现象,如头发炸毛、电脑屏幕粘上灰尘等,就是静电现象。当我们活动时,身体、衣物会和地面、空气等产生摩擦,使电子在它们之间发生转移,从而使身体带电。我们的鞋子大多是绝缘的橡胶底,身体累积的电荷不可能通过鞋导给大地,于是身体的电荷逐渐累积,也就产生了静电。静电现象在冬天比在夏天更为常见,这与不同湿度下空气的导电能力有关。相对湿润时,空气中漂浮着大量微小液滴,可以转移身体的一部分电荷,而冬天气候干燥,室内外温差更**的温差会降低空气相对湿度,因此摩擦带来的电荷很容易积累起来。上海天线接口ESD保护元件厂家静电是一种客观的自然现象,产生的方式多种,如接触、摩擦、剥离等。

ESD防护电路主要采用“过压防护”的原理,通过隔离电路、箝位(限幅)电路、衰减电路、滤波电路等降低ESD冲击电压、限制脉冲电流的大小,使其降低到被保护器件可以承受的程度。ESD脉冲频谱的高频信号特征和高频电路分布参数的严格约束使得在高频电路中防护器件的可选择性很小,在高频电路中进行ESD防护设计的难度增火。ESD脉冲具有持续时间短(ns~数百ns级),能量较低(微焦耳级)的特征,频谱分布在数百KHz到数GHz的范围,其能量主要集中在数MHz到数百MHz的范围内,由于ESD的高频、快速放电特性,其防护电路要求比一般的电浪涌防护电路具有更快的响应速度和良好的高频性能。

人体静电电压比较高可达约50kV以下,因为当存在连续起电过程时,由于电荷泄漏和放电,使得人体比较高电位得以被限制。2、一般生活中,在不同湿度条件下,人体活动产生的静电电位有所不同。在干燥的季节,人体静电可达几千伏甚至几万伏。3、产生原因:人体静电是由于人的身体上的衣物等相互摩擦产生的附着于人体上的静电。静电的产生是由于原子核对外层电子的吸引力不够,从而在摩擦或其它因素的作用下失去电子,于是造成摩擦物带负电荷。在摩擦物绝缘性能比较好的情况下,这些电荷无法流失,就会聚集起来。并且由于绝缘物的电容性极差,从而造成虽然电荷量不大但电压很高的状况。IEC61000-4-2是系统级静电测试常用的测试标准。

提高防护电路箱位电压或导通电压的设计方法由于低容值要求选用的防护器件的箱位电压(或导通电压)低于高频信号可能的**人峰值电压时,防护器件将对高频信号产生“压缩”的限幅问题,此时可以采用以下优化设计方法,提高防护器件的箝位电压:A.二极管偏置法一对防护二极管施加反向偏压,使二极管的导通电压大于高频信号峰值电平。B.二极管串联法-n只二极管同向串联,导通电压提高n倍;两只二极管反向串联,导通电压为其反向击穿电压;也可以通过低容值防护二极管串联稳压二极管的方法提高防护电路的箱位电压。C.二极管串联电容法-防护二极管串联电容后,高频信号通过二极管对电容充电,电容充电后对二极管提供偏压,提升二极管的正向导通电乐。常用的ESD保护器件主要有Diode、Resistor、P/NMOS、BJT、SCR等。上海天线接口ESD保护元件厂家

在中低频IC内部的I/O端口都可以设计ESD防护电路以提高器件的抗ESD能力。上海天线接口ESD保护元件厂家

由于这种SCR的触发要靠Nwell和Pwell结的击穿来实现,在CMOS工艺中,其击穿电压大约有几十伏,远高于一般器件的栅氧击穿电压,达不到ESD防护的效果。因此对于低压CMOS芯片而言,SCR的触发电压需要通过一些方法降低,以满足芯片的保护要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的宽度达到芯片的抗ESD要求,因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件带来的寄生电容,这一点对于RF芯片的ESD设计非常有利。由于这种SCR的触发要靠Nwell和Pwell结的击穿来实现,在CMOS工艺中,其击穿电压大约有几十伏,远高于一般器件的栅氧击穿电压,达不到ESD防护的效果。因此对于低压CMOS芯片而言,SCR的触发电压需要通过一些方法降低,以满足芯片的保护要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的宽度达到芯片的抗ESD要求,因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件带来的寄生电容,这一点对于RF芯片的ESD设计非常有利。上海天线接口ESD保护元件厂家

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