齐纳击穿:齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高,PN结很窄,这样即使施加较小的反向电压(5V以下),结层中的电场却很强(可达2.5×105V/m左右)。在强电场作用下,会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来,形成"电子一空穴对",从而产生大量的载流子。它们在反向电压的作用下,形成很大的反向电流,出现了击穿。显然,齐纳击穿的物理本质是场致电离,北京1000W瞬态抑制二极管电压。采取适当的掺杂工艺,北京1000W瞬态抑制二极管电压,将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8~1000V。而齐纳击穿电压低于5V,北京1000W瞬态抑制二极管电压。在5~8V之间两种击穿可能同时发生。TVS按用途可分为各种电路都适用的通用型器件和特殊电路适用的**型器件。北京1000W瞬态抑制二极管电压
PN结加反向电压时截止如果电源的正极接N区,负极接P区,外加的反向电压有一部分降落在PN结区,PN结处于反向偏置。则空穴和电子都向远离界面的方向运动,使空间电荷区变宽,电流不能流过,方向与PN结内电场方向相同,加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强,扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场作用下形成的漂移电流大于扩散电流,可忽略扩散电流,PN结呈现高阻性。在一定的温度条件下,由本征激发决定的少子浓度是一定的,故少子形成的漂移电流是恒定的,基本上与所加反向电压的大小无关,这个电流也称为反向饱和电流。PN结加正向电压时,呈现低电阻,具有较大的正向扩散电流;PN结加反向电压时,呈现高电阻,具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论:PN结具有单向导电性。吉林插件瞬态抑制二极管测试TVS 的比较大箝位电压VC 应小于被保护电路的损坏电压。
TVS管在稳压管工艺基础上发展起来的新产品,是一种新型的高效电路保护器件之一,具有P秒级的响应时间和高浪涌吸收能力;而稳压二极管,利用pn结反向击穿状态,在电流变化范围内,保持电压稳定所研发出来稳压作用的二极管。共同点:在一定范围内,能限制两端的电压;长时间运作耐流值几乎一样,均跟体积功耗相关联。工作原理不同:tvs管:雪崩效应,在高能量的瞬时过压脉冲时,阻抗能立马降低到很低的导通值,允许较大电流通过,并将电压箝制到预定水平,避免电路中的精密元器件免受损坏。稳压管:齐纳隧道效应,当反向电压达到并超过稳定电压时,反向电流突然增大,而二极管两端电压恒定。
高温当TVS器件工作温度超过其比较大允许工作温度时,易发生短路失效且通常发生在pn结表面。这是因为,在高温条件工作下,表面可动离子的数量**增加[5],表面电流也随之增大,表面功率密度和温度比体内高,使pn结边缘结温超过200℃,边缘局部区域晶格遭受致命性的损坏。TVS在高温反偏筛选中短路失效情况统计表明:高击穿电压(150V以上)TVS器件更容易发生短路失效。这是因为在相同额定功率的TVS系列中,在承受相同功率时,高击穿电压TVS芯片温升更高。根据用途选用TVS 的极性及封装结构。
要减少TVS短路失效,首先应加强TVS制造工艺过程的控制,尤其是对烧焊、台面成型、碱腐蚀清洗、掺杂等工艺过程的控制,以减少或消除TVS的固有缺陷。例如:国际上采用先进的烧焊工艺已能将空洞面积控制在10%以下,采用离子注入掺杂能对掺杂过程进行更好的控制,这些都**提高了TVS的可靠性。其次,做到TVS的正确选型与安装,比较好对TVS进行降额使用,这样可使TVS承受的功率较小,使用可靠性**增加。此外,为使TVS发生短路失效时对被保护电子设备的影响降到比较低,通常可在TVS前串接一条与之匹配的保险丝。TVS发生短路失效,释放出的高能量常常会将保护的电子设备损坏,这是TVS我们极力减少或避免的情况。北京1000W瞬态抑制二极管电压
SOD-123封装的TVS一般有SMF,TPSMF,SMF4L等。北京1000W瞬态抑制二极管电压
实际产品中,**常用的浪涌测试波形为1.2/50us和10/700us,如何将TVS承受浪涌功率从10/1000us波形下换算到其他波形呢,这就需要看Spec中的另一个曲线图:通过上图可以查出,1.2/50us波形所对应脉冲宽度50us,对应峰值功率为2200W左右。那么这种情况下,反算脉冲峰值电流为2200W/24.4V=90.16A。如果SMBJ15A放在电源端口,在共模时,浪涌发生器内阻为12欧姆,那么所能承受的电压为:90.16A*12ohm=1082V;如果SMBJ15A放在电源端口,在差模时,浪涌发生器内阻为2欧姆,那么所能承受的电压为:90.16A*2ohm=180.3V;如果SMBJ15A放在非对称信号端口,无论差模共模,浪涌发生器内阻为42欧姆,那么所能承受的电压为:90.16A*42ohm=3786.9V。从上面我们可以看出,一个TVS所能承受的比较大浪涌电压,不仅与自身的参数相关(比较大承受功率、钳位电压等),也和其在电路的位置息息相关(浪涌发生器的内阻值非常重要)。北京1000W瞬态抑制二极管电压
上海来明电子有限公司位于灵山路1000弄2号808,拥有一支专业的技术团队。在来明电子近多年发展历史,公司旗下现有品牌晶导微电子,意昇,美硕,成镐等。公司不仅*提供专业的一般项目: 电子产品、电子元器件、电动工具、机电设备、仪器仪表、通讯器材(除卫星电视广播地面接收设施)、音响设备及器材、金属材料、日用百货的销售,电子元器件的制造。加工(以上限分支机构经营)。(除依法须经批准的项目外。凭营业执照依法自主开展经营活动) 许可项目: 货物进出口;技术进出口:进出口代理。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动,具体经营项目以相关部门批准文件或许可证件为准),同时还建立了完善的售后服务体系,为客户提供良好的产品和服务。自公司成立以来,一直秉承“以质量求生存,以信誉求发展”的经营理念,始终坚持以客户的需求和满意为重点,为客户提供良好的TVS、ESD、MOV,放电管、保险丝、继电器,二三极管MOS管、晶振,NTC,PPTC,电容,从而使公司不断发展壮大。
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