在ESD设计中，Diode是一种常见的器件。图2为Diode的一种典型应用情况，在VDD相对于VSS发生PositiveESDPulse时，Diode发生雪崩击穿并释放ESD电流，从而保护内部电路不受ESD影响。但由于二极管完全通过雪崩击穿释放ESD电流，在大电流下器件的功耗很大，因此这种模式下二极管的抗ESD能力往往很低，器件的微分电阻也较大；而在VDD相对于VSS发生NegativeESDPulse时，该Diode为正偏并释放ESD电流，由于二极管的正向导通电压很小，北京SD卡ESD保护元件测试，此模式下器件的功耗很小，因此其抗ESD能力非常强。由于Diode在正偏和反偏两种状态下的ESD能力差别非常大，因此目前在使用二极管作ESD保护器件时往往会采用非常大的器件面积提升二极管反偏状态下的ESD能力，如此一来，缺点是非常明显的，它增大了ESD器件的面积占用，更为严重的是，对于高频引脚而言，此方式会带来较大的寄生电容，北京SD卡ESD保护元件测试，使引脚的频率特性变差，北京SD卡ESD保护元件测试。目前ESD静电保护元件结电容可做到0.1pF以内。北京SD卡ESD保护元件测试

MOS与BJT用于ESD放电保护原理基本上是一样的，均是通过寄生的BJT来释放ESD电流。因CMOS使用**为***的工艺之一，所以MOS器件成使用**为普遍的ESD保护器件。采用MOS器件作为芯片的ESD防护架构示例如图3所示。为防止ESD器件在芯片正常工作时导通，MOS的栅极总是采用关断的连接方式，即栅接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，GG-NMOS）和栅接电源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。MOS与BJT用于ESD放电保护原理基本上是一样的，均是通过寄生的BJT来释放ESD电流。因CMOS使用**为***的工艺之一，所以MOS器件成使用**为普遍的ESD保护器件。采用MOS器件作为芯片的ESD防护架构示例如图3所示。为防止ESD器件在芯片正常工作时导通，MOS的栅极总是采用关断的连接方式，即栅接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，GG-NMOS）和栅接电源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。北京SD卡ESD保护元件测试MM机器模型放电的波形与预料的家具模型波形相似，不同的是带电电容较大。

ESD防护电路对高频信号质量的影响与改进。ESD防护电路的引入会影响电路的信号传输质量，使信号的时延、频响、电平等发生变化。在高频电路中，防护电路引起电路参数的改变而影响电路的阻抗匹配，防护器件的导通特性也会引起信号的衰减、畸变、限幅等效应。防护器件的结电容、箱位电压(成导通电压)是影响高频信号质量的关键因素。信号频率高于1GHz时，直接采用TVS和开关二极管作ESD防护，其结电容很难满足线路信号质量的要求，此时需要采用降低防护电路并联结电容的措施或采用LC高通滤波器结构。

静电可以引起电气绝缘和电子元器件击穿是否正确？这一表述是合理的，工作电压可以做到几万元伏的，假如在电子元器件上边一瞬间的话，便会击穿里边的一些电子器件。火花放电会造成**的，损害医生和病人；在煤矿业，则会造成煤层气，会造成职工伤亡，煤矿损毁。总而言之，静电伤害起因于用电力工程和静电火苗，静电伤害中**明显的是静电充放电造成易燃物的着火和。静电的危害：身体长期性在静电辐射源下，会让人烦躁不安、头疼、胸闷气短、呼吸不畅、干咳。在家庭生活之中，静电不但化纤衣服有，脚底的毛毯、日常的塑胶用品、漆料家具直到各种各样家用电器均很有可能发生静电状况。ESD静电保护元器件是为高速数据传输应用的I/O端口保护设计的器件。

静电是物体表面过剩或不足的静止电荷，是通过电子或离子的转移而形成的。一般固体静电电压可以达到20万伏以上，液体静电电压可以达到数万伏以上，人体静电电压可以达到1万伏以上。一般工业生产中，静电具有高电位、低电量、小电流和作用时间短的特点，设备或人体上的静电位比较高可达数万伏以至数千万伏。静电较之流电受环境条件，特别是湿度的影响比较大;静电测量时复现性差、瞬态现象多。测量静电是为静电防护工程设计和改善产品自身抗静电性能设计，提供数据和依据。SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**强的器件。山东按键接口ESD保护元件原理

ESD静电保护元件可以做成阵列式，同时保护几路数据线免遭ESD的损坏。北京SD卡ESD保护元件测试

对于ESD，我们应该如何进行一个选型呢？ESD主要分为四类：TVS二极管、压敏电阻、MLCC、ESD抑制器，各个器件的应用场景也不太一样，我们**常用的esd器件就是tvs二极管了。1）工作电压选择ESD器件应该选择系统工作电压小于ESD器件的工作电压（VRWM），例如系统是0~5V，那么我们应该选择工作电压（VRWM）大于5V的TVS。2）信号类型单向ESD器件和双向ESD器件的选择，双向ESD器件可以通过正负击穿电压（VBR）的信号，而单向ESD器件只可以通过正击穿电压（VBR）的信号，如果通过负的就会造成ESD器件击穿。3）寄生电容ESD器件是有寄生电容的，如图是寄生电容对高速电路接口的影响，寄生电容会影响电平的上升和下降速度，影响输出后的信号。4）根据电路系统的比较大承受电压冲击，选择适合的钳位电压；5）确保ESD器件可达到或超过IEC61000-4-2level4。北京SD卡ESD保护元件测试

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