>> 当前位置:首页 - 产品 - 广州真空磁控溅射处理 广东省科学院半导体研究所供应

广州真空磁控溅射处理 广东省科学院半导体研究所供应

信息介绍 / Information introduction

磁控溅射是在阴极靶的表面上方形成一个正交电磁场,广州真空磁控溅射处理,当溅射产生的二次电子在阴极位降区内被加速为高能电子后,并不直接飞向阳极,而是在正交电磁场作用下作来回振荡的近似摆线的运动。高能电子不断与气体分子发生碰撞并向后者转移能量,使之电离而本身变成低能电子。这些低能电子较终沿磁力线漂移到阴极附近的阳极而被吸收,避免高能电子对极板的强烈轰击,消除了二极溅射中极板被轰击加热和被电子辐照引起的损伤,体现出磁控溅射中极板“低温”的特点。由于外加磁场的存在,广州真空磁控溅射处理,电子的复杂运动增加了电离率,实现了高速溅射。磁控溅射的技术特点是要在阴极靶面附件产生与电场方向垂直的磁场,广州真空磁控溅射处理,一般采用永久磁铁实现。磁控溅射镀膜的应用领域:高级产品零/部件表面的装饰镀中的应用。广州真空磁控溅射处理

广州真空磁控溅射处理,磁控溅射

磁控溅射技术原理如下:溅射镀膜的原理是稀薄气体在异常辉光放电产生的等离子体在电场的作用下,对阴极靶材表面进行轰击,把靶材表面的分子、原子、离子及电子等溅射出来,被溅射出来的粒子带有一定的动能,沿一定的方向射向基体表面,在基体表面形成镀层。溅射镀膜较初出现的是简单的直流二极溅射,它的优点是装置简单,但是直流二极溅射沉积速率低;为了保持自持放电,不能在低气压下进行;在直流二极溅射装置中增加一个热阴极和阳极,就构成直流三极溅射。增加的热阴极和阳极产生的热电子增强了溅射气体原子的电离,这样使溅射即使在低气压下也能进行;另外,还可降低溅射电压,使溅射在低气压,低电压状态下进行;同时放电电流也增大,并可单独控制,不受电压影响。在热阴极的前面增加一个电极,构成四极溅射装置,可使放电趋于稳定。但是这些装置难以获得浓度较高的等离子体区,沉积速度较低,因而未获得普遍的工业应用。广州磁控溅射优点磁控溅射是在低气压下进行高速溅射,为此需要提高气体的离化率。

广州真空磁控溅射处理,磁控溅射

反应磁控溅射特点:(1)采用双靶中频电源解决反应磁控溅射过程中因阳极被绝缘介质膜覆盖而造成的等离子体不稳定现象,同时还解决了电荷积累放电的问题。(2)利用等离子发射谱监测等离子体中的金属粒子含量,调节反应气体流量使等离子体放电电压稳定,从而使沉积速率稳定。(3)使用圆柱形旋转靶减小绝缘介质膜的覆盖面积。(4)降低输入功率,并使用能够在放电时自动切断输出功率的智能电源抑制电弧。(5)反应过程与沉积过程分室进行,既能有效提高薄膜沉积速率,又能使反应气体与薄膜表面充分反应生成化合物薄膜。

磁控溅射又称为高速低温溅射,在磁场约束及增强下的等离子体中的工作气体离子,在靶阴极电场的加速下,轰击阴极材料,使材料表面的原子或分子飞离靶面,穿越等离子体区以后在基片表面淀积、迁移较终形成薄膜。与二极溅射相比较,磁控溅射的沉积速率高,基片升温低,膜层质量好,可重复性好,便于产业化生产。它的发展引起了薄膜制备工艺的巨大变革。磁控溅射源在结构上必须具备两个基本条件:(1)建立与电场垂直的磁场;(2)磁场方向与阴极表面平行,并组成环形磁场。在微电子领域作为一种非热式镀膜技术,主要应用在化学气相沉积或金属有机。

广州真空磁控溅射处理,磁控溅射

反应磁控溅射是以金属、合金、低价金属化合物或半导体材料作为靶阴极,在溅射过程中或在基片表面沉积成膜过程中与气体粒子反应生成化合物薄膜,这就是反应磁控溅射。反应磁控溅射普遍应用于化合物薄膜的大批量生产,这是因为:1、反应磁控溅射所用的靶材料和反应气体纯度很高,因而有利于制备高纯度的化合物薄膜。2、通过调节反应磁控溅射中的工艺参数,可以制备化学配比或非化学配比的化合物薄膜,通过调节薄膜的组成来调控薄膜特性。3、反应磁控溅射沉积过程中基板升温较小,而且制膜过程中通常也不要求对基板进行高温加热,因此对基板材料的限制较少。4、反应磁控溅射适于制备大面积均匀薄膜,并能实现单机年产上百万平方米镀膜的工业化生产。有些镀膜要用到射频电源,如功率大,需做好屏蔽处理。广州高温磁控溅射

磁控溅射一般根据所采用的电源的不同又可分为直流溅射和射频溅射两种。广州真空磁控溅射处理

磁控溅射的工艺研究:1、传动速度。玻璃基片在阴极下的移动是通过传动来进行的。低传动速度使玻璃在阴极范围内经过的时间更长,这样就可以沉积出更厚的膜层。不过,为了保证膜层的均匀性,传动速度必须保持恒定。镀膜区内一般的传动速度范围为每分钟0~600英寸之间。根据镀膜材料、功率、阴极的数量以及膜层的种类的不同,通常的运行范围是每分钟90~400英寸之间。2、距离与速度及附着力。为了得到较大的沉积速率并提高膜层的附着力,在保证不会破坏辉光放电自身的前提下,基片应当尽可能放置在离阴极较近的地方。溅射粒子和气体分子的平均自由程也会在其中发挥作用。当增加基片与阴极之间的距离,碰撞的几率也会增加,这样溅射粒子到达基片时所具有的能力就会减少。所以,为了得到较大的沉积速率和较好的附着力,基片必须尽可能地放置在靠近阴极的位置上。广州真空磁控溅射处理

广东省科学院半导体研究所坐落于长兴路363号,是集设计、开发、生产、销售、售后服务于一体,电子元器件的服务型企业。公司在行业内发展多年,持续为用户提供整套微纳加工技术服务,真空镀膜技术服务,紫外光刻技术服务,材料刻蚀技术服务的解决方案。公司主要产品有微纳加工技术服务,真空镀膜技术服务,紫外光刻技术服务,材料刻蚀技术服务等,公司工程技术人员、行政管理人员、产品制造及售后服务人员均有多年行业经验。并与上下游企业保持密切的合作关系。依托成熟的产品资源和渠道资源,向全国生产、销售微纳加工技术服务,真空镀膜技术服务,紫外光刻技术服务,材料刻蚀技术服务产品,经过多年的沉淀和发展已经形成了科学的管理制度、丰富的产品类型。我们本着客户满意的原则为客户提供微纳加工技术服务,真空镀膜技术服务,紫外光刻技术服务,材料刻蚀技术服务产品售前服务,为客户提供周到的售后服务。价格低廉优惠,服务周到,欢迎您的来电!

免责声明: 本页面所展现的信息及其他相关推荐信息,均来源于其对应的用户,本网对此不承担任何保证责任。如涉及作品内容、 版权和其他问题,请及时与本网联系,我们将核实后进行删除,本网站对此声明具有最终解释权。

查看全部介绍
推荐产品  / Recommended Products