实际产品中，**常用的浪涌测试波形为1.2/50us和10/700us，如何将TVS承受浪涌功率从10/1000us波形下换算到其他波形呢，这就需要看Spec中的另一个曲线图：通过上图可以查出，1.2/50us波形所对应脉冲宽度50us，对应峰值功率为2200W左右。那么这种情况下，反算脉冲峰值电流为2200W/24.4V=90.16A。如果SMBJ15A放在电源端口，在共模时，浪涌发生器内阻为12欧姆，那么所能承受的电压为：90.16A*12ohm=1082V;如果SMBJ15A放在电源端口，在差模时，浪涌发生器内阻为2欧姆，那么所能承受的电压为：90.16A*2ohm=180.3V;如果SMBJ15A放在非对称信号端口，无论差模共模，浪涌发生器内阻为42欧姆，那么所能承受的电压为：90.16A*42ohm=3786.9V。从上面我们可以看出，一个TVS所能承受的比较大浪涌电压，不仅与自身的参数相关(比较大承受功率，重庆低电容TVSDO-218AB，重庆低电容TVSDO-218AB、钳位电压等)，也和其在电路的位置息息相关(浪涌发生器的内阻值非常重要)，重庆低电容TVSDO-218AB。RS485接口一般采用SMAJ6.0CA进行浪涌保护。重庆低电容TVSDO-218AB

干扰脉冲过去后，TVS又转入反向截止状态。由于在反向导通时，其箝位电压低于电路中其它器件的最高耐压，因此起到了对其它元器件的保护作用。TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦，其箝位时间<1ns。TVS在其散热及功率承受范围内可反复应用于电路的过压保护。TVS根据极性可分为单向和双向TVS。单向TVS一般适用于直流电路，双向TVS一般适用于交流电路中。由于TVS起保护作用响应速度快、使用寿命长、封装多样化，钳位电压低，因此在瞬变电压防护领域有着非常***的应用。重庆低电容TVSDO-218ABTVS与MOV比，具有较低的钳位电压。

箝位时间TCTC是TVS两端电压从零到**小击穿电压VBR的时间。对单极性TVS一般是1×10-12秒；对双极性TVS一般是1×10-11秒。TVS器件可以按极性分为单极性和双极性两种，按用途可分为各种电路都适用的通用型器件和特殊电路适用的**型器件。如：各种交流电压保护器、4~200mA电流环保器、数据线保护器、同轴电缆保护器、电话机保护器等。若按封装及内部结构可分为：轴向引线二极管、双列直插TVS阵列（适用多线保护）、贴片式、组件式和大功率模块式等。

比较大箝拉电压VC和比较大峰值脉冲电流IPP当持续时间为20微秒的脉冲峰值电流IPP流过TVS时，在其两极间出现的比较大峰值电压为VC。它是串联电阻上和因温度系数两者电压上升的组合。VC、IPP反映TVS器件的浪涌抑制能力。VC与VBR之比称为箝位因子，一般在1.2~1.4之间。电容量C电容量C是TVS雪崩结截面决定的、在特定的1MHZ频率下测得的。C的大小与TVS的电流承受能力成正比，C过大将使信号衰减。因此，C是数据接口电路选用TVS的重要参数。。。。TVS的瞬态功率一般是在10/1000μs的波形下测量。

当 PN 结的反向偏压较高时，会发生由于碰撞电离引发的电击穿，即雪崩击穿。存在于半导体晶体中的自由载流子在耗尽区内建电场的作用下被加速其能量不断增加，直到与半导体晶格发生碰撞，碰撞过程释放的能量可能使价键断开产生新的电子空穴对。新的电子空穴对又分别被加速与晶格发生碰撞，如果平均每个电子（或空穴）在经过耗尽区的过程中可以产生大于 1 对的电子空穴对，那么该过程可以不断被加强，**终达到耗尽区载流子数目激增，PN 结发生雪崩击穿。400W功率的TVS一般为SMA封装或插件DO-41封装。重庆大功率TVSSMAF

TVS的结电容与TVS的功率成正比，相同电压下功率越大，结电容也越大。重庆低电容TVSDO-218AB

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