系列名**不同的峰值脉冲功率和封装形式①SMAJ、SMBJ、SMCJ、SMDJ表示贴片封装:分别**的峰值脉冲功率为400W、600W、1500W和3000W;②其它系列名表示同轴引线封装:P4KE为400W、P6KE为600W,重庆SMCJTVSSMA、1.5KE为1500W,SA为500W、3KP为3000W,其余类推(型号名KP或KPA前面的数字表示kW数),重庆SMCJTVSSMA。系列名后的数字**击穿电压标称值或反向断态电压值①P4KE、P6KE、1,重庆SMCJTVSSMA.5KE系列中**击穿电压标称值(VBR);②其它系列中**反向断态电压值(VRWM)。A表示单向,CA表示双向。注意:SAC(500W)、LCE(1500W)系列是低电容的TVS管,只有单向,没有双向。POE接口电源线一般采用SMCJ58CA、SMDJ58CA或5.0SMDJ58CA进行保护。重庆SMCJTVSSMA
TVS瞬态抑制二极管失效模式:1:当瞬态脉冲能量大于TVS所能承受能量时会引起TVS器件过电应力损伤,特别是当瞬态能量远远超出TVS所能承受的数倍时会直接导致TVS过电应力烧毁。失效模式为短路。2:当电路中通过的电流太大,可能会造成TVS炸裂,失效模式为开路。这种情况通常为设计时考虑不周全,TVS通流量过小造成的。3:电性能退化当TVS经过成千上万次的标准脉冲冲击后失效,失效模式为短路。这种模式因长时间工作结温持续增大导致(器件内部结构变化、散热能力下降)过热烧毁。上海低漏流TVSSMBF来明电子可为客户**提供TVS样品测试。
齐纳击穿:齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高,PN结很窄,这样即使施加较小的反向电压(5V以下),结层中的电场却很强(可达2.5×105V/m左右)。在强电场作用下,会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来,形成"电子一空穴对",从而产生大量的载流子。它们在反向电压的作用下,形成很大的反向电流,出现了击穿。显然,齐纳击穿的物理本质是场致电离。采取适当的掺杂工艺,将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8~1000V。而齐纳击穿电压低于5V。在5~8V之间两种击穿可能同时发生。
热电击穿:当pn结施加反向电压时,流过pn结的反向电流要引起热损耗。反向电压逐渐增大时,对于一定的反向电流所损耗的功率也增大,这将产生大量热量。如果没有良好的散热条件使这些热能及时传递出去,则将引起结温上升。这种由于热不稳定性引起的击穿,称为热电击穿。击穿电压的温度特性:温度升高后,晶格振动加剧,致使载流子运动的平均自由路程缩短,碰撞前动能减小,必须加大反向电压才能发生雪崩击穿具有正的温度系数,但温度升高,共价键中的价电子能量状态高,从而齐纳击穿电压随温度升高而降低,具有负的温度系数。TVS的钳位电压与流过本体的电流成正比,电流越大,钳位电压也越高。
比较大箝拉电压VC和比较大峰值脉冲电流IPP当持续时间为20微秒的脉冲峰值电流IPP流过TVS时,在其两极间出现的比较大峰值电压为VC。它是串联电阻上和因温度系数两者电压上升的组合。VC、IPP反映TVS器件的浪涌抑制能力。VC与VBR之比称为箝位因子,一般在1.2~1.4之间。电容量C电容量C是TVS雪崩结截面决定的、在特定的1MHZ频率下测得的。C的大小与TVS的电流承受能力成正比,C过大将使信号衰减。因此,C是数据接口电路选用TVS的重要参数。。。。SMC封装的TVS功率可做到8kW。上海定制TVS生产
来明电子可根据客户要求,为客户定制各类TVS产品。重庆SMCJTVSSMA
高温当TVS器件工作温度超过其比较大允许工作温度时,易发生短路失效且通常发生在pn结表面。这是因为,在高温条件工作下,表面可动离子的数量**增加[5],表面电流也随之增大,表面功率密度和温度比体内高,使pn结边缘结温超过200℃,边缘局部区域晶格遭受致命性的损坏。TVS在高温反偏筛选中短路失效情况统计表明:高击穿电压(150V以上)TVS器件更容易发生短路失效。这是因为在相同额定功率的TVS系列中,在承受相同功率时,高击穿电压TVS芯片温升更高。重庆SMCJTVSSMA
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