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重庆贴片瞬态抑制二极管应用 上海来明电子供应

信息介绍 / Information introduction

选用技巧编辑播报1、确定被保护电路的比较大直流或连续工作电压,重庆贴片瞬态抑制二极管应用,重庆贴片瞬态抑制二极管应用、电路的额定标准电压和“**”容限。2、TVS额定反向关断VWM应大于或等于被保护电路的最大工作电压。若选用的VWM太低,重庆贴片瞬态抑制二极管应用,器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压,并行连接分电流。3、TVS的比较大箝位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。4、在规定的脉冲持续时间内,TVS的比较大峰值脉冲功耗PM必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。在确定比较大箝位电压后,其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。当瞬态脉冲能量超过 TVS 所能承受能量时会引起 TVS 器件过电应力损伤。重庆贴片瞬态抑制二极管应用

TVS和齐纳稳压管都能用作稳压,但是齐纳击穿电流更小,大于10V的稳压只有1mA,相对来说要比齐纳二极管击穿电流要大不少,但是齐纳二极管稳压精度可以做的比较高。在电路中一般工作于反向截止状态,此时它不影响电路的任何功能。TVS在规定的反向应用条件下,当电路中由于雷电、各种电器干扰出现大幅度的瞬态干扰电压或脉冲电流时,它在极短的时间内(比较高可达到1×10-12秒)迅速转入反向导通状态,并将电路的电压箝位在所要求的安全数值上,从而有效的保护电子线路中精密元器件免受损坏。重庆贴片瞬态抑制二极管应用引发 TVS 短路的**典型的原因是管芯与内引线组件、底座铜片烧结不良。

长时间工作耗损对筛选合格的TVS器件进行浪涌寿命试验,发现TVS器件经过成千上万次标准指数脉冲(所能承受的浪涌脉冲次数与质量等级相关)冲击后失效,失效模式通常为短路。对失效样品进行解剖后,在扫描电镜下观察芯片,发现结边缘发生熔融现象和结边缘焊料结构发生了变化,且结**边缘处**为严重。失效机理可能结边缘焊料形成金属化合物而脆化,使管芯与底座热沉逐渐分离,结边缘的散热能力降低,长时间工作结温持续增大导致过热烧毁。

高温当TVS器件工作温度超过其比较大允许工作温度时,易发生短路失效且通常发生在pn结表面。这是因为,在高温条件工作下,表面可动离子的数量**增加[5],表面电流也随之增大,表面功率密度和温度比体内高,使pn结边缘结温超过200℃,边缘局部区域晶格遭受致命性的损坏。TVS在高温反偏筛选中短路失效情况统计表明:高击穿电压(150V以上)TVS器件更容易发生短路失效。这是因为在相同额定功率的TVS系列中,在承受相同功率时,高击穿电压TVS芯片温升更高。TVS 的比较大箝位电压VC 应小于被保护电路的损坏电压。

齐纳击穿:齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高,PN结很窄,这样即使施加较小的反向电压(5V以下),结层中的电场却很强(可达2.5×105V/m左右)。在强电场作用下,会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来,形成"电子一空穴对",从而产生大量的载流子。它们在反向电压的作用下,形成很大的反向电流,出现了击穿。显然,齐纳击穿的物理本质是场致电离。采取适当的掺杂工艺,将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8~1000V。而齐纳击穿电压低于5V。在5~8V之间两种击穿可能同时发生。DO-15封装的TVS一般有SA系列(500W)、P6KE系列(600W)、SAC系列。重庆贴片瞬态抑制二极管应用

TVS应用领域:仪器仪表(电度表)I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、PDAS、GP。重庆贴片瞬态抑制二极管应用

干扰脉冲过去后,TVS又转入反向截止状态。由于在反向导通时,其箝位电压低于电路中其它器件的最高耐压,因此起到了对其它元器件的保护作用。TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦,其箝位时间<1ns。TVS在其散热及功率承受范围内可反复应用于电路的过压保护。TVS根据极性可分为单向和双向TVS。单向TVS一般适用于直流电路,双向TVS一般适用于交流电路中。由于TVS起保护作用响应速度快、使用寿命长、封装多样化,钳位电压低,因此在瞬变电压防护领域有着非常多方面的应用。重庆贴片瞬态抑制二极管应用

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