降低防护器件结电容的设计方法当防护器件的并联结电容较大时，将对高频信号产生“衰耗”作用，重庆SD卡ESD保护元件原理，此时需要改进防护电路的设计，重庆SD卡ESD保护元件原理，降低结电容对信号质量的影响。常用的设计方法有;A二极管偏置法二极管结电容随反向偏升高而降低，对防护一极管施加话当的反向偏压可适用更高频率电路。B.二极管串联法一-两个相同防护二极管串联可使接入电容减小一半，重庆SD卡ESD保护元件原理。C阻抗匹配法一-当防护二极管的结电容太大，可以对防护器件并联小电感，使之和二极管结电容并联谐振在工作信号频率点，这时保护电路对工作频率呈高阻抗，从而减小对高频电路四配的影响，并有利于加强防护。MM机器模型放电的波形与预料的家具模型波形相似，不同的是带电电容较大。重庆SD卡ESD保护元件原理

静电可以引起电气绝缘和电子元器件击穿是否正确？这一表述是合理的，工作电压可以做到几万元伏的，假如在电子元器件上边一瞬间的话，便会击穿里边的一些电子器件。火花放电会造成**的，损害医生和病人；在煤矿业，则会造成煤层气，会造成职工伤亡，煤矿损毁。总而言之，静电伤害起因于用电力工程和静电火苗，静电伤害中**明显的是静电充放电造成易燃物的着火和。静电的危害：身体长期性在静电辐射源下，会让人烦躁不安、头疼、胸闷气短、呼吸不畅、干咳。在家庭生活之中，静电不但化纤衣服有，脚底的毛毯、日常的塑胶用品、漆料家具直到各种各样家用电器均很有可能发生静电状况。重庆SD卡ESD保护元件原理ESD静电保护元件被广泛应用于各类通信接口。

ESD静电放电机器模型,机器模型的等效电路与人体模型相似，但等效电容是200pF，等效电阻为0，机器模型与人体模型的差异较大，实际上机器的储电电容变化较大，但为了描述的统一，取200pF。由于机器模型放电时没有电阻，且储电电容大于人体模式，同等电压对器件的损害，机器模式远大于人体模型。静电放电充电器件模型,半导体器件主要采用三种封装型式(金属、陶瓷、塑料)。它们在装配、传递、试验、测试、运输及存贮过程中，由于管壳与其它绝缘材料(如包装用的塑料袋、传递用的塑料容器等)相互磨擦，就会使管壳带电。器件本身作为电容器的一个极板而存贮电荷。CDM模型就是基于已带电的器件通过管脚与地接触时，发生对地放电引起器件失效而建立的。

在高频接口还可以采用电阻衰减网络和LC滤波电路形成ESD保护。电阻衰减网络在很宽的频带范围都有较好的适应性，但是它在衰减ESD脉冲的同时，对高频信号进行同比例衰减，改变了电路系统的增益分配，而且在低噪声要求的高频接口不能采用此方法。从图1的ESD频谱可见，数百MHz以下的高频接口很难使用滤波方法实现ESD防护，只有在GHz以上的高频接口且使用LC高通滤波器才具有可实现性。适用于高频信号接口的ESD防护电路必须有很小的并联结电容、较小的串联电感和很快的响应速度，这对防护器件参数的选取、PCB布局的寄生参数控制、阻抗匹配以及布板面积都有较高的要求，实际实现起来并不简单。MOS与BJT用于ESD放电保护原理基本上是一样的，均是通过寄生的BJT来释放ESD电流。

静电的发生机制。由于不同原子的原子核对电子的束缚能力不同，物体相互靠近时，电子就会在物体之间发生转移，从而导致电荷在物质系统之间的不均匀分布，打破原本的平衡状态。所谓静电，其实就是这些发生转移、在某一物体上积累下来的电荷，而由这些电荷引发的诸多现象，如头发炸毛、电脑屏幕粘上灰尘等，就是静电现象。当我们活动时，身体、衣物会和地面、空气等产生摩擦，使电子在它们之间发生转移，从而使身体带电。我们的鞋子大多是绝缘的橡胶底，身体累积的电荷不可能通过鞋导给大地，于是身体的电荷逐渐累积，也就产生了静电。静电现象在冬天比在夏天更为常见，这与不同湿度下空气的导电能力有关。相对湿润时，空气中漂浮着大量微小液滴，可以转移身体的一部分电荷，而冬天气候干燥，室内外温差更**的温差会降低空气相对湿度，因此摩擦带来的电荷很容易积累起来。典型的机器模型对小电阻放电的波形, 峰值电流可达几百安培，持续时间决定于放电通路的电感为几百纳秒。重庆耳机接口ESD保护元件测试

ESD静电保护元件有高分子材料制程的间隙放电元件，结电容可以做到0.1pF以内。重庆SD卡ESD保护元件原理

SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**强的器件。当阳极出现PositiveESDPulse时，Nwell/Pwell结发生雪崩击穿，击穿产生的电子电流和空穴电流分别流过电阻RNw和Rpw，使PNP器件和NPN器件开启，阳极的P+注入大量空穴，阴极的N+注入大量电子，注入的空穴成为NPN器件的基极电流，注入的电子成为PNP器件的基极电流，正反馈过程得以形成，使Nwell和Pwell均出现强烈的电导调制效应，继而降低器件两端的压降。因此，SCR器件的维持电压往往很低，并由此导致其抗ESD能力非常强，微分电阻也非常小。在阳极出现NegativeESDPulse时，电流可通过正偏的阴极P+/阳极N+释放。重庆SD卡ESD保护元件原理

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