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串联型晶体振荡器如图6所示。该振荡器采用了两级放大电路，石英晶体X1除了构成反馈电路外，还具有选频功能，其选频频率f0=fs，电位器RP1用来调节反馈信号的幅度。石英晶体振荡器分为非温度补偿式晶体振荡器、温度补偿式晶体振荡器（TCXO）、电压控制晶体振荡器（VCXO）、恒温控制式晶体振荡器（OCXO）和数字化/μp补偿式晶体振荡器（DCXO/MCXO）等几种类型。其中，非温度补偿式晶体振荡器是**简单的一种，在日本工业标准（JIS）中称之为标准封装晶体振荡器（SPXO）。安徽低负载电容型晶振精度温度补偿晶体振荡器通过附加的温度补偿电路，使由周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的一种石英晶振。

陶瓷谐振器（SMD）简称陶瓷晶振，一般是采用压电陶瓷制作的一种谐振元器件。其与晶振在工作原理、等效电路、应用电路等具有相似之处。起到产生频率的作用，具有稳定、抗干扰性能良好的特点。陶瓷晶振是通过人工材料制成，是用硅藻土经过高温烧制成的电子元器件，里面有一片很薄的压电晶片，然而当今的陶瓷技术已可做到将烧结的尺寸变化控制在0.1%的范围，不像其他陶瓷工艺品很大个，陶瓷晶振封装由于体积较小，因此在制作工艺上很难达到某些技术要求，精度上相对于石英晶振来说偏低，精度一般能达到300ppm-5000ppm，比石英晶体谐振器的频率精度要低。主要用在对频率精度要求不高的电子产品中。

频率准确度。频率准确度是指在标称电源电压、标称负载阻抗、基准温度（25℃）以及其他条件保持不变时，晶体振荡器的频率相对于其规定标称值的比较大允许偏差，即（fmax-fmin）/f0。④温度稳定度。温度稳定度是指其他条件保持不变时，在规定温度范围内晶体振荡器输出频率的比较大变化量相对于温度范围内输出频率极值之和的允许频偏值，即（fmax-fmin）/（fmax+fmin）。⑤频率调节范围。通过调节晶体振荡器的某可变元件可改变输出频率的范围。⑥负载特性。其他条件保持不变时，负载在规定变化范围内晶体振荡器输出频率相对于标称负载下的输出频率的比较大允许频偏。在数字应用中使用晶体振荡器有很多好处。晶体可以制造成具有***的特定频率。

晶振负载电容的选择：晶体工作在基频时，其负载电容的标准值为20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶体经常工作在串联谐振，在使用负载电容的地方，其负载电容值应从下列标准值中选择：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。晶振激励电平的影响：一般来讲，AT切晶体激励电平的增大，其频率变化是正的。激励电平过高会引起非线性效应，导致可能出现寄生振荡；严重热频漂；过应力频漂及电阻突变。当激励电平过低时则会造成起振阻力不易克服、工作不良及指标的不稳定。滤波电路中的应用：应用于滤波电路中时，除通常的规定外，更应注意其等效电路元件的数值和误差以及寄生响应的位置和幅度，由于滤波晶体设计的特殊性，所以用户选购时应特别说明。晶振可以提供较稳定的脉冲，广泛应用于微芯片的时钟电路里。有源晶振封装

石英晶振封装按生产工艺可以划分为：金属封装，玻璃封装， 电阻焊。安徽低负载电容型晶振精度

开机特性（频率稳定预热时间）：指开机后一段时间（如5分钟）的频率到开机后另一段时间（如1小时）的频率的变化率，表示了晶振达到稳定的速度。频率老化率：在恒定的环境条件下测量振荡器频率时，振荡器频率和时间之间的关系。这种长期频率漂移是由晶体元件和振荡器元件的缓慢变化造成的。因此，其频率偏移的速率叫老化率，可用规定时限后的比较大变化率（如±10ppb/天，加电72小时后），或规定的时限内比较大的总频率变化（如：±1ppm/（***年）和±5ppm/（十年））来表示。安徽低负载电容型晶振精度

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