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河北SMA瞬态抑制二极管 上海来明电子供应

信息介绍 / Information introduction

平时在做浪涌测试时,总是提到的参数是设备所能承受的浪涌电压,如差模2KV,共模4KV等。在选用防浪涌所用的TVS时,也就经常考虑这个问题,TVS哪个参数能对应出不同的浪涌电压值。在TVS选型时,有很多参数需要考虑,如钳位电压、击穿电压、脉冲峰值电流和负载电容等。这里不讨论其他参数,只关注如何计算出所能承受的浪涌电压。下图中提到了的两个参数:比较大钳位电压和脉冲峰值电流,其承受的比较大浪涌功率为比较大钳位电压*脉冲峰值电流=24,河北SMA瞬态抑制二极管.4V*24.6A=600,河北SMA瞬态抑制二极管.24W。这也是我们常说的SMB系列TVS能承受600W功率。如果没有特殊说明,河北SMA瞬态抑制二极管,这个功率是在10/1000us浪涌测试波形下测量的。TVS额定反向关断VWM 应大于或等于被保护电路的最大工作电压。河北SMA瞬态抑制二极管

TVS的瞬态功率一般以8/20us或10/1000us的波形来衡量。8/20us是雷击浪涌的一种波形通常以内阻2欧姆的一个短路电流波形,上升前沿在8uS,峰值电流下降沿1/2处保持在20uS.即充电1KV输出500A的电流波形.现在较多的已经是组合波模式,即短路电流波形为8/20uS,开路电压波形为1.2/50uS..10/1000uS也是一种浪涌波形,以现在执行的标准是短路电流波形与开路电压波形都需要符合前沿时间10uS半值时间1000uS,内阻10欧姆.即充电1KV输出100A的电压及电流波形。河北SMA瞬态抑制二极管对于数据接口电路的保护,还必须注意选取具有合适电容C 的TVS 器件。

过电应力当瞬态脉冲能量超过TVS所能承受能量时会引起TVS器件过电应力损伤,特别是当瞬态脉冲能量达到TVS所能承受能量的数倍时会直接导致TVS器件过电应力烧毁,失效模式表现为短路。过电应力短路失效的TVS芯片在扫描电镜下观察。可发现pn结表面边缘的熔融区域或体内硅片的上表面和下表面的黑斑。试验表明,发生在结表面边缘过电应力短路失效通常是由持续时间极短(ns级)的高能量瞬态脉冲所致,例如:EMP、ESD产生的脉冲:体内过电应力失效通常是由持续时间稍长(us级以上)高能量脉冲所致,例如:电快速瞬变,雷电产生的脉冲。如果高能量瞬态脉冲持续时间介于ns级和μs级之间,则短路可能发生在结边缘表面,也可能发生在体内。

TVS瞬态抑制二极管失效模式:1:当瞬态脉冲能量大于TVS所能承受能量时会引起TVS器件过电应力损伤,特别是当瞬态能量远远超出TVS所能承受的数倍时会直接导致TVS过电应力烧毁。失效模式为短路。2:当电路中通过的电流太大,可能会造成TVS炸裂,失效模式为开路。这种情况通常为设计时考虑不周全,TVS通流量过小造成的。3:电性能退化当TVS经过成千上万次的标准脉冲冲击后失效,失效模式为短路。这种模式因长时间工作结温持续增大导致(器件内部结构变化、散热能力下降)过热烧毁。TVS 台面缺陷造成的失效常常是批次性的。

反向击穿性PN结加反向电压时,空间电荷区变宽,区中电场增强。反向电压增大到一定程度时,反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流,则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿机构有两种,即隧道击穿(也叫齐纳击穿)和雪崩击穿,前者击穿电压小于6V,有负的温度系数,后者击穿电压大于6V,有正的温度系数。雪崩击穿:阻挡层中的载流子漂移速度随内部电场的增强而相应加快到一定程度时,其动能足以把束缚在共价键中的价电子碰撞出来,产生自由电子—空穴对,新产生的载流子在强电场作用下,再去碰撞其它中性原子,又产生新的自由电子—空穴对,如此连锁反应,使阻挡层中的载流子数量急剧增加,像雪崩一样。雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的PN结中,阻挡层宽,碰撞电离的机会较多,雪崩击穿的击穿电压高。TVS允许的正向浪涌电流在T =25℃,T=10ms条件下,可达50~200A 。广西1000W瞬态抑制二极管应用

当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,皮秒级的速度变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率。河北SMA瞬态抑制二极管

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