①标称阻值Rc：一般指环境温度为25℃时热敏电阻器的实际电阻值。②实际阻值RT：在一定的温度条件下所测得的电阻值。③材料常数：它是一个描述热敏电阻材料物理特性的参数，也是热灵敏度指标，重庆负温度系数热敏电阻选型，B值越大，表示热敏电阻器的灵敏度越高。应注意的是，在实际工作时，B值并非一个常数，而是随温度的升高略有增加。④电阻温度系数αT：它表示温度变化1℃时的阻值变化率，单位为%/℃。⑤时间常数τ：热敏电阻器是有热惯性的，时间常数，重庆负温度系数热敏电阻选型，重庆负温度系数热敏电阻选型，就是一个描述热敏电阻器热惯性的参数。它的定义为，在无功耗的状态下，当环境温度由一个特定温度向另一个特定温度突然改变时，热敏电阻体的温度变化了两个特定温度之差的63.2%所需的时间。τ越小，表明热敏电阻器的热惯性越小。电路允许的比较大启动电流值决定了功率型NTC热敏电阻的阻值。重庆负温度系数热敏电阻选型

负温度系数热敏电阻又称NTC热敏电阻，是一类电阻值随温度增大而减小的一种传感器电阻。***用于各种电子元件中，如温度传感器、可复式保险丝及自动调节的加热器等。NTC是NegativeTemperatureCoefficient的缩写，意思是负的温度系数，泛指负温度系数很大的半导体材料或元器件，所谓NTC热敏电阻器就是负温度系数热敏电阻器。它是以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料，采用陶瓷工艺制造而成的。这些金属氧化物材料都具有半导体性质，因为在导电方式上完全类似锗、硅等半导体材料。温度低时，这些氧化物材料的载流子（电子和孔穴）数目少，所以其电阻值较高；随着温度的升高，载流子数目增加，所以电阻值降低。NTC热敏电阻器在室温下的变化范围在100~1000000欧姆，温度系数-2%~-6.5%。NTC热敏电阻器可***用于测温、控温、温度补偿等方面。重庆负温度系数热敏电阻选型实际阻值RT：在一定的温度条件下所测得的电阻值。

功率型NTC热敏电阻比较大允许电容（焦耳能量）的选择。对于某个型号的功率型NTC热敏电阻来说，允许接入的滤波电容的大小是有严格要求的，这个值也与比较大额定电压有关。开机浪涌是因为电容充电产生的，因此通常用给定电压值下的允许接入的电容量，来评估功率型NTC热敏电阻承受浪涌电流的能力。对于某一个具体的功率型NTC热敏电阻来说，所能承受的比较大焦耳能量已经确定了。功率型NTC热敏电阻的焦耳能量计算公式：E=1/2CV2。从上面的公式可以看出，其允许的接入的电容值与额定电压的平方成反比。简单来说，就是输入电压越大，允许接入的比较大电容值就越小，反之亦然。

热敏电阻的阻值会随着温度的改变而改变，而这种改变是非线性的，Steinhart-Hart公式表明了这一点。在进行温度测量时，需要驱动一个通过热敏电阻的参考电流，以创建一个等效电压，该等效电压具有非线性的响应。您可以使用配备在微控制器上的参照表，尝试对热敏电阻的非线性响应进行补偿。即使您可以在微控制器固件上运行此类算法，但您还是需要一个高精度转换器用于在出现极端值温度时进行数据捕获。另一种方法是，您可以在数字化之前使用“硬件线性化”技术和一个较低精度的ADC。(Figure1)其中一种技术是将一个电阻RSER与热敏电阻RTHERM以及参考电压或电源进行串联（见图1）。将PGA（可编程增益放大器）设置为1V/V，但在这样的电路中，一个10位精度的ADC只能感应很有限的温度范围（大约±25°C）。额定功率PM：在规定的技术条件下，热敏电阻器长期连续负载所允许的耗散功率。

功率型NTC热敏电阻的R25阻值的选择。电路允许的比较大启动电流值决定了功率型NTC热敏电阻的阻值。假设电源额定输入为220VAC，内阻为1Ω，允许的比较大启动电流为60A，那么选取的功率型NTC在初始状态下的**小阻值为：Rmin=（220×1.414/60）-1=4.2（Ω）针对此应用我们建议选用功率型NTC热敏电阻的R25阻值≧4.2Ω。功率型NTC热敏电阻的比较大稳态电流的选择。比较大稳态电流的选用的原则应该满足：电路实际工作电流<功率型NTC热敏电阻的比较大稳态电流。很多电源是宽电压设计（AC90V-240V），但产品的功率是固定的，因此要注意在低电压输入时，工作电流要比高电压输入时高许多。根据公式：W=V·I在相同的功率条件下，如在90V的输入电压时，工作电流是240V的输入电压时的2.7倍。因此电路的实际工作电流以比较低电压时计算的为准。零功率电阻指在规定温度采用引起电阻值变化相对于总的测量误差来说可以忽略不计的测量功率测得的电阻值。四川过流保护热敏电阻应用

长寿命NTC热敏电阻，是对NTC热敏电阻认识的提升，强调电阻寿命的重要性。重庆负温度系数热敏电阻选型

钛酸钡晶体属于钙钛矿型结构，是一种铁电材料，纯钛酸钡是一种绝缘材料．在钛酸钡材料中加入微量稀土元素，进行适当热处理后，在居里温度附近，电阻率陡增几个数量级，产生PTC效应，此效应与BaTiO3晶体的铁电性及其在居里温度附近材料的相变有关。钛酸钡半导瓷是一种多晶材料，晶粒之间存在着晶粒间界面。该半导瓷当达到某一特定温度或电压，晶体粒界就发生变化，从而电阻急剧变化。钛酸钡半导瓷的PTC效应起因于粒界（晶粒间界）。对于导电电子来说，晶粒间界面相当于一个势垒。当温度低时，由于钛酸钡内电场的作用，导致电子极容易越过势垒，则电阻值较小。当温度升高到居里温度（即临界温度）附近时，内电场受到破坏，它不能帮助导电电子越过势垒。这相当于势垒升高，电阻值突然增大，产生PTC效应。钛酸钡半导瓷的PTC效应的物理模型有海望表面势垒模型、丹尼尔斯等人的钡缺位模型和叠加势垒模型，它们分别从不同方面对PTC效应作出了合理解释。重庆负温度系数热敏电阻选型

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