石英晶振封装按生产工艺可以划分为：Seam金属封装，Glass玻璃封装，ResistanceWelded电阻焊，冲压；产品工业的不同，其封装方式及特点也有所不同。石英晶振封装按上板组装方可以划分为直插(DIP)和贴片(SMD)；SMD晶振在上板上机时可以自动化装配，提高生产效率，具有尺寸小，河北椭圆形晶振、易贴装等特点，河北椭圆形晶振，主要用于空间相对较小的电子产品中；应用于智能手机、无线蓝牙、平板电脑等数码产品；DIP因为有脚引，无焊盘，主要通过人工装配，利用手工对产品进行插件与焊接；应用于钟表、平板电脑，河北椭圆形晶振、微型计算机等。晶体振荡器主要用于提供稳定时钟信号的数字集成电路和需要高频参考的特定应用中。河北椭圆形晶振

短稳：短期稳定度。频率压控范围：将频率控制电压从基准电压调到规定的终点电压，晶体振荡器频率的**小峰值改变量率压控线性：与理想（直线）函数相比的输出频率-输入控制电压传输特性的一种量度，它以百分数表示整个范围频偏的可容许非线性度。单边带相位噪声￡（f）：偏离载波f处，一个相位调制边带的功率密度与载波功率之比。总频差：在规定的时间内，由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的比较大偏差。频率温度稳定度：在标称电源和负载下，工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的比较大允许频偏。云南金属壳封装型晶振老化晶片多为石英半导体材料，外壳用金属封装。

晶振是电子电路中**常用的电子元件之一，一般用字母“X”、“G”或“Z”表示，单位为Hz。晶振常与主板、南桥、声卡等电路连接使用。晶振可比喻为各板卡的“心跳”发生器，如果主卡的“心跳”出现问题，必定会使其他各电路出现故障。并联型晶体振荡器。并联型晶体振荡器如图5所示。三极管VT与R1、R2、R3、R4构成放大电路；C3为交流旁路电容，对交流信号相当于短路；X1为石英晶体，在电路中相当于电感。从交流等效图可以看出，该电路是一个电容三点式振荡器，C1、C2、X1构成选频电路，其选频频率主要由X1决定，频率接近fp。

石英晶体振荡器分为非温度补偿式晶体振荡器、温度补偿式晶体振荡器（TCXO）、电压控制晶体振荡器（VCXO）、恒温控制式晶体振荡器（OCXO）和数字化/μp补偿式晶体振荡器（DCXO/MCXO）等几种类型。其中，非温度补偿式晶体振荡器是**简单的一种，在日本工业标准（JIS）中称之为标准封装晶体振荡器（SPXO）。温度式补偿晶体振荡器。温度式补偿晶体振荡器（TCXO）是通过附加的温度补偿电路使由周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的一种石英晶体振荡器，如图7所示。TCXO中，对石英晶体振子频率温度漂移的补偿方法主要有直接补偿和间接补偿两种类型。电视中的晶振电路一般用于系统控制电路和解码电路中，与微处理器相配合为CPU电路提供时钟振荡信号。

晶振负载电容的选择：晶体工作在基频时，其负载电容的标准值为20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶体经常工作在串联谐振，在使用负载电容的地方，其负载电容值应从下列标准值中选择：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。晶振激励电平的影响：一般来讲，AT切晶体激励电平的增大，其频率变化是正的。激励电平过高会引起非线性效应，导致可能出现寄生振荡；严重热频漂；过应力频漂及电阻突变。当激励电平过低时则会造成起振阻力不易克服、工作不良及指标的不稳定。滤波电路中的应用：应用于滤波电路中时，除通常的规定外，更应注意其等效电路元件的数值和误差以及寄生响应的位置和幅度，由于滤波晶体设计的特殊性，所以用户选购时应特别说明。晶振可以提供较稳定的脉冲，广泛应用于微芯片的时钟电路里。甘肃并联谐振型晶振分类

晶振利用具有压电特性的振动晶体的机械共振，以获得具有高精度频率的电信号。河北椭圆形晶振

电路振荡过程：接通电源后，三极管VT导通，有变化Ic电流流过VT，它包含着微弱的0～∞各种频率的信号。这些信号加到C1、C2、X1构成的选频电路，选频电路从中选出f0信号，在X1、C1、C2两端有f0信号电压，取C2两端的f0信号电压反馈到VT的基-射极之间进行放大，放大后输出信号又加到选频电路，C1、C2两端的信号电压增大，C2两端的电压又送到VT基-射极，如此反复进行，VT输出的信号越来越大，而VT放大电路的放大倍数逐渐减小，当放大电路的放大倍数与反馈电路的衰减系数相等时，输出信号幅度保持稳定，不会再增大，该信号再送到其他的电路。河北椭圆形晶振

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