D500/7D压力控制器，膜片式传感器用于空气等中性气体和液体介质。设定值调理范围-2.5~2.5(KPa)MPa。

设定值的调整（详见压力控制器设定值的调整）

在实践工作中，即便短暂的压力峰值，也不能超过此值。

设定值的调整

1、不可调切换差的控制器设定值调整步骤。举例说明如下：

例：选用订购号为0814700的控制器，要求将压力上升至0.5MPa(上切换值)发出触点信号，其操作步骤参见1.1～1.5。（如图一所示）

1.1松开锁紧器，将产品旋入压力校验台的螺纹接口上，注意必须用扳手夹持传感器的平面部分，***避免开关壳体与传感器发生相对滚动。

1.2翻开盖板，将电缆穿过电缆接口接入端子板中，电缆另一头接上万用表。

1.3将压力加至0.5MPa，此值可以从规范压力计中读出。

1.4顺时针旋动设定值调理螺杆，使设定值由大变小，直至开关触点在0.5MPa处切换，上海防爆差压控制器。

1.5旋紧锁紧器，调理压力校验台的压力，使压力在0.5MPa上下来回变化，上海防爆差压控制器，

检验压力上升时，触点的切换值是否是0.5MPa，此值即为要设定的上切换值。其对应的下切换值应是0.5MPa减去切换差0，上海防爆差压控制器.03MPa（左右），即为0.47MPa（左右） 压力传感控制器是工业实践中常用的一种传感器，广泛应用于各种工业自控环境。上海防爆差压控制器

单电容式压力传感器由圆形薄膜与固定电极构成。薄膜在压力的作用下变形，从而改变电容器的容量，其灵敏度大致与薄膜的面积和压力成正比而与薄膜的张力和薄膜到固定电极的距离成反比。另一种型式的固定电极取凹形球面状，膜片为周边固定的张紧平面，膜片可用塑料镀金属层的方法制成。这种型式适于测量低压，并有较高过载能力。还可以采用带活塞动极膜片制成测量高压的单电容式压力传感器。这种型式可减小膜片的直接受压面积，以便采用较薄的膜片提高灵敏度。它还与各种补偿和保护部以及放大电路整体封装在一起，以便提高抗干扰能力。这种传感器适于测量动态高压和对飞行器进行遥测。单电容式压力传感器还有传声器式（即话筒式）和听诊器式等型式。上海小切换差压型压力控制器上海中和D520/7DD防爆差压控制器的价格。

压阻压力传感器一般通过引线接入惠斯登电桥中。平时敏感芯体没有外加压力作用，电桥处于平衡状态（称为零位），当传感器受压后芯片电阻发生变化，电桥将失去平衡。若给电桥加一个恒定电流或电压电源，电桥将输出与压力对应的电压信号，这样传感器的电阻变化通过电桥转换成压力信号输出。电桥检测出电阻值的变化，经过放大后，再经过电压电流的转换，变换成相应的电流信号，该电流信号通过非线性校正环路的补偿，即产生了输入电压成线性对应关系的4～20mA的标准输出信号。为减小温度变化对芯体电阻值的影响，提高测量精度，压力传感器都采用温度补偿措施使其零点漂移、灵敏度、线性度、稳定性等技术指标保持较高水平。

高压压力控制器，用于控制高压压力或者说排气压力，在风冷式冷凝器风量不足或断风时，水冷式冷凝器水量不足或水温过高，甚至断水时，或其它原因致使高压压力超过压力控制器调定值时，控制器跳开，断开接触器的电路，使压缩机停机，保护系统，高压控制器的调定压力以制冷剂的种类及压缩机的性能有关。高压压力控制器一般比较高排气压力高0.1~0.2MPa左右。低压压力控制器，用于控制低压压力或者吸气压力。当系统缺少制冷剂，或者遇堵塞、忘开阀门，或者热负荷过低，及其它原因导致低压过低时，控制器起跳，断开接触器的电路，使压缩机停机保护压缩机不在过低压力下运转，提高系统运行的经济性。低压控制器的调定值一般都是通用的，即--0.1~--0.55MPa左右。上海中和温度控制器询价。

变磁阻式压力传感器主要部件是铁芯跟膜片。它们跟之间的气隙形成了一个磁路。当有压力的作用时，气隙大小的改变，即磁阻发生了变化。如果在铁芯线圈上加一定的电压，电流会随着气隙的变化而变化，从而测出的压力。在磁通密度高的场合，铁磁材料的导磁率不稳定，这种情况下可以采用变磁导式压力传感器测量。变磁导式压力传感器用一个可移动的磁性元件代替铁芯，压力的变化导致磁性元件的移动，从而磁导率发生改变，由此得出压力值。上海中和二位式压力控制器询价。上海防爆差压控制器

高压压力控制器和低压压力控制器的作用原理相同。上海防爆差压控制器

压阻压力传感器是指利用单晶硅材料的压阻效应和集成电路技术制成的传感器。单晶硅材料在受到力的作用后，电阻率发生变化，通过测量电路就可得到正比于力变化的电信号输出。它又称为扩散硅压阻压力传感器，它不同于粘贴式应变计需通过弹性敏感元件间接感受外力，而是直接通过硅膜片感受被测压力的。压阻压力传感器主要基于压阻效应（Piezoresistiveeffect）。压阻效应是用来描述材料在受到机械式应力下所产生的电阻变化。不同于压电效应，压阻效应只产生阻抗变化，并不会产生电荷。大多数金属材料与半导体材料都被发现具有压阻效应。其中半导体材料中的压阻效应远大于金属。由于硅是现今集成电路的主要原料，以硅制作而成的压阻性元件的应用就变得非常有意义。硅的电阻变化不单是来自与应力有关的几何形变，而且也来自材料本身与应力相关的电阻，这使得其程度因子大于金属数百倍之多。N型硅的电阻变化主要是由于其三个导带谷对的位移所造成不同迁移率的导带谷间的载子重新分布，进而使得电子在不同流动方向上的迁移率发生改变。其次是由于来自与导带谷形状的改变相关的等效质量(effectivemass)的变化。在P型硅中，此现象变得更复杂，而且也导致等效质量改变及电洞转换。上海防爆差压控制器

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