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江西30000W瞬态抑制二极管选型 上海来明电子供应

信息介绍 / Information introduction

PN结加反向电压时截止如果电源的正极接N区,负极接P区,外加的反向电压有一部分降落在PN结区,PN结处于反向偏置。则空穴和电子都向远离界面的方向运动,江西30000W瞬态抑制二极管选型,使空间电荷区变宽,电流不能流过,方向与PN结内电场方向相同,加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强,扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场作用下形成的漂移电流大于扩散电流,可忽略扩散电流,PN结呈现高阻性。在一定的温度条件下,由本征激发决定的少子浓度是一定的,故少子形成的漂移电流是恒定的,基本上与所加反向电压的大小无关,江西30000W瞬态抑制二极管选型,这个电流也称为反向饱和电流。PN结加正向电压时,江西30000W瞬态抑制二极管选型,呈现低电阻,具有较大的正向扩散电流;PN结加反向电压时,呈现高电阻,具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论:PN结具有单向导电性。TVS 的比较大峰值脉冲功耗PM 必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。江西30000W瞬态抑制二极管选型

这里说的TVS管包括防ESD用的小功率TVS管(本文简称ESD管)和防浪涌用的大功率TVS管(本文简称浪涌管)。这里说的浪涌测试标准指TVS器件规格书上标明的测试标准:IEC61000-4-2Level4ESDProtection——静电测试标准,必须通过,提供测试数据IEC61000-4-4Level4EFTprotection——部分厂家才会提供数据IEC61000-4-5(8/20us)——浪涌测试标准,必须通过,提供测试数据下面是安森美ESD5481MUT5G,用在一般信号线上的ESD管规格书提供的信息,人家一个小管子,完成了三个标准的测试。江西30000W瞬态抑制二极管选型SMA/DO-214AC封装的TVS一般有MAJ,P4SMA,TPSMAJ,SMA6J等系列。

选用技巧编辑播报1、确定被保护电路的比较大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“**”容限。2、TVS额定反向关断VWM应大于或等于被保护电路的最大工作电压。若选用的VWM太低,器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压,并行连接分电流。3、TVS的比较大箝位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。4、在规定的脉冲持续时间内,TVS的比较大峰值脉冲功耗PM必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。在确定比较大箝位电压后,其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。

TVS和齐纳稳压管都能用作稳压,但是齐纳击穿电流更小,大于10V的稳压只有1mA,相对来说要比齐纳二极管击穿电流要大不少,但是齐纳二极管稳压精度可以做的比较高。在电路中一般工作于反向截止状态,此时它不影响电路的任何功能。TVS在规定的反向应用条件下,当电路中由于雷电、各种电器干扰出现大幅度的瞬态干扰电压或脉冲电流时,它在极短的时间内(比较高可达到1×10-12秒)迅速转入反向导通状态,并将电路的电压箝位在所要求的安全数值上,从而有效的保护电子线路中精密元器件免受损坏。瞬态电压抑制二极管简称TVS,是一种二极管形式的高效能保护器件。

TVS主要用于对电路元件进行快速过电压保护。它能"吸收"功率高达数千瓦的浪涌信号。TVS具有体积小、功率大、响应快、无噪声、价格低等诸多优点,它的应用十分较多,如:家用电器;电子仪器;仪表;精密设备;计算机系统;通讯设备;RS232、485及CAN等通讯端口;ISDN的保护;I/O端口;IC电路保护;音、视频输入;交、直流电源;电机、继电器噪声的抑制等各个领域。它可以有效地对雷电、负载开关等人为操作错误引起的过电压冲击起保护作用,下面是几个TVS在电路应用中的典型例子。TVS若按封装及内部结构可分为:轴向引线二极管、双列直插TVS 阵列。江西30000W瞬态抑制二极管选型

TVS额定反向关断VWM 应大于或等于被保护电路的最大工作电压。江西30000W瞬态抑制二极管选型

根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同,利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管,利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管;利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管;利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管;利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器;利用光生伏***应可制成太阳电池。此外,利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大,振荡等多种电子功能。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的**,是现代电子技术的基础。在二级管中广泛应用。江西30000W瞬态抑制二极管选型

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