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陶瓷晶振结构陶瓷晶振结构的上盖是与基座同样的陶瓷材料，在上盖或基座的边缘另外加上高温高纯度的玻璃结合在一起：这种玻璃材料的热膨胀系数与陶瓷很接近的。基座材料则为93氧化铝瓷；表面是黑色，基座上覆盖着陶瓷紧密结合的金属层，也称之为陶瓷金属化。陶瓷晶振特性1.耐湿性好，不易产生微裂现象。2.热膨胀系数小，热导率高。3.高稳定性、抗干扰特性。4.热冲击实验和温度循环实验后不产生损伤，机械强度高。5.能有效地遮蔽可见光及极好的反射红外线（避光性好），可满足光学相关产品的低反射要求。6.芯片和电路不受周围环境影响，绝缘性和气密性好，其气密性能满足高密封的高要求。广西并联谐振型晶振相噪陶瓷晶振能有效地遮蔽可见光及极好的反射红外线（避光性好），可满足光学相关产品的低反射要求。

石英晶体谐振器（英文：quartzcrystalunit或quartzcrystalresonator，常被标识为Xtal，ExtenalCrystalOsillator，外部晶振器，因为晶振单元常常作为电路外接），简称石英晶体或晶振，是利用石英晶体（又称水晶）的压电效应，用来产生高精度振荡频率的一种电子元件，属于被动元件。该元件主要由石英晶片、基座、外壳、银胶、银等成分组成。根据引线状况可分为直插（有引线）与表面贴装（无引线）两种类型。当前常见的主要封装型号有HC-49U、HC-49/S、GLASS、UM-1、UM-4、UM-5与SMD。

标称频率。不同的晶振标称频率不同，标称频率大都标注在晶振外壳上。②负载电容。负载电容是指晶振的两条引线连接的集成电路（IC）内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。负载电容不同，振荡器的振荡频率不同。但标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。一般来说，有低负载电容（串联谐振晶体）和高负载电容（并联谐振晶体）之分。因此，标称频率相同的晶体互换时还必须要求负载电容一致，不能轻易互换，否则会造成电路工作不正常。压控晶体振荡器(VCXO)：通过施加外部控制电压使振荡频率可变或是可以调制的石英晶体振荡器。

陶瓷谐振器，一般习惯叫陶瓷晶振，但是它是以锆钛酸铅(PZT)分子式:Pb(Zr1-XTiX)O3为主要原料，将其加工成有压电效应的陶瓷材料。然后进行极化处理制作成陶瓷片。镀银后放入有弹性电极的壳内进行密封。陶瓷谐振器的精度一般为±300ppm~500ppm，应用在普通产品上，例如USB,玩具，硬盘，驱动等对精度要求不高的产品。石英晶振是对石英晶片施加压力，晶片上会产生电荷；反之，对晶片两端的电极施加电压时，晶体会产生机械变形。晶片的频率取决于晶片的切割，尺寸等因素。晶片的Q值越高，频率越稳定。石英晶振应用在仪器仪表，通信系统等。在振荡器中采用一个石英晶体，可以产生高度稳定的信号，这种采用石英晶体的振荡器称为晶体振荡器。四川塑料壳封装型晶振工作电压

按晶振类型可分为无源晶振（晶体谐振器）和有源晶振（晶体振荡器）。四川塑料壳封装型晶振工作电压

判断反馈电路的类型，因为信号是反馈到VT1发射极，现假设VT1发射极电压瞬时极性为“+”，集电极电压极性为“+”（发射极与集电极是同相关系，当发射极电压上升时集电极电压也上升），VT2的基极电压极性为“+”，发射极电压极性也为“+”，该极性的电压通过X1反馈到VT1的发射极，反馈电压极性与假设的电压极性相同，故该反馈为正反馈。接通电源后，三极管VT1、VT2导通，VT2发射极输出变化的Ie电流中包含各种频率的信号，石英晶体X1对其中的f0信号阻抗很小，f0信号经X1、RP1反馈到VT1的发射极，该信号经VT1放大后从集电极输出，又加到VT2放大后从发射极输出，然后又通过X1反馈到VT1放大，如此反复进行，VT2输出的f0信号幅度越来越大，VT1、VT2组成的放大电路放大倍数越来越小，当放大倍数等于反馈衰减系数时，输出f0信号幅度不再变化，电路输出稳定的f0信号。四川塑料壳封装型晶振工作电压

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