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甘肃超大功率瞬态抑制二极管失效 上海来明电子供应

信息介绍 / Information introduction

瞬态电压抑制二极管(Transient Voltage Suppressor)简称TVS广泛应用于计算机系统、通讯设备,甘肃超大功率瞬态抑制二极管失效、交/直流电源、汽车、电子镇流 器、家用电器、仪器仪表(电度表)、RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、数字照相机的保护、共模/差模保护、RF 耦合/IC 驱动接收保护,甘肃超大功率瞬态抑制二极管失效、电机电磁波干扰抑制、声频/视频输入,甘肃超大功率瞬态抑制二极管失效、传感器/变速 器、工控回路、继电器、天线,防雷模块,USB接口,HDMI接口,接触器噪音的抑制等各个领域。对于数据接口电路的保护,还必须注意选取具有合适电容C 的TVS 器件。甘肃超大功率瞬态抑制二极管失效

在规定的反向应用条件下,当承受一个高能量的瞬时过压脉冲时,其工作阻抗能立即降至很低的导通值,允许大电流通过,并将电压箝制到预定水平,从而有效地保护电子线路中的精密元器件免受损坏。TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦,其箝位响应时间*为1ps(10^-12S)。TVS允许的正向浪涌电流在T=25℃,T=10ms条件下,可达50~200A。双向TVS可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率,并把电压箝制到预定水平,双向TVS适用于交流电路,单向TVS一般用于直流电路。甘肃超大功率瞬态抑制二极管失效TVS 的比较大峰值脉冲功耗PM 必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。

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根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同,利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管,利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管;利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管;利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管;利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器;利用光生伏***应可制成太阳电池。此外,利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大,振荡等多种电子功能。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的**,是现代电子技术的基础。在二级管中广泛应用。P4KE、P6KE、1.5KE系列中的数字**击穿电压标称值(VBR)。

220V交流市电经整流滤波后变为高压直流供给开关变压器,此高压直流变化范围是240V~360V,而由于变压器漏感和引线电感的存在,关断过电压可以高达几千伏,功率开关管关断时难于同时承受这两种电压。综合考虑可以选用VWM等于200V左右的TVS,这样将关断过电压控制在300V以内,加上电源电压,功率开关管选用耐压为700V的管型即可。当功率开关管关断时,由于开关变压器线圈漏感的存在,会产生极高的反电势,有可能将功率开关管击穿。当在开关变压器一次侧并接上TVS管后,可以有效地吸收电压尖峰,保护功率开关管的安全,降低对功率开关管耐压的要求。当TVS 器件工作温度超过其比较大允许工作温度时,易发生短路失效且通常发生在pn 结表面。甘肃超大功率瞬态抑制二极管失效

TVS 的比较大箝位电压VC 应小于被保护电路的损坏电压。甘肃超大功率瞬态抑制二极管失效

热电击穿:当pn结施加反向电压时,流过pn结的反向电流要引起热损耗。反向电压逐渐增大时,对于一定的反向电流所损耗的功率也增大,这将产生大量热量。如果没有良好的散热条件使这些热能及时传递出去,则将引起结温上升。这种由于热不稳定性引起的击穿,称为热电击穿。击穿电压的温度特性:温度升高后,晶格振动加剧,致使载流子运动的平均自由路程缩短,碰撞前动能减小,必须加大反向电压才能发生雪崩击穿具有正的温度系数,但温度升高,共价键中的价电子能量状态高,从而齐纳击穿电压随温度升高而降低,具有负的温度系数。甘肃超大功率瞬态抑制二极管失效

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