激光二极管包括单异质结(SH)、双异质结(DH)和量子阱(QW)激光二极管。量子阱激光二极管具有阈值电流低,输出功率高的优点,是市场应用的主流产品。同激光器相比,激光二极管具有效率高、体积小、寿命长的优点,但其输出功率小(一般小于2mW),线性差、单色性不太好,使其在有线电视系统中的应用受到很大限制,不能传输多频道,高性能模拟信号。在双向光接收机的回传模块中,上行发射一般都采用量子阱激光二极管作为光源。半导体激光二极管的基本结构:垂直于PN结面的一对平行平面构成法布里——珀罗谐振腔,上海双向触发二极管型号,它们可以是半导体晶体的解理面,也可以是经过抛光的平面,上海双向触发二极管型号。其余两侧面则相对粗糙,用以消除主方向外其它方向的激光作用。二极管具有单向导电的特性,上海双向触发二极管型号,在正偏压下PN结导通,在导通状态下的电阻很小,约为几十至几百欧。上海双向触发二极管型号
稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中,前一种故障表现出电源电压升高;后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。正负极识别从外形上看,金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形,负极一端为半圆面形。塑封稳压二极管管体上印有彩色标记的一端为负极,另一端为正极。对标志不清楚的稳压二极管,也可以用万用表判别其极性,测量的方法与普通二极管相同,即用万用表R×1k档,将两表笔分别接稳压二极管的两个电极,测出一个结果后,再对调两表笔进行测量。在两次测量结果中,阻值较小那一次,黑表笔接的是稳压二极管的正极,红表笔接的是稳压二极管的负极。这里指的是指针式万用表。数字万用表由于测量电阻档所用电池与红黑表笔连接极性问题,测量二极管正负极结果与使用指针万用表结果相反,即测量结果较小那一次,黑笔接的是稳压二极管的负极,红表笔接的是稳压二极管的正极。上海双向触发二极管型号贴片二极管的封装类型有:SOD-123,SOD323,DO-214AA等。
高压SBD图2肖特基二极管长期以来,在输出12V~24V的SMPS中,次级边的高频整流器只有选用100V的SBD或200V的FRED。在输出24V~48V的SMPS中,只有选用200V~400V的FRED。设计者迫切需要介于100V~200V之间的150VSBD和用于48V输出SMPS用的200VSBD。近两年来,美国IR公司和APT公司以及ST公司瞄准高压SBD的巨大商机,先后开发出150V和200V的SBD。这种高压SBD比原低压SBD在结构上增加了PN结工艺,形成肖特基势垒与PN结相结合的混合结构,如图2所示。采用这种结构的SBD,击穿电压由PN结承受。通过调控N-区电阻率、外延层厚度和P+区的扩散深度,使反偏时的击穿电压突破了100V这个长期不可逾越的障碍,达到150V和200V。在正向偏置时,高压SBD的PN结的导通门限电压为,而肖特基势垒的结电压*约,故正向电流几乎全部由肖特基势垒供给。
通常用肖特基二极管作为防反二级管。肖特基二极管,是功耗低、超高速的半导体器件。其*****特点是反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降。其主要用于高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在变频器、通信电源等应用中比较常见。插件二极管封装类型有:DO-27、TO-252、DO-41、DO-15、DO-201、R-6、DO-35、DO-41G、TO-220AB等。贴片二极管封装类型有:SOD-523SOT-416SOD-323SOT-323SOT-343SOT-353SOT-363SOT-23SOT-346SC-61ASC-74ASOT-457SOD-123。DO-213AA(LL-34)SOD-106DO-214ACDO-213ABDO-214DO-214AADO-214AB。 肖特基二极管又称肖特基势垒二极管(简称 SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。
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硅开关二极管的反向恢复时间只有几纳秒,即使是锗开关二极管,也不过几百纳秒。上海双向触发二极管型号
—稳定电压指稳压管通过额定电流时两端产生的稳定电压值。该值随工作电流和温度的不同而略有改变。由于制造工艺的差别,同一型号稳压管的稳压值也不完全一致。例如,2CW51型稳压管的Vzmin为,Vzmax则为。—反向漏电电流指稳压管产生稳定电压时通过该管的电流值。低于此值时,稳压管虽然也能稳压,但稳压效果会变差;高于此值时,只要不超过额定功率损耗,也是允许的,而且稳压性能会好一些,但要多消耗电能。—动态电阻指稳压管两端电压变化与电流变化的比值。该比值随工作电流的不同而改变,一般是工作电流愈大,动态电阻则愈小。例如,2CW7C稳压管的工作电流为5mA时,Rz为18Ω;工作电流为10mA时,Rz为8Ω;工作电流为20mA时,Rz为2Ω;工作电流>20mA则基本维持此数值。—额定功耗由芯片允许温升决定,其数值为稳定电压Vz和允许最大电流Izm的乘积。例如2CW51稳压管的Vz为3V,Izm为20mA,则该管的Pz为60mW。上海双向触发二极管型号
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