SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**强的器件。当阳极出现PositiveESDPulse时，Nwell/Pwell结发生雪崩击穿，击穿产生的电子电流和空穴电流分别流过电阻RNw和Rpw，使PNP器件和NPN器件开启，USB3.0接口ESD保护元件参数，阳极的P+注入大量空穴，阴极的N+注入大量电子，注入的空穴成为NPN器件的基极电流，注入的电子成为PNP器件的基极电流，正反馈过程得以形成，使Nwell和Pwell均出现强烈的电导调制效应，继而降低器件两端的压降。因此，SCR器件的维持电压往往很低，USB3，USB3.0接口ESD保护元件参数.0接口ESD保护元件参数，并由此导致其抗ESD能力非常强，微分电阻也非常小。在阳极出现NegativeESDPulse时，电流可通过正偏的阴极P+/阳极N+释放。ESD静电保护元件一般并联在电流中使用。USB3.0接口ESD保护元件参数

Resistor不单独用于芯片的ESD保护，它往往用于辅助的ESD保护，如芯片Input***级保护和第二级保护之间的限流电阻。当ESD电流过大，***级ESD器件难以将电压钳位至安全区域时，第二级ESD器件的导通将使其与电阻分压，从而进一步降低进入内部电路的电压。又如用于GG-NMOS的栅电阻，如图6所示，NMOS的栅极通过一电阻接地，而非直接接地。如此一来，在NMOS漏端发生正向的ESD脉冲时，由于NMOS的漏一栅电容，会使得器件的栅极耦合出一正的电势，该电势会促使NMOS的沟道开启，从而起到降低NMOS在ESD应力下触发电压的目的。重庆天线接口ESD保护元件参数静电源控制，绝缘材料的静电通过连接地和等电位连接无法消除，因此必须对敏感器件周边进行静电源控制。

ESD策略，ESD防护电路的主要功能是尽量在接口位置把ESD脉冲泻放到地，使传送到被保护器件的ESD脉冲能量比较低，同时要求防护电路对正常工作信号的损耗和失真**小。因此设计ESD防护电路的基本指导思想是:对ESD信号来说，接口输入点和地之间的并联阻抗要尽量小，而接口输入点和被保护器件之间的串联阻抗要尽量大;对工作信号来说，接口输入点和地之间的并联阻抗要尽量大，而接口输入点和被保护器件之间的串联阻抗要尽量小。**的电浪涌防护器件主要有压敏电阻MOV气体放电管GDT 瞬态电压抑制二极管TVS半导体闸流管瞬态抑制器件TSS、快速开关二极管等。

高频信号接口的ESD防护电路设计主要是致力于降低防护电路的并联结电容和串联电感，并要求防护器件有ns级的响应速度。在GHz以下的电路中选用低容值TVS和低容值快速开关二极管是比较廉价的方案，在GHz以上的电路中选用LC高通滤波器会有更加理想的ESD防护效果。ESD防护电路的防护能力与选用的防护器件、被保护器件的ESD敏感度、电路结构形式、布线等因素密切相关，一般无法直接确定一个防护电路单元的防护能力，必须把防护电路单元和被保护的具体电路作为一个整体并按照标准IEC61000-4-2的测试方法进行测试，以确定一个实际电路的防护效果。静电干扰电流的放电路径主要有两条:一条通过外壳流向大地，另一条通过内部PCB流向大地。

ESD防护电路对高频信号质量的影响与改进。ESD防护电路的引入会影响电路的信号传输质量，使信号的时延、频响、电平等发生变化。在高频电路中，防护电路引起电路参数的改变而影响电路的阻抗匹配，防护器件的导通特性也会引起信号的衰减、畸变、限幅等效应。防护器件的结电容、箱位电压(成导通电压)是影响高频信号质量的关键因素。信号频率高于1GHz时，直接采用TVS和开关二极管作ESD防护，其结电容很难满足线路信号质量的要求，此时需要采用降低防护电路并联结电容的措施或采用LC高通滤波器结构。ESD防护主要采用“过压防护”的原理，通过隔离电路、钳位电路、衰减电路等方式降低ESD的冲击电压。USB3.0接口ESD保护元件参数

IEC61000-4-2是系统级静电测试常用的测试标准。USB3.0接口ESD保护元件参数

人体静电电压比较高可达约50kV以下，因为当存在连续起电过程时，由于电荷泄漏和放电，使得人体比较高电位得以被限制。2、一般生活中，在不同湿度条件下，人体活动产生的静电电位有所不同。在干燥的季节，人体静电可达几千伏甚至几万伏。3、产生原因：人体静电是由于人的身体上的衣物等相互摩擦产生的附着于人体上的静电。静电的产生是由于原子核对外层电子的吸引力不够，从而在摩擦或其它因素的作用下失去电子，于是造成摩擦物带负电荷。在摩擦物绝缘性能比较好的情况下，这些电荷无法流失，就会聚集起来。并且由于绝缘物的电容性极差，从而造成虽然电荷量不大但电压很高的状况。USB3.0接口ESD保护元件参数

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