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深圳菲涅尔透镜 焦距 深圳市芯华利实业供应

信息介绍 / Information introduction

人们初次使用菲涅尔透镜是在18世纪初,当时它被用在灯塔的探照灯上,聚焦射出来的光束。当人们需要一面又薄又轻的透镜时,深圳菲涅尔透镜 焦距,塑料菲涅尔透镜便派上了用场。尽管成像质量不如玻璃透镜,但是在很多应用中我们并不需要完美的图像质量。菲涅尔透镜的原理基于菲涅尔波带片,菲涅尔波带片具有类似透镜的作用,它可以使入射光汇聚起来,产生极大的光强。菲涅尔透镜的分类:a)正菲涅尔透镜:光线从一侧进入,经过菲涅尔透镜在另一侧出来聚焦成一点或以平行光射出。焦点在光线的另一侧,深圳菲涅尔透镜 焦距,深圳菲涅尔透镜 焦距,并且是有限共轭。这类透镜通常设计为准直镜(如投影用菲涅尔透镜,放大镜)以及聚光镜(如太阳能用聚光聚热用菲涅尔透镜。b)负菲涅尔透镜:和正焦菲涅尔透镜刚好相反。菲涅尔透镜模具24小时服务客服电话。深圳菲涅尔透镜 焦距

每个亚波长结构具有大约λ/2的厚度,其中,λ是该vcsel结构的峰值输出波长。示例30包括示例23至29中任一项的主题,还包括在衬底的表面上的多个vcsel结构,其中,多个vcsel结构中的每个vcsel结构包括多个亚波长结构。示例31包括示例23至30中任一项的主题,其中,多个亚波长结构包括具有基部和顶部的至少一个亚波长结构,其中,基部比顶部宽。示例32包括示例23至31中任一项的主题,其中,多个亚波长结构包括具有基部和顶部的至少一个亚波长结构,其中,基部比顶部窄。示例33是一种布置在光学设备上的亚波长结构。该亚波长结构包括芯材和在芯材的一个或多个表面上的壳材。芯材具有***折射率并且具有比光源的峰值输出波长小的尺寸。壳材具有大于***折射率的第二折射率。示例34包括示例33的主题,其中,芯材是圆柱状结构。示例35包括示例34的主题,其中,芯材和壳材具有在λ/10到λ/5之间的直径,其中,λ是光源的峰值输出波长。示例36包括示例33至35中任一项的主题,其中,壳材具有小于5nm的厚度。示例37包括示例33至36中任一项的主题,其中,壳材包括氧化钛,并且芯材包括氮化硅。示例38包括示例33至37中任一项的主题,其中,壳材*在芯材的侧壁上。深圳菲涅尔透镜 焦距菲涅尔透镜光学助降系统怎么样?

图3示出了根据实施例的光源202或者光源202的至少一部分的自顶向下的视图。光源202包括衬底302,该衬底具有布置在衬底302的表面上的多个vcsel结构304。在一些实施例中,衬底302可以是:包括第iv族半导体材料(例如,si、ge、sige)、第iii-v族半导体材料(例如,gaas、gaassb、gaasin)、和/或根据本公开将明白的任何一种或多种其他适当材料的大块衬底;绝缘体上的x(xoi)结构,其中,x是前述材料(例如,第iv和/或iii-v族半导体材料)之一,绝缘体材料是氧化物材料或介电材料或者一些其他电绝缘材料,从而xoi结构包括两个半导体层之间的电绝缘材料层;或者一些其他适当的多层结构,其中,顶层包括前述半导体材料(例如,第iv和/或iii-v族半导体材料)之一。这里使用的“第iv族半导体材料”(或“第iv族材料”或统称“iv”)在包括至少一种第iv族元素(例如,硅、锗、碳、锡),例如,硅(si)、锗(ge)、硅锗(sige)等。这里使用的“第iii-v族半导体材料”(或“第iii-v族材料”或统称“ii-v”)包括至少一种第iii族元素(例如,铝、镓、铟)和至少一种第v族元素(例如,氮、磷、砷、锑、铋),例如,砷化镓(gaas)、砷化镓铟(ingaas)、砷化铝铟(inalas)、磷化镓(gap)、锑化镓(gasb)、磷化铟。

并且可以被用来重建物体104的3d表示。发射的辐射106和接收的辐射108可以是具有在大约400nm到大约700nm的范围中的波长的可见光。在另一示例中,发射的辐射106和接收的辐射108包括具有在大约700nm到大约1400nm的范围中的波长的近红外辐射。在一个示例中,发射的辐射106和接收的辐射108均包括在大约935nm到大约945nm范围中的波长。图2示出了根据实施例的光投影仪系统102的各种组件。光投影仪系统102包括光源202、透镜204、检测器206、深度确定电路208、源驱动器电路210、以及处理器212。光源202可以被设计为生成辐射106并向物体发射辐射106。光源202可以是用于生成辐射106的包括一个或多个激光二极管或激光腔的激光源。根据实施例,激光源202包括用于生成辐射106的多个vcsel。多个vcsel可以被布置在诸如硅或其他半导体衬底之类的衬底上,如将参考图3更详细地描述的。透镜204可以表示用于收集接收辐射108并且向检测器206引导接收的辐射的任意数目的透镜元件,如根据本公开将明白的。检测器206接收辐射108,并且将接收的辐射转换为发送给深度确定电路208的电信号。检测器206可以是电荷耦合装置(ccd)或者可以使用互补金属氧化物半导体(cmos)阵列来收集辐射。菲涅尔透镜投影仪生产厂家订制价格。

因此使用词语“顶”并不将该层限制到任何具体的空间或几何关系。本文描述的任意vcsel结构可以包括用于操控光输出的一个或多个元原子800。应该理解的是,为了清楚起见*示出了单个元原子,但是任意数目的元原子可以被图案化在顶层802上。尽管在本实施例中示出了圆柱形状,但是任意形状可以用于元原子800。元原子800可以具有基于来自vcsel的发射光的峰值波长的直径。例如,元原子800可以具有范围在λ/10到λ/5之间的总直径。类似地,元原子800的总厚度取决于来自vcsel的发射光的峰值波长。例如,元原子800可以具有大约λ/2的厚度。芯材804可以是具有相对较低的折射率但是高沉积速率的材料,因此提高了制造元原子800时的吞吐量。例如,芯材804可以是氮化硅(si3n4),并且可以使用化学气相沉积(cvd)或物***相沉积(pvd)技术沉积。随后可以使用标准等离子体蚀刻工艺对所沉积的氮化硅层进行蚀刻,以形成每个元原子800的芯材804。壳材806可以是具有相对较高的折射率(或者至少比芯材804的折射率高)的材料。例如,诸如氧化钛(tio2)或硅之类的材料可被用于壳材806,并且可以通过使用原子层沉积(ald)技术来非常薄地沉积。ald允许壳材806以非常薄的厚度共形地覆盖芯材804的外表面上。例如。菲涅尔透镜自制投影仪厂家直销。深圳菲涅尔透镜 焦距

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