此外，这种工作机理让eFuse IC在过流检测精度以及“熔断”时间上，也都超过了传统物理熔断器的表现。这可以说是eFuse IC带给我们的一个“想不到”。 图2：TCKE8xx系列eFuse IC系统框图（图源：Toshiba） 第二个“想不到”的地方是，除了传统意义上的“熔断”保护，eFuse IC还提供了其他一系列电路保护功能，它们包括： 提供电流钳位和电压钳位模式，通过将电流和电压钳制在额定值上，既能防止发生过流和过压，保护电路，又能维持电路的供电。 提供过热保护和短路保护功能，在发生严重过热或意外短路现象时，能立即切断电源，起到保护电路的作用。 通过与外部的MOSFET配合使用，eFuse IC还可提供反向电流阻断功能。 可调节浪涌电流压摆率，有效防止浪涌电流冲击，上海私人熔断器。熔断器的熔断是一次性的，上海私人熔断器，上海私人熔断器，断路器是电路中的电流突然加大，超过断路器的负荷时，会自动断开。上海私人熔断器

    安秒特性：熔断器的动作是靠熔体的熔断来实现的，熔断器有个非常明显的特性，就是安秒特性。对熔体来说，其动作电流和动作时间特性即熔断器的安秒特性，也叫反时延特性，即：过载电流小时，熔断时间长；过载电流大时，熔断熔断器（图6）时间短。对安秒特性的理解，我们从焦耳定律上可以看到Q=I2*R*T，串联回路里，熔断器的R值基本不变，发热量与电流I的平方成正比，与发热时间T成正比，也就是说：当电流较大时，熔体熔断所需的时间就较短。而电流较小时，熔体熔断所需用的时间就较长，甚至如果热量积累的速度小于热扩散的速度，熔断器温度就不会上升到熔点，熔断器甚至不会熔断。所以，在一定过载电流范围内，当电流恢复正常时，熔断器不会熔断，可继续使用。因此，每一熔体都有一小熔化电流。相应于不同的温度，小熔化电流也不同。虽然该电流受外界环境的影响，但在实际应用中可以不加考虑。 海南熔断器哪家好熔断器按其结构形式有插入式、螺旋式、有填料密封管式、无填料密封管式等。

1. 快速短路保护 短路保护功能是为了防止电源线或负载因某些错误而发生短路时电流过大。由于TCKE8xx系列eFuse IC采用了超高速短路保护技术，在短路发生后，当输出电流达到过电流极限（ILIMIT）的1.6倍时（也称为“快速跳闸”或“短路跳闸”），将被判断为短路，电流会在150ns（典型值）内下降至接近零。图4中显示了当eFuse IC以12V电源供电，突发短路情况时理想状态下的仿真波形。这一特性对于确保电子线路和设备的可靠性和稳健性非常必要。 图4：eFuse IC快速短路保护特性（图源：Toshiba） 2. 高精度过电流保护 eFuse IC的过电流保护功能是指当输出电流因负载异常或短路而突然增加时，将输出电流保持在不超过过电流上限值（ILIMIT）的功能，也将输出电压控制在后级集成电路的击穿电压范围内，这样可以防止系统瞬时断电，同时保护设备不会因为发热而老化或损坏。

不一样的熔断器 先从工作原理上来讲。传统的熔断器——比如玻璃管熔断器和芯片熔断器等——其工作机理是通过自身物理上的不可逆的变化（熔化）来切断电路。这类熔断器的缺点很明显：分断电流不确定，熔断时间慢，熔断器每次工作——即被电流破坏——后都需要进行更换。 而所谓电子熔断器eFuse IC，它的工作机理与传统熔断器不同——当电流过大时，eFuse IC是通过关闭内置MOSFET来切断电流路径，起到保护的作用。这个过程中，器件内部并没有不可逆的物理损坏，这也就意味着在每次分断电路工作后，它还可以经过重置来重复使用，而无需更换，从而有效降低系统维护时间和成本。插入式熔断器 插人式熔断器又称瓷插式熔断器，指熔断体靠导电插件插人底座的熔断器。

通常选用铅锡合金熔体的RQA系列熔断器。对于较大容量的电动机和照明干线，则应着重考虑短路保护和分断能力。通常选用具有较高分断能力的RM10和RL1系列的熔断器；当短路电流很大时，宜采用具有限流作用的RT0和RTl2系列的熔断器 熔体的额定电流可按以下方法选择： 1、保护无起动过程的平稳负载如照明 线路、 电阻、 电炉等时，熔体额定电流略大于或等于负荷电路中的额定电流。 2、保护单台长期工作的电机熔体电流可按比较大起动电流选取，也可按下式选取： IRN ≥ (1.5～2.5)IN 式中IRN--熔体额定电流；IN-- 电动机额定电流。如果电动机频繁起动，式中系数可适当加大至3～3.5，具体应根据实际情况而定。 3、保护多台长期工作的电机（供电干线） IRN ≥ (1.5～2.5)IN max+ΣIN IN max-容量比较大单台电机的额定电流。封闭式熔断器：封闭式熔断器分有填料熔断器和无填料熔断器两种。质量熔断器制定

熔断器的熔体从构成材料上，分为低熔点熔体与高熔点熔体。上海私人熔断器

电容器开关设备保护： 在电容器开关设备中，熔断器推存作短路保护，所选择的熔断器的额定电流不得小于电容器额定电流的1.6倍。 END 半导体器件保护熔断器选用 额定电压： 快速熔断器的额定电压UN应稍大于快速熔断器熔断后两端出现的故障电路的外加交流电压。若半导体设备的负荷是有源逆变器、逆变型制动的电动机等逆变型负载时，应考虑半导体器件失控等引起设备直流侧短路的可能性，此时快速熔断器熔断时，熔片两端交流电压与直流电压叠加现象，快速熔断器的额定电压应按下式计算：UN ≥Uac+Udo×1/√2 式中：Uac：快速熔断器熔断后外加交流电压;Udo：半导体设备负载端逆变型直流电压。上海私人熔断器

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