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黄浦区纳米精度激光干涉仪 上海岱珂机电设备供应

信息介绍 / Information introduction

电压影响

1 当电压自额定值偏离±10%(对比率表和由化学电源和交流电网作供电电源的兆欧表)、±15%(对整流系仪表和钳形表)或±20%(对其它仪表)时,由此引起仪表指示值的改变应不超过规定值。仪表辅助电路用电源、由内附手摇发电机作供电电源的兆欧表,当其电压自额定值偏离±10%时,指示值改变应不超过表7 规定值的一半。指示值改变的表示方法与基本误差表示方法相同。试验在标度尺的几何中心附近和上量限附近的两点进行,整步表在同步点进行。如果在仪表上注明额定电压范围,黄浦区纳米精度激光干涉仪,黄浦区纳米精度激光干涉仪,则在此范围内的任一电压下,黄浦区纳米精度激光干涉仪,仪表基本误差应不超过规定值。

2 检验电压影响时应遵守有关规定(对电压的规定除外),且应除去变差影响(可轻敲表壳)。检验相位表和功率因数表时,在额定电流下进行;检验功率表时在额定功率因数下进行。 虽然加速度计可用于测量频率> ~20 Hz @ 10 kHz的镜像虚拟仪。黄浦区纳米精度激光干涉仪

1、一次线圈串联在电路中,并且匝数很少,因此,一次线圈中的电流完全取决于被测电路的负荷电流.而与二次电流无关;2、电流互感器二次线圈所接仪表和继电器的电流线圈阻抗都很小,所以正常情况下,电流互感器在近于短路状态下运行。电流互感器一、二次额定电流之比,称为电流互感器的额定互感比:kn=I1n/I2n因为一次线圈额定电流I1n己标准化,二次线圈额定电流I2n统一为5(1或0.5)安,所以电流互感器额定互感比亦已标准化。kn还可以近似地表示为互感器一、二次线圈的匝数比,即kn≈kN=N1/N2式中N1.N2为一、二线圈的匝数。黄浦区纳米精度激光干涉仪在环境条件下悬臂的共振频率,不施加压电致动器的任何振荡。

一次绕组可调,二次多绕组电流互感器。这种电流互感器的特点是变比量程多,而且可以变更,多见于高压电流互感器。其一次绕组分为两段,分别穿过互感器的铁心,二次绕组分为两个带抽头的、不同准确度等级的独自绕组。一次绕组与装置在互感器外侧的连接片连接,通过变更连接片的位置,使一次绕组形成串联或并联接线,从而改变一次绕组的匝数,以获得不同的变比。带抽头的二次绕组自身分为两个不同变比和不同准确度等级的绕组,随着一次绕组连接片位置的变更,一次绕组匝数相应改变,其变比也随之改变,这样就形成了多量程的变比。

电力系统为了传输电能,往往采用交流电压、大电流回路把电力送往用户,无法用仪表进行直接测量。互感器的作用,就是将交流电压和大电流按比例降到可以用仪表直接测量的数值,便于仪表直接测量,同时为继电保护和自动装置提供电源。电力系统用互感器是将电网高电压、大电流的信息传递到低电压、小电流二次侧的计量、测量仪表及继电保护、自动装置的一种特殊变压器,是一次系统和二次系统的联络元件,其一次绕组接入电网,二次绕组分别与测量仪表、保护装置等互相连接。互感器与测量仪表和计量装置配合,可以测量一次系统的电压、电流和电能;与继电保护和自动装置配合,可以构成对电网各种故障的电气保护和自动控制。互感器性能的好坏,直接影响到电力系统测量、计量的准确性和继电器保护装置动作的可靠性。样品和细胞的扩张/收缩 长度相对变化(ΔL)。

薄膜型半导体应变片

这种应变片是利用真空沉积技术将半导体材料沉积在带有绝缘层的试件上或蓝宝石上制成的。它通过改变真空沉积时衬底的温度来控制沉积层电阻率的高低,从而控制电阻温度系数和灵敏度系数。因而能制造出适于不同试件材料的温度自补偿薄膜应变片。薄膜型半导体应变片吸收了金属应变片和半导体应变片的优点,并避免了它的缺点,是一种较理想的应变片。

外延型半导体应变片

这种应变片是在多晶硅或蓝宝石的衬底上外延一层单晶硅而制成的。它的优点是取消了P-N结隔离,使工作温度大为提高(可达300℃以上)。 摆动,θx(Φ)和θy(Φ),它是通过组合两个XY-跳动误差水平计算出来的。 其中Φ是围绕Z轴的样本旋转。上海皮米精度激光干涉仪

能够测量液体的表面运动,开启了在各科学和工业领域实现独特应用的可能性。黄浦区纳米精度激光干涉仪

双频激光干涉仪:在氦氖激光器上,加上一个约0.03特斯拉的轴向磁场。由于塞曼分裂效应和频率牵引效应,激光器产生1和2两个不同频率的左旋和右旋圆偏振光。双频激光干涉仪是应用频率变化来测量位移的,这种位移信息载于f1和f2的频差上,对由光强变化引起的直流电平变化不敏感,所以抗干扰能力强。它常用于检定测长机、三坐标测量机、光刻机和加工中心等的坐标精度,也可用作测长机、高精度三坐标测量机等的测量系统。利用相应附件,还可进行高精度直线度测量、平面度测量和小角度测量。黄浦区纳米精度激光干涉仪

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