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信息介绍 / Information introduction

    在延迟荧光掺杂剂“td”和磷光掺杂剂“pd”中产光。换言之,当eml150包含延迟荧光掺杂剂152并且包含特定重量百分比条件(例如不大于5重量%)的磷光掺杂剂154时,广州肖特基 二极管专卖店,延迟荧光掺杂剂152和磷光掺杂剂154二者都参与发光,使得oledd1的色彩连续性得到改善。[oled]将阳极(ito,)、hil(式9,)、htl(式10,)、ebl(式11,)、eml(基质(式12)和掺杂剂)、hbl(式13,)、etl(式14,),广州肖特基 二极管专卖店、eil(lif)和阴极(al)顺序堆叠以形成oled。1.比较例1(ref1)使用式15的延迟荧光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质:70重量%,掺杂剂:30重量%)2,广州肖特基 二极管专卖店.比较例2(ref2)使用式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质:95重量%,掺杂剂:5重量%)3.实施例1(ex1)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质:65重量%,延迟荧光掺杂剂:30重量%,磷光掺杂剂:5重量%)4.实施例2(ex2)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质:67重量%,延迟荧光掺杂剂:30重量%,磷光掺杂剂:3重量%)5.实施例3(ex3)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质:69重量%,延迟荧光掺杂剂:30重量%,磷光掺杂剂:1重量%)6.实施例4。捷捷微肖特基二极管原装现货。广州肖特基 二极管专卖店

    阵列探测器的性能受到严重影响,制约其阵列规模。目前,可通过调节apd偏置电压的方法来提高阵列探测器性能的均匀性。传统方案采用dac(digitaltoanalogconverter,数模转换器)和ldo(lowdropoutregulator,低压差线性稳压器)结构相结合的调节方式来调节apd的偏置电压,即dac产生同时调节数个像素的基准电压作为ldo中误差放大器的输入,随后ldo结构根据dac提供的基准电压来实现apd偏置电压的调节。但是这种调节方式中ldo面积大且不能实现单个像素的调节,此外ldo有限的带宽较难实现apd快速充放电过程中的电压稳定性。技术实现要素:针对传统apd偏置电压调节方式中存在的面积大、不能实现单个像素的调节、电压稳定性不高等不足之处,本发明提出一种调节雪崩光电二极管apd偏置电压的方法,基于负压进行调节,扩大了apd偏置电压的调节范围,且能够实现逐像素可调的apd充电置位电压,有利于提升apd阵列的探测灵敏度,且具有面积小、响应速度快、电压准确度高等优点。本发明的技术方案为:基于负压调节的雪崩光电二极管偏压调节电路,包括像素外偏置电压产生模块和像素内偏压调节模块。揭阳二极管公司强茂车规级二极管原装现货。

    一pmos管mp1和三pmos管mp3用于产生一电流镜单元偏置电压和二电流镜单元偏置电压。像素外偏置电压产生模块包括运放钳位和产生电流镜偏置两部分,运放钳位部分包括一运算放大器op1、二运算放大器op2、一电阻r1、二电阻r2、二pmos管mp2、四pmos管mp4。一运算放大器op1的正相输入端接基准电压vref,反相输入端接二pmos管mp2的源极即a点,a点通过运放钳位产生步进电压,步进电压的值通过基准电压vref设置,基准电压vref的大小即为想要实现的步进电压的值,一些实施例中基准电压vref和基准电流iref可由同一个带隙基准产生。二运算放大器op2的正相输入端接地,反相输入端接四pmos管mp4的源极即b点,b点通过运放钳位产生0v电压。产生电流镜偏置部分包括一pmos管mp1、三pmos管mp3,一pmos管mp1和三pmos管mp3分别与像素内偏压调节模块内的一电流镜单元和二电流镜单元构成电流镜结构,将流过一pmos管mp1和三pmos管mp3的电流进行镜像。像素内偏压调节模块包括一电流镜单元、二电流镜单元、三电阻r3和五pmos管mp5,一电流镜单元用于将流过一pmos管mp1的电流按比例镜像,二电流镜单元用于镜像流过三pmos管mp3的电流。

    r1至r15各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺。14.根据实施方案13所述的有机发光二极管,其中所述基质选自式8:[式8]15.根据实施方案1所述的有机发光二极管,还包括:包含蓝色掺杂剂并布置在所述发光材料层与所述第二电极之间的第二发光材料层;和在所述发光材料层与所述第二发光材料层之间的电荷生成层。16.根据实施方案15所述的有机发光二极管,还包括:包含第二蓝色掺杂剂并布置在所述电极与所述发光材料层之间的第三发光材料层;和在所述发光材料层与所述第三发光材料层之间的第二电荷生成层。17.根据实施方案15所述的有机发光二极管,还包括:包含第二延迟荧光掺杂剂和第二磷光掺杂剂并布置在所述第二发光材料层与所述第二电极之间的第三发光材料层;以及在所述第二发光材料层与所述第三发光材料层之间的第二电荷生成层。18.根据实施方案17所述的有机发光二极管,其中所述第二延迟荧光掺杂剂为绿色掺杂剂,以及所述第二磷光掺杂剂为红色掺杂剂。19.根据实施方案18所述的有机发光二极管,其中所述第二磷光掺杂剂相对于所述第二延迟荧光掺杂剂的重量百分比在%至%的范围内。华南乐山二极管代理商公司。

    在这种情况下,半导体层可以包含非晶硅。尽管未示出,但是栅极线和数据线彼此交叉以限定像素区域,并且形成切换tft以与栅极线和数据线连接。切换tft与作为驱动元件的tfttr连接。此外,还可以形成电力线,所述电力线可以形成为与栅极线和数据线中的一者平行并间隔开;和用于在一帧中保持tfttr的栅极电极的电压的存储电容器。形成有钝化层350以覆盖tfttr,钝化层350包括暴露tfttr的漏电极342的漏极接触孔352。在各像素中单独形成有电极220,电极220通过漏极接触孔352与tfttr的漏电极342连接。电极220可以为阳极,并且可以由具有相对高的功函数的导电材料形成。例如,电极220可以由透明导电材料例如ito或izo形成。可以在电极220下方形成反射电极或反射层。例如,反射电极或反射层可以由铝-钯-铜(apc)合金形成。在钝化层350上形成有堤层360以覆盖电极220的边缘。即,堤层360被定位在像素的边界并且暴露像素中的电极220的中心。堤层360可以省略。在电极220上形成有有机发光层290。参照图5,有机发光层290包括发光部分250,发光部分250包括有eml240;和第二发光部分270,第二发光部分270包括有第二eml260。例如。乐山肖特基二极管原装现货。北京乐山无线电二极管哪家公司好

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    第二延迟荧光掺杂剂562可以由式1或式3表示,第二磷光掺杂剂564可以由式5表示。第二磷光掺杂剂564相对于第二延迟荧光掺杂剂562的重量百分比等于或小于约5%。例如,第二磷光掺杂剂564相对于第二延迟荧光掺杂剂562的重量百分比可以在约%至%,推荐地约%至%的范围内。尽管未示出,但是第三eml560还可以包含基质。基质可以在第三eml560中具有约50%至80%的重量百分比,并且可以由式7-1或式7-2表示。eml520的基质和第三eml560的基质可以相同或不同。cgl580被定位在发光部分530与第二发光部分550之间,第二cgl590被定位在第二发光部分550与第三发光部分570之间。即,发光部分530和第二发光部分550通过cgl580彼此连接,第二发光部分550和第三发光部分570通过第二cgl590彼此连接。cgl580和第二cgl590各自可以为p-n结型cgl。cgl580包括n型cgl582和p型cgl584,第二cgl590包括n型cgl592和p型cgl594。在cgl580中,n型cgl582被定位在etl536与第二htl552之间,p型cgl584被定位在n型cgl582与第二htl552之间。在第二cgl590中,n型cgl592被定位在第二etl554与第三htl572之间,p型cgl594被定位在n型cgl592与第三htl572之间。在oledd4中。广州肖特基 二极管专卖店

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