平面型二极管：在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上光选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用，广东双向触发二极管原理。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN结合的表面，广东双向触发二极管原理，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型，广东双向触发二极管原理。较初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。二极管使用中不要超过二极管整流电流值。广东双向触发二极管原理

光电二极管的主要部分是P-N结，和普通的二极管一样，P-N结属于单向导电的非线性元件，在P-N结中存在一个从N区指向P区的内电场E。在热平衡的条件下(无光照下)，多数载流子(N区的电子和P区的空穴)的扩散作用与少数载流子(N区的空穴和P区的电子)的漂移作用相互抵消，没有净电荷通过P-N结。有光照射在P-N结及附近区域时，如果照射的光子有足够大的能量，那么就会在P-N结及附近区域产生少数光生载流子。少数光生载流子靠扩散作用进入P-N结区，并在内电场E的作用下，电子漂移到N区，空穴漂移到P区，使N区带负电荷，P区带正电荷，进而产生附加电势，我们把这个电势叫做光生电动势。 当有外加偏压，且外加偏压方向与P一结内电场 一致时，光生载流子在势垒区电场作用下漂移过P-N结，形成导电电流。常用二极管市场报价二极管在20世纪20年代由热离子二极管所取代。

二极管的分类：发光二极管是一种将电能直接转换成光能的半导体固体显示器件，简称LED(Light Emitting Diode)。和普通二极管相似，发光二极管也是由一个PN结构成。发光二极管的PN结封装在透明塑料壳内，外形有方形、矩形和圆形等。发光二极管的驱动电压低、工作电流小，具有很强的抗振动和冲击能力、体积小、可靠性高、耗电省和寿命长等优点，普遍用于信号指示等电路中。在电子技术中常用的数码管，发光二极管的原理与光电二极管相反。当发光二极管正向偏置通过电流时会发出光来，这是由于电子与空穴直接复合时放出能量的结果。它的光谱范围比较窄，其波长由所使用的基本材料而定。

二极管VD1温度补偿电路分析利用二极管的管压降温度特性可以正确解释VD1在电路中的作用。假设温度升高，根据三极管特性可知，VT1的基极电流会增大一些。当温度升高时，二极管VD1的管压降会下降一些，VD1管压降的下降导致VT1基极电压下降一些，结果使VT1基极电流下降。由上述分析可知，加入二极管VD1后，原来温度升高使VT1基极电流增大的，现在通过VD1电路可以使VT1基极电流减小一些，这样起到稳定三极管VT1基极电流的作用，所以VD1可以起温度补偿的作用。三极管的温度稳定性能不良还表现为温度下降的过程中。在温度降低时，三极管VT1基极电流要减小，这也是温度稳定性能不好的表现。接入二极管VD1后，温度下降时，它的管压降稍有升高，使VT1基极直流工作电压升高，结果VT1基极电流增大，这样也能补偿三极管VT1温度下降时的不稳定。二极管在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。

二极管种类：恒流二极管（或称定电流二极管，CRD、Current Regulative Diode）被施加顺方向电压的场合，无论电压多少，可以得到一定的电流的元件。通常的电流容量在1~15mA的范围。虽然被称为二极管，但是构造、动作原理都与接合型电场效应电晶体相似。变容二极管施加逆向偏压，二极管PN接合的空乏层厚度会因电压不同而变化，产生静电容量（接合容量）的变化，可当作由电压控制的可变电容器使用。没有机械零件所以可靠度高，普遍应用于压控振荡器或可变电压滤波器，也是电视接收器和行动电话不可缺少的零件。发光二极管（light-emitting diode，LED）施加顺向偏压，可以发光的二极管。由发光种类与特性又有红外线二极管、各种颜色的可见光二极管、紫外线二极管等。稳压管与普通二极管的主要区别在于，稳压管是工作在PN结的反向击穿状态。杭州常用二极管参数

二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。广东双向触发二极管原理

三极管偏置电路分析电路中，三极管VT1工作在放大状态时要给它一定的直流偏置电压，这由偏置电路来完成。电路中的R1、VD1和R2构成分压式偏置电路，为三极管VT1基极提供直流工作电压，基极电压的大小决定了VT1基极电流的大小。如果不考虑温度的影响，而且直流工作电压+V的大小不变，那么VT1基极直流电压是稳定的，则三极管VT1的基极直流电流是不变的，三极管可以稳定工作。 在分析二极管VD1工作原理时还要搞清楚一点：VT1是NPN型三极管，其基极直流电压高，则基极电流大；反之则小。广东双向触发二极管原理

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