单频激光干涉仪:从激光器发出的光束，经扩束准直后由分光镜分为两路，并分别从固定反射镜和可动反射镜反射回来会合在分光镜上而产生干涉条纹。当可动反射镜移动时，干涉条纹的光强变化由接受器中的光电转换元件和电子线路等转换为电脉冲信号，经整形、放大后输入可逆计数器计算出总脉冲数，再由电子计算机按计算式[356-11]式中λ为激光波长(N为电脉冲总数)，算出可动反射镜的位移量L，浦东新区激光干涉仪共焦技术。使用单频激光干涉仪时，浦东新区激光干涉仪共焦技术，要求周围大气处于稳定状态，浦东新区激光干涉仪共焦技术，各种空气湍流都会引起直流电平变化而影响测量结果。非接触式检测轴承误差。浦东新区激光干涉仪共焦技术

“光伏效应”。指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。它首先是由光子（光波）转化为电子、光能量转化为电能量的过程；其次，是形成电压过程。有了电压，就像筑高了大坝，如果两者之间连通，就会形成电流的回路。光伏发电，其基本原理就是“光伏效应”。太阳能**的任务就是要完成制造电压的工作。因为要制造电压，所以完成光电转化的太阳能电池是阳光发电的关键。简单来说就是在光作用下能使物体产生一定方向电动势的现象。基于该效应的器件有光电池和光敏二极管、三极管。上海激光干涉仪表面粗糙度但IDS3010干涉仪可诊断非接触式pm位移@ 10 MHz 安装的高功率激光反射镜。

高精度。目前半导体工艺的典型线宽为0.25μm，并正向0.18μm过渡，2009年的预测线宽是0.07μm。如果定位要求占线宽的1/3，那么就要求10nm量级的精度，而且晶片尺寸还在增大，达到300mm。这就意味着测量定位系统的精度要优于3×10的-8次方，相应的激光稳频精度应该是10的-9次方数量级。

高速度。目前加工机械的速度已经提高到1m/sec以上，上世纪80年代以前开发研制的仪器已不适应市场的需求。例如惠普公司的干涉仪市场大部分被英国Renishaw所占领，其原因是后者的速度达到了1m/sec。

高灵敏，高分辨，小型化。如将光谱仪集成到一块电路板上。

标准化。通讯接口过去常用GPIB，RS232，目前有可能成为替代物的高性能标准是USB、IEEE1394和VXI。现在，技术前面者设法控制技术标准，参与标准制订是仪器开发的基础研究工作之一。

配合数控设备的技术创新(如主轴速度，精度创成)

数控设备的主要误差来源可分为几何误差（共有21项）和热误差。对于重复出现的系统误差，可采用软件修正；对于随机误差较大的情况，要采用实时修正方法。对于热误差，一般要通过温度测量进行修正。 我们的技术合作伙伴etalon AG基于IDS3010(做到这一点)。

阻尼时间

1 热电系、热线系及静电系仪表，吊丝式仪表和指针长度大于150MM 的仪表，其可动部分的阻尼时间应不超过6S。其余的仪表应不超过4S。当被测量突然改变时，仪表指示器的前列次偏转值与稳定后的偏转值之比应不大于1.5。凡外电路电阻有规定范围时，当电阻在这个范围内变动时，其阻尼时间均应满足要求。

2 测定仪表指示器的阻尼时间时，应遵守规定。测定阻尼时间时，应自被测之量开始改变(或放回指示器)时起，至指示器离结尾静止位置不大于标度尺长度1%时止。在测定阻尼时间的同时，读取指示器前列次偏转值与稳定后的偏转值，然后求出其比值。测定阻尼时间的具体规定如下：A.单向标度尺仪表——自接入被测量至指示器偏转至标度尺几何中心附近时测定；B.双向对称标度尺仪表——自断开相当于标度尺最大值的被测量时测定；C.双向非对称标度尺仪表——自断开或接通相当于标度尺全长一半的被测量时测定；D.比率表和无机械零位标度尺仪表——自改变被测量使指示器由始点移至标度尺几何中心附近时测定。也允许接入约相当于标度尺几何中心的被测量，再将指示器用机械方法移至标度尺的始点或终点，然后放回指示器的方法测定。测定阻尼时间时应测三次，取其平均值。 超精密和非接触式表面分析。浦东新区纳米精度激光干涉仪

Beamline Fac。需要具有<100nrad RMS机械指向稳定性的镜架。浦东新区激光干涉仪共焦技术

薄膜型半导体应变片

这种应变片是利用真空沉积技术将半导体材料沉积在带有绝缘层的试件上或蓝宝石上制成的。它通过改变真空沉积时衬底的温度来控制沉积层电阻率的高低，从而控制电阻温度系数和灵敏度系数。因而能制造出适于不同试件材料的温度自补偿薄膜应变片。薄膜型半导体应变片吸收了金属应变片和半导体应变片的优点，并避免了它的缺点，是一种较理想的应变片。

外延型半导体应变片

这种应变片是在多晶硅或蓝宝石的衬底上外延一层单晶硅而制成的。它的优点是取消了P-N结隔离，使工作温度大为提高(可达300℃以上)。 浦东新区激光干涉仪共焦技术

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