场效应管MOSFET工作原理：场效应管的工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，利用栅极与沟道间的PN结形成的反偏的栅极点压控制ID。”更正确地说，ID流经通路的宽度（沟道横截面面积），它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，广州半自动场效应管参数，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，广州半自动场效应管参数，ID饱和，广州半自动场效应管参数。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。广州半自动场效应管参数
场效应晶体管既可以作为多数载流子器件（由多子导电），又可以作为少数载流子器件（由少子导电）。该器件由电荷载流子（电子或空穴）从源极流到漏极的有源沟道组成。源极导体和漏极导体通过欧姆接触联结。沟道的电导率是栅源电压的函数。场效应晶体管的三个电极包括:源极(S)，载流子经过源极进入沟道。通常，在源极处进入通道的电流由IS表示。漏极(D)，载流子通过漏极离开沟道。通常，在漏极处进入通道的电流由ID表示。漏极与源极之间的电压由VDS表示。栅极(G)，调制沟道电导率的电极。通过向栅极施加电压，可以控制ID。湖州MOS场效应管场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。
场效应管转移特性曲线：栅极电压对漏极电流的控制称为转移特性，反映两者关系的曲线称为转移特性曲线。N沟结型场效应管的转移特性曲线如图。当栅极电压取出不同的电压时，漏极电流随之变化。当栅极电压=0时，ID值为场效应管饱和漏极电流IDSS；当漏极电流=0时，栅极电压的值为结型场效应管夹断UQ。输出特性曲线：当 Ugs确定时，反映 ID与 Uds的关系曲线是输出特征曲线，又称漏极特性曲线。按图示可划分为三个区域：饱和区、击穿区和非饱和区。当起放大作用时，应该在饱和区内工作。请注意，这里的“饱和区”对应普通三极管的“放放区”。
场效应管的历史:场效应晶体管的点项由朱利叶斯·埃德加·利林费尔德于1926年以及奥斯卡·海尔于1934年分别提出。在此17年的权限期结束后不久，威廉姆·肖克利的团队于1947年在贝尔实验室观察到晶体管效应并阐释了机理。随后，在20世纪80年代，半导体器件(即结型场效应晶体管)才逐渐发展起来。1950年，日本工程师西泽润一和渡边发明了点种结型场效应管——静电感应晶体管 (SIT)。静电感应晶体管是一种短沟道结型场效应管。1959年，由圣虎达温·卡恩和马丁·阿塔拉发明的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)在很大程度上取代了结型场效应管，并对数字电子发展产生了深远的影响。场效应管转换速率较高，高频特性好。
场效应管大功率电路：(1)为了安全使用场效应管,在线路的设计中不能超过管的耗散功率,较大漏源电压、较大栅源电压和较大电流等参数的极限值.(2)各类型场效应管在使用时,都要严格按要求的偏置接人电路中,要遵守场效应管偏置的极性.如结型场效应管栅源漏之间是PN结,N沟道管栅极不能加正偏压;P沟道管栅极不能加负偏压。(3)MOS场效应管由于输人阻抗极高,所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路,要用金属屏蔽包装,以防止外来感应电势将栅极击穿.尤其要注意,不能将MOS场效应管放人塑料盒子内,保存时比较好放在金属盒内,同时也要注意管的防潮.栅极(G)，调制沟道电导率的电极。通过向栅极施加电压，可以控制ID。湖州MOS场效应管
场效应管当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。广州半自动场效应管参数
场效应管测放大能力:用感应信号法具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，给场效应管加上1.5V的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极G，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的。广州半自动场效应管参数
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