其是由如下重量份数的原料组成：有机溶剂44份、氟化物8份、氯化物10份、甲基丙烯酸甲酯4份、有机胺5份、氨基酸12份、胍类12份、苯并三氮唑4份、有机羧酸18份、硫脲22份和水60份。所述有机溶剂为选自亚砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醚中的一种或多种。所述氟化物为氟化氢、或氟化氢与碱形成的盐。所述有机胺为二乙烯三胺、五甲基二乙烯三胺、多乙烯多胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、三丙胺，N，N-二甲基乙醇胺、N，N-甲基乙基乙醇胺，西安半导体晶圆制造工序、N-甲基二乙醇胺和三乙醇胺一种或多种。所述有机羧酸选自丙二酸、草酸，西安半导体晶圆制造工序、乙二胺四乙酸盐和柠檬酸中的一种或者多种。所述胍类为四甲基胍、碳酸胍、醋酸胍、3-胍基丙酸、聚六亚甲基胍和对胍基苯甲酸。所述清洗液的pH值为2～5。实施例2一种用于半导体晶圆等离子蚀刻残留物的清洗液，其是由如下重量份数的原料组成：有机溶剂50份、氟化物15份、氯化物12份、甲基丙烯酸甲酯8份、有机胺10份、氨基酸15份、胍类18份、苯并三氮唑7份、有机羧酸20份、硫脲25份和水72份。所述有机溶剂为选自亚砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醚中的一种或多种。所述氟化物为氟化氢、或氟化氢与碱形成的盐，西安半导体晶圆制造工序。半导体晶圆销售厂家、。西安半导体晶圆制造工序

    可以利用多重的内框结构，例如回字型的内框结构来加强结构强度。所谓的回字型，就是内框内还有内框的结构。在一实施例当中，多重的内框结构可以是同心的，以便简化设计。在另一实施例当中，多重的内框结构的框的宽度是相同的。在更一实施例当中，大内框结构与小内框结构的形状可以是相应的。举例来说，大内框结构与小内框结构的形状可以是相同的，但大小不同。框的宽度可以与内框结构的大小成比例。在一实施例当中，可以具有两个以上的多重内框结构。请参考图11b所示，其为根据本申请一实施例的半导体基板的结构的剖面1100的一示意图。图11b所示的实施例，为回字型的内框结构，就是内框内还有内框的多重内框结构。本申请所欲保护的技术特征在于，晶圆层的边框结构的内部至少具有一个或多重内框结构，用于加强该一个或多重内框结构内部的结构，本申请并不限定内框结构的个数。请参考图12所示，其为根据本申请一实施例的半导体基板的结构的剖面1200的一示意图。该结构的剖面1200可以是图10a所示结构1000的dd线剖面。本领域普通技术人员可以透过图12理解到，本申请并不限定该树酯层1040a与1040b外缘的形状，其可以是正方形、矩形、椭圆形、圆形。淄博应该怎么做半导体晶圆半导体制程重要辅助设备。

    本申请关于半导体，特别是关于晶圆级芯片封装基板结构的设计与制作。背景技术：现代电子装置越来越轻薄短小，集成电路的尺寸不*缩小，还有薄型化的趋势。相较于传统芯片，薄型化的芯片能够承受的物理应力与热应力较小。在进行热处理与其他加工工艺时，特别是当芯片焊贴到印刷电路板时，物理应力与热应力容易造成基板的裂纹与/或翘曲，进而导致半导体元器件失效。除此之外，当芯片薄型化之后，由于导电的线路可能变小变窄，使得电阻增加。不利于降低消耗功率，也导致温度上升的速度较快。当散热效率无法应付温度上升的速度时，可能需要额外的散热组件，就丧失薄型化芯片的优点。据此，需要一种具有较强强度的基板结构，以便减低芯片在进行热处理、加工与焊贴等工序时，因为应力或热应力而导致失效的机率。在此同时，还要降低上述基板结构的电阻值，以便减少消耗功率，降低热耗损，增进芯片的使用寿命。技术实现要素：本申请所提供的基板结构以及晶圆级芯片封装的基板结构，在芯片的中心部分具有较薄的晶圆层，可以降低基板结构的整体电阻值。在芯片的周边部分具有边框结构，在芯片的中心部分可以具有一或多重内框结构，以弥补较薄晶圆层的结构强度。

    图9a至图9d揭示了根据本发明的又一个实施例的声波晶圆清洗工艺。图10a至图10c揭示了根据本发明的又一个实施例的声波晶圆清洗工艺。图11a至图11b揭示了根据本发明的又一个实施例的声波晶圆清洗工艺。图12a至图12b揭示了根据本发明的又一个实施例的声波晶圆清洗工艺。图13a至图13b揭示了根据本发明的又一个实施例的声波晶圆清洗工艺。图14a至图14b揭示了根据本发明的又一个实施例的声波晶圆清洗工艺。图15a至图15c揭示了在声波清洗晶圆过程中稳定的气穴振荡损伤晶圆的图案结构。图15d揭示了根据本发明的一个实施例的晶圆清洗的流程图。图16a至图16c揭示了根据本发明的一个实施例的晶圆清洗工艺。图17揭示了根据本发明的另一个实施例的晶圆清洗工艺。图18a至图18j揭示了气泡气穴振荡控制增强新鲜清洗液在晶圆上的通孔或槽内的循环。图19a至图19d揭示了对应于声能的气泡体积变化。图20a至图20d揭示了根据本发明的一个实施例的有效清洗具有高深宽比的通孔或槽的特征的声波晶圆清洗工艺。图21a至图21c揭示了根据本发明的另一个实施例的清洗工艺。图22a至图22b揭示了根据本发明的另一个实施例的使用声能清洗晶圆的工艺。半导体晶圆信息汇总。

    以及波导表面缺陷微结构204。光源输入端数量以及方位需根据被检测样品的尺寸进行设置。光源载具需要能够在二维平面内进行缩放调控，满足不同尺寸样品的需求。光源载具的设计不限于图中所示圆环形貌，也可是**控制的多组结构。如被检测波导为多边形结构，需要将输入光源的排布形貌做出调整。如图3所示为一种实施实例示意图，包括环形耦合波导302，环形波导内传输光场301，被检测晶圆波导303以及晶圆波导表面缺陷304。当光场在环形耦合波导内传输时，环形波导表面的倏逝场将耦合进被检晶圆波导内。如前所述，不同的环形耦合波导结构需要根据被检测样品的尺寸进行切换。图4a是一种暗场照明实施方案图，包括斜照明光源载具401，斜照明光源输出端口402，显微物镜403，以及被检测晶圆样品404。环形光源输出端口402被夹持或者固定在载具401上，输出光场倾斜入射照明被检测晶圆样品。图4b是对应的暗场照明模块的垂直截面图。暗场照明也可采用暗场聚光器实施。图5是移频照明成像原理示意图，对应的坐标系为频谱空间域，(0,0)为频谱域坐标原点，(0,kobl.)表示暗场照明沿着x方向入射时所能提供的移频量，(0,keva.)表示倏逝场移频照明沿着x方向入射时所能提供的频移量。国内半导体晶圆 代工公司,硅晶圆片工艺技术!重庆建设项目半导体晶圆

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    只要该半导体组件层130所包含的半导体元器件需要藉由该晶圆层320与该金属层310传递电流，都可以适用于本申请。该晶圆层320包含彼此相对的一***表面321与一第二表面322，该***表面321与上述的半导体组件层130相接。该第二表面322与该金属层310相接或相贴。从图3可以看到，该***表面321与第二表面322的**大距离，出现在该结构300的边缘处。在一实施例中，该***表面321与第二表面322的**小距离，出现在该结构300的中心处。在另一实施例中，该***表面321与第二表面322的**小距离，出现在该半导体组件层130的器件投影在该***表面321的地方。在一实施例当中，当该结构300属于一薄型化芯片时，该***表面321与第二表面322的**大距离，或者说是该晶圆层320的厚度，可以小于75um。在另外的一个实施例当中，该***表面321与第二表面322的**大距离，或者说是该晶圆层320的厚度，可以是介于100~150um之间。在额外的一些实施例当中，该***表面321与第二表面322的**大距离，或者说是该晶圆层320的厚度，可以是介于75~125um之间。但本领域普通技术人员可以理解到，本申请并未限定该晶圆层320的厚度。和传统的晶圆层120相比。西安半导体晶圆制造工序

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