光电二极管又称为光敏二极管，它是一种将光信号变成电信号的半导体器件。它的主要部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是：光电二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射，实现光电转换。光电二极管的电路符号、结构及实物。光电二极管是在反向电压作用之下工作的。工作时加反向电压，没有光照时，其反向电阻很大，只有很微弱的反向饱和电流（暗电流）。当有光照时，就会产生很大的反向电流（亮电流），泰州二极管特点，光照越强，泰州二极管特点，泰州二极管特点，该亮电流就越大。当LED产生的光是频宽极窄的同调光时，则称为激光二极管。泰州二极管特点

二极管VD1温度补偿电路分析：利用二极管的管压降温度特性可以正确解释VD1在电路中的作用。假设温度升高，根据三极管特性可知，VT1的基极电流会增大一些。当温度升高时，二极管VD1的管压降会下降一些，VD1管压降的下降导致VT1基极电压下降一些，结果使VT1基极电流下降。由上述分析可知，加入二极管VD1后，原来温度升高使VT1基极电流增大的，现在通过VD1电路可以使VT1基极电流减小一些，这样起到稳定三极管VT1基极电流的作用，所以VD1可以起温度补偿的作用。泰州二极管特点二极管在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。

光电二极管的主要部分是P-N结，和普通的二极管一样，P-N结属于单向导电的非线性元件，在P-N结中存在一个从N区指向P区的内电场E。在热平衡的条件下(无光照下)，多数载流子(N区的电子和P区的空穴)的扩散作用与少数载流子(N区的空穴和P区的电子)的漂移作用相互抵消，没有净电荷通过P-N结。有光照射在P-N结及附近区域时，如果照射的光子有足够大的能量，那么就会在P-N结及附近区域产生少数光生载流子。少数光生载流子靠扩散作用进入P-N结区，并在内电场E的作用下，电子漂移到N区，空穴漂移到P区，使N区带负电荷，P区带正电荷，进而产生附加电势，我们把这个电势叫做光生电动势。 当有外加偏压，且外加偏压方向与P一结内电场 一致时，光生载流子在势垒区电场作用下漂移过P-N结，形成导电电流。

二极管的电路分析：（1）从电路中可以看出3只二极管串联，根据串联电路特性可知，这3只二极管如果导通会同时导通，如果截止会同时截止。（2）根据二极管是否导通的判断原则分析，在二极管的正极接有比负极高得多的电压，无论是直流还是交流的电压，此时二极管均处于导通状态。从电路中可以看出，在VD1正极通过电阻R1接电路中的直流工作电压+V，VD3的负极接地，这样在3只串联二极管上加有足够大的正向直流电压。由此分析可知，3只二极管VD1、VD2和VD3是在直流工作电压+V作用下导通的。（3）从电路中还可以看出，3只二极管上没有加入交流信号电压，因为在VD1正极即电路中的A点与地之间接有大容量电容C1，将A点的任何交流电压旁路到地端。当发光二极管正向偏置通过电流时会发出光来，这是由于电子与空穴直接复合时放出能量的结果。

二极管电路分析准备知识说明二极管的单向导电特性只是说明了正向电阻小、反向电阻大，没有说明二极管导通后还有哪些具体的特性。二极管正向导通之后，它的正向电阻大小还与流过二极管的正向电流大小相关。尽管二极管正向导通后的正向电阻比较小（相对反向电阻而言），但是如果增加正向电流，二极管导通后的正向电阻还会进一步下降，即正向电流愈大，正向电阻愈小，反之则大。不熟悉电路功能对电路工作原理很不利，在了解电路功能的背景下能有的放矢地分析电路工作原理或电路中某元器件的作用。ALC电路在录音机、卡座的录音卡中，录音时要对录音信号的大小幅度进行控制，了解具体的控制要求有助于分析二极管VD1自动控制电路。光电二极管的伏安特性与普通二极管一样。双向二极管型号

有两种工作状态:截止和导通。泰州二极管特点

开关二极管的势垒电容一般极小，这就相当于堵住了势垒电容这条路，达到了在高频条件下还可以保持好的单向导电性的效果。开关二极管从截止(高阻状态)到导通(低阻状态)的时间叫开通时间；从导通到截止的时间叫反向恢复时间；两个时间之和称为开关时间。一般反向恢复时间大于开通时间，故在开关二极管的使用参数上只给出反向恢复时间。开关二极管的开关速度是相当快的，像硅开关二极管的反向恢复时间只有几纳秒，即使是锗开关二极管，也不过几百纳秒。开关二极管具有开关速度快、体积小、寿命长、可靠性高等特点，普遍应用于电子设备的开关电路、检波电路、高频和脉冲整流电路及自动控制电路中。泰州二极管特点

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