本申请涉及射频处理技术领域，具体涉及一种移动终端射频功率放大器检测方法及装置。背景技术：通话是移动终端的为基本的功能之一，射频功率放大器(rfpa)是发射系统中的主要部分，其重要性不言而喻。在发射机的前级电路中，调制振荡电路所产生的射频信号功率很小，需要经过一系列的放大(缓冲级、中间放大级、末级功率放大级)获得足够的射频功率以后，才能馈送到天线上辐射出去。为了获得足够大的射频输出功率，必须采用射频功率放大器。在调制器产生射频信号后，射频已调信号就由射频放大器将它放大到足够功率，经匹配网络，再由天线发射出去。由于现有技术中的所支持的射频频段众多，每个频段所使用的射频功率放大器配置可能有所差异，广州V段射频功率放大器，虽然由移动终端的软件写入了相关的配置指令，由于指令发出总是存在先后关系，在现有技术中往往需要在配置频段时在所有射频功率放大器启动指令发出后再延迟一个时间(例如)认为已经配置完成，再进行下一步操作。例如，在第，此时需要向4个依次射频功率放大器发出启动指令，然后等待，开始下一步操作，但其实这个，很可能在。因此，广州V段射频功率放大器，现有技术存在缺陷，有待改进与发展，广州V段射频功率放大器。技术实现要素：本申请实施例提供一种移动终端射频功率放大器检测方法。稳定性是指放大器在环境(如温度、信号频率、源及负载等)变化比较大的情况 下依1日保持正常工作特性的能力。广州V段射频功率放大器

目前微波射频领域虽然备受关注，但是由于技术水平较高，壁垒过大，因此这个领域的公司相比较电力电子领域和光电子领域并不算很多，但多数都具有较强的科研实力和市场运作能力。GaN微波射频器件的商业化供应发展迅速。据材料深一度对Mouser数据统计分析显示，截至2018年4月，共有4家厂商推出了150个品类的GaNHEMT，占整个射频晶体管供应品类的，较1月增长了。Qorvo产品工作频率范围大，Skyworks产品工作频率较小。Qorvo、CREE、MACOM73%的产品输出功率集中在10W～100W之间，大功率达到1500W（工作频率在，由Qorvo生产），采用的技术主要是GaN/SiCGaN路线。此外，部分企业提供GaN射频模组产品，目前有4家企业对外提供GaN射频放大器的销售，其中Qorvo产品工作频率范围工作频率可达到31GHz。Skyworks产品工作频率较小，主要集中在。Qorvo射频放大器的产品类别多。在我国工信部公布的2个5G工作频段（、）内，Qorvo公司推出的射频放大器的产品类别多，高功率分别高达100W和80W（1月份Qorvo在高功率为60W），ADI在高功率提高到50W（之前产品的高功率不到40W），其他产品的功率大部分在50W以下。东莞射频功率放大器技术阻抗匹配，关系到功率放大器的稳定性、增益；输出功率、带内平坦度、噪声、谐波、驻波、线性等一系列指标 。

    射频功率放大器的配置状态电阻值包括开启状态的电阻值与关闭状态的电阻值。根据移动终端所切换的频段，预设该频段对应的射频功率放大器的配置状态，由射频功率放大器的配置状态得知射频功率放大器的配置状态电阻值。(2)计算单元302计算单元302，用于计算所述射频功率放大器检测模块的电阻值。例如，移动终端进行频段切换时，射频功率放大器检测模块的电阻值即此时射频功率放大器的电阻值，通过计算射频功率放大器检测模块的电阻值，从而获取此时射频功率放大器的状态。其中，计算单元还包括计算电阻和处理器，计算电阻一端与射频功率放大器检测模块连接，计算电阻另一端与电源电压连接；处理器的引脚与计算电阻和射频功率放大器检测模块连接。(3)比较单元303比较单元303，用于比较所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值。例如，将射频功率放大器检测模块的电阻值与预设的配置状态电阻值作比较，可以得知此时射频功率放大器是否已完成配置。射频功率放大器检测模块的电阻值即移动终端频段切换时的射频功率放大器的电阻值。其中，射频功率放大器检测模块与配置状态的电阻值不相同，则表示射频功率放大器还没有开启，移动终端开启此射频功率放大器。

主要厂商有美国Skyworks、Qorvo、Broadcom，日本村田等。三家合计占有全球66%的份额，Skyworks和Qorvo更是处于全球遥遥的位置。2017年GaAs晶圆代工市场，中国台湾稳懋（WinSemi）独占全球，是全球大GaAs晶圆代工厂。5G设备射频前端模组化趋势明显，SIP大有可为5G将重新定义射频（RF）前端在网络和调制解调器之间的交互。新的RF频段（如3GPP在R15中所定义的sub-6GHz和毫米波（mm-wave）给产业界带来了巨大挑战。LTE的发展，尤其是载波聚合技术的应用，导致当今智能手机中的复杂架构。同时，RF电路板和可用天线空间减少带来的密集化趋势，使越来越多的手持设备OEM厂商采用功率放大器模块并应用新技术，如LTE和WiFi之间的天线共享。在低频频段，所包含的600MHz频段将为低频段天线设计和天线调谐器带来新的挑战。随着新的超高频率（N77、N78、N79）无线电频段发布，5G将带来更高的复杂性。具有双连接的频段重新分配（早期频段包括N41、N71、N28和N66，未来还有更多），也将增加对前端的限制。毫米波频谱中的5GNR无法提供5G关键USP的多千兆位速度，因此需要在前端模组中具有更高密度，以实现新频段集成。5G手机需要4X4MIMO应用，这将在手机中增加大量RF流。结合载波聚合要求。为减小 AM—AM失真，应降低工作点，常称为增益回退。

    nmos管mn07的漏极和nmos管mn08的漏极分别连接第三变压器t03的原边。在第二主体电路率放大器中源放大器的栅极与激励放大器的输出端连接，功率放大器栅放大器的漏极连接第四变压器的原边。如图3所示，nmos管mn13的栅极、nmos管mn14的栅极为功率放大器的输入端，nmos管mn13的栅极、nmos管mn14的栅极与激励放大器的输出端连接。nmos管mn15的漏极和nmos管mn16的漏极分别连接第四变压器t04的原边。nmos管mn05的源极、nmos管mn06的源极接地，nmos管mn13的源极、nmos管mn14的源极接地。nmos管mn07的栅极和nmos管mn08的栅极通过电容c06和电感l02接地，nmos管mn15的栅极和nmos管mn16的栅极通过电容c13和电感l05接地。第三变压器t02原边的中端通过电感l03接电源电压vdd，第三变压器t02原边的中端还连接接地电容c08。第四变压器t04原边的中端通过电感l06接电源电压vdd，第四变压器t04原边的中端还连接接地电容c15。本申请实施例提供的高线性射频功率放大器，通过自适应动态偏置电路和两个主体电路，不提高了射频功率放大器的线性度，还提高了射频功率放大器的输出功率。图4示例性地示出了本申请实施例提供的高线性射频功率放大器中自适应动态偏置电路对应的偏置电压曲线图。噪声系数是指输入端信噪比与放大器输出端信噪比的比值，单位常用“dB'’。东莞2-6G射频功率放大器

目前功率放大器的主流工艺依然是GaAs，GAN和LDMOS工艺。广州V段射频功率放大器

    图1：某型号60WGaAsFET的内部结构这款晶体管放大器可以提供EMC领域的基础标准IEC61000-4-3和IEC61000-4-6所强调的很好的线性度，如图2所示。图2：某晶体管的输入输出线性度这个晶体管可以在工作频率范围内提供所需的功率，它的输出功率与频率的关系如图3所示。图3：某晶体管的输出功率与频率的关系3.射频微波功率晶体管采用的半导体材料的类型在用于EMC领域的功率放大器中会用到不同种类的晶体管，下面对典型的晶体管及其工作特性进行简单介绍，由于不同种类的半导体材料具有不同的特性，功率放大器的设计者需要根据实际需求进行选择和设计。在射频微波功率放大器中采用的半导体材料主要包括以下几种。双极结型晶体管（BJT）双极性结型晶体管（bipolarjunctiontransistor,BJT）就是我们通常说的三极管，是一种具有三个端子的电子器件，由三部分掺杂程度不同的半导体制成，晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。这种晶体管的工作，同时涉及电子和空穴两种载流子的流动，因此它被称为双极性的，所以也称双极性载流子晶体管。常见的有锗晶体管和硅晶体管，可采用电流控制，在一定范围内，双极性晶体管具有近似线性的特征。广州V段射频功率放大器

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