通过可控衰减电路中的电阻吸收和衰减射频功率，使得进入后续电路的射频功率减小，输入信号衰减，从而实现负增益。在一个可能的示例中，可控衰减电路包括电阻r1、第二电阻r2、电感l1和开关t1，开关的栅级与电阻的端连接，电阻的第二端连接电压信号，开关的漏级与第二电阻的端连接，开关的源级接地，电感的端连接输入信号，电感的第二端连接第二电阻的第二端；其中，开关，用于响应微处理器发出的控制信号使自身处于关断状态，以使可控衰减电路处于无衰减状态，实现射频功率放大器电路处于非负增益模式；还用于响应微处理器发出的第二控制信号使自身处于导通状态，以使可控衰减电路处于衰减状态，实现射频功率放大器电路处于负增益模式；其中，控制信号为具有电压值的电压信号，第二控制信号为具有第二电压值的电压信号，电压值与第二电压值不同。需要说明的是，开关为绝缘体上硅cmos管，或平面结构mos管。电阻为上拉电阻，其阻值较小，电压信号vgg通过电阻连接开关。在一些实施例中，微处理器通过控制vgg＝，浙江射频功率放大器产能，使得开关关断，可控衰减电路处于无衰减状态，将输入匹配电路与可控衰减电路隔离，此时，浙江射频功率放大器产能，射频功率放大器电路对输入信号放大，浙江射频功率放大器产能，射频功率放大器电路实现非负增益模式。射频功率放大器是无线通信系统中非常重要的组件。浙江射频功率放大器产能

    第二端与所述射频功率放大器的输出端耦接。可选的，所述第四子滤波电路为lc匹配滤波电路。可选的，所述lc匹配滤波电路包括：第四电容以及第四电感，其中：所述第四电感，端与所述主次级线圈的第二端耦接，第二端与所述射频功率放大器的输出端耦接；所述第四电容，端与所述第四电感的第二端耦接，第二端接地。可选的，所述lc匹配电路还包括：第五电感以及第六电感，其中：所述第五电感，串联在所述第四电容的第二端与地之间；所述第六电感，串联在所述第四电容的端与所述射频功率放大器的输出端之间。可选的，所述lc匹配电路还包括：第五电容、第七电感以及第八电感，其中：所述第五电容，端与所述第六电感的第二端耦接，第二端与所述第七电感的端耦接；所述第七电感，第二端接地；所述第八电感，端与所述第五电容的端耦接，第二端与所述射频功率放大器的输出端耦接可选的，所述射频功率放大器还包括：驱动电路；所述驱动电路的输入端接收输入信号，所述驱动电路的输出端输出所述差分信号，所述驱动电路的第二输出端输出所述第二差分信号。本发明实施例还提供了一种通信设备，包括上述任一种所述的射频功率放大器。与现有技术相比。使用射频功率放大器制定匹配电路是放大器设计中关键一环，可以说放大设计主要是匹配设计。

    其中：串联电感l用于匹配并联到地支路中的sw1在关闭状态的寄生电容，减少对后级驱动放大电路的输入匹配电路的影响。在负增益模式下，sw1处在导通状态，电阻r主要承担对射频输入功率分流后的衰减，sw1主要负责射频输入支路端与接地端(gnd)的导通。若系统要求的增益很低，r也可以省略，用sw1自身导通时寄生的电阻吸收和衰减射频功率。这里的开关可以用各种半导体工艺实现，如互补金属氧化物半导体(complementarymetaloxidesemiconductor，cmos)，绝缘体上硅(silicononinsulator，soi)cmos管，pin二极管等，其中，pin表示：在p和n半导体材料之间加入一薄层低掺杂的本征(intrinsic)半导体层，组成的这种p-i-n结构的二极管就是pin二极管。需要说明的是，r所在的可控衰减电路与后级的功率放大电路的关系是并联关系。并联关系在于电压相同时，r越小，可控衰减电路分得电流越大，得到的功率越多。故r越小，进入可控衰减电路的功率越多，相应的进入后级功率放大电路的功率就越少，衰减就越大。所以，为了实现大幅度的衰减，r有时需要省略，依靠sw自身的导通电阻ron。其中，串联电感l1的通过以下方法得到：在未加入可控衰减电路时，若输入匹配电路101对应的阻抗为：z0＝r0+jx0。

    以对输入至功率合成变压器的信号进行对应的匹配滤波处理。在具体实施中，子滤波电路可以包括电容c1，电容c1的端可以与功率合成变压器的输入端以及功率放大单元的输入端耦接，第二端可以接地。在本发明实施例中，为提高谐波滤波性能，子滤波电路还可以包括电感l1，电感l1可以设置电容c1的第二端与地之间。参照图2，给出了本发明实施例中的另一种射频功率放大器的电路结构图。图2中，子滤波电路包括电感l1以及电容c1，电感l1串联在电容c1的第二端与地之间。在具体实施中，第二子滤波电路可以包括第二电容c2，第二电容c2的端可以与功率合成变压器的第二输入端以及功率放大单元的第二输入端耦接，第二端可以接地。在本发明实施例中，为提高谐波滤波性能，第二子滤波电路还可以包括第二电感l2，第二电感l2可以设置第二电容c2的第二端与地之间。继续参照图2，第二子滤波电路包括第二电感l2以及第二电容c2，第二电感l2串联在第二电容c2的第二端与地之间。在具体实施中，串联电感的到地电容和该电感的谐振频率可以在功率放大单元的二次谐波频率附近。也就是说，当子滤波电路包括电容c1以及电感l1时，电容c1与电感l1的谐振频率在功率放大单元的二次谐波频率附近。相应地。微波功率放大器工作处于非线性状态放大过程中会产生的谐波分量，输入、输出匹配网络除起到阻抗变换作用外。

    70年代末研制出了具有垂直沟道的绝缘栅型场效应管，即VMOS管，其全称为V型槽MOS场效应管，它是继MOSFET之后新发展起来的高效功率器件，具有耐压高，工作电流大，输出功率高等优良特性。垂直MOS场效应晶体管（VMOSFET）的沟道长度是由外延层的厚度来控制的，因此适合于MOS器件的短沟道化，从而提高器件的高频性能和工作速度。VMOS管可工作在VHF和UHF频段，也就是30MHz到3GHz。封装好的VMOS器件能够在UHF频段提供高达1kW的功率，在VHF频段提供几百瓦的功率，可由12V,28V或50V电源供电，有些VMOS器件可以100V以上的供电电压工作。横向扩散MOS（LDMOS）横向双扩散MOS晶体管（LateralDouble-diffusedMOSFET，LDMOS）：这是为了减短沟道长度的一种横向导电MOSFET，通过两次扩散而制作的器件称为LDMOS，在高压功率集成电路中常采用高压LDMOS满足耐高压、实现功率控制等方面的要求，常用于射频功率电路。与晶体管相比，LDMOS在关键的器件特性方面，如增益、线性度、散热性能等方面优势很明显，由于更容易与CMOS工艺兼容而被采用。LDMOS能经受住高于双极型晶体管的驻波比，能在较高的反射功率下运行而不被破坏；它较能承受输入信号的过激励，具有较高的瞬时峰值功率。射频功率放大器(RF PA)是发射系统中的主要部分，其重要性不言而喻。江苏大功率射频功率放大器价格多少

效率：功率放大器的效率除了取决于晶体管的工作状态、电路结构、负载 等因素外，还与输出匹配电路密切相关。浙江射频功率放大器产能

    处理器308即处理器，用于控制所述射频功率放大器的开启和关闭。输入单元403可用于接收输入的数字或字符信息，以及产生与用户设置以及功能控制有关的键盘、鼠标、操作杆、光学或者轨迹球信号输入。具体地，在一个具体的实施例中，输入单元403可包括触敏表面以及其他输入设备。触敏表面，也称为触摸显示屏或者触控板，可收集用户在其上或附近的触摸操作(比如用户使用手指、触笔等任何适合的物体或附件在触敏表面上或在触敏表面附近的操作)，并根据预先设定的程式驱动相应的连接装置。可选的，触敏表面可包括触摸检测装置和触摸控制器两个部分。其中，触摸检测装置检测用户的触摸方位，并检测触摸操作带来的信号，将信号传送给触摸控制器；触摸控制器从触摸检测装置上接收触摸信息，并将它转换成触点坐标，再送给处理器408，并能接收处理器408发来的命令并加以执行。此外，可以采用电阻式、电容式、红外线以及表面声波等多种类型实现触敏表面。除了触敏表面，输入单元403还可以包括其他输入设备。具体地，其他输入设备可以包括但不限于物理键盘、功能键(比如音量控制按键、开关按键等)、轨迹球、鼠标、操作杆等中的一种或多种。浙江射频功率放大器产能

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