用于使所述可控衰减电路和所述驱动放大电路之间阻抗匹配;所述驱动放大电路,用于放大所述输入匹配电路输出的信号;所述反馈电路,用于调节所述射频功率放大器电路的增益;所述级间匹配电路,用于使所述驱动放大电路和所述功率放大电路之间阻抗匹配;所述功率放大电路,用于放大所述级间匹配电路输出的信号;所述输出匹配电路,用于使所述射频功率放大器电路和后级电路之间阻抗匹配。本申请实施例提供一种增益控制方法,应用于上述的射频功率放大器电路,所述方法包括:终端中的微控制器通过通信模组接收到控制信息后,确定所述射频功率放大器电路的工作模式,并通过发送模式控制信号控制所述射频功率放大器电路进入所述工作模式;所述可控衰减电路,根据所述终端中微处理器发送的模式控制信号,实现射频功率放大器电路的负增益模式与非负增益模式之间的切换;所述输入匹配电路,用于使所述可控衰减电路和所述驱动放大电路之间阻抗匹配;所述驱动放大电路,用于放大所述输入匹配电路输出的信号;所述反馈电路,上海使用射频功率放大器值得推荐,用于调节所述射频功率放大器电路的增益;所述级间匹配电路,用于使所述驱动放大电路和所述功率放大电路之间阻抗匹配;所述功率放大电路。效率:功率放大器的效率除了取决于晶体管的工作状态,上海使用射频功率放大器值得推荐,上海使用射频功率放大器值得推荐、电路结构、负载 等因素外,还与输出匹配电路密切相关。上海使用射频功率放大器值得推荐
图10为本发明实施例提供的可控衰减电路和输入匹配电路的示意图。具体实施方式对于窄带物联网(narrowbandinternetofthings,nb-iot)的终端(userequipment,ue)来说,射频前端系统中的射频功率放大器电路一般要求发射功率可调,当射频功率放大器电路之前射频收发器的输出动态范围有限时,就要求功率放大器增益高低可调节。在广域低功耗通信的应用场景中,对射频功率放大器电路的增益可调要求变得更突出,其动态范围要达到35~40db,并出现负增益的需求模式。例如,在窄带物联网通信对象之间距离近(nb-iot的终端距离基站很近)的情况下会出现负增益的需求。在应用中,一方面在射频功率放大器的电路设计中,可以降低功率增益,在不过度影响原有电路匹配的前提下,通过增强驱动级晶体管的负反馈;另一方面,可以在输入匹配电路中插入可控衰减电路的设计,这样对功率放大器的性能影响较小,降低增益的效果明显。下面介绍一种射频功率放大器电路,是在高增益模式的电路基础上,一般通过增强驱动级的负反馈来降低增益。图1a为相关技术中射频功率放大器电路的组成结构示意图,图1b为图1a的电路结构示意图,参见图1a和图1b,方案。安徽EMC射频功率放大器价格多少功率放大器一般可分为A、AB、B、c、D、E、F类。
通过可控衰减电路中的电阻吸收和衰减射频功率,使得进入后续电路的射频功率减小,输入信号衰减,从而实现负增益。在一个可能的示例中,可控衰减电路包括电阻r1、第二电阻r2、电感l1和开关t1,开关的栅级与电阻的端连接,电阻的第二端连接电压信号,开关的漏级与第二电阻的端连接,开关的源级接地,电感的端连接输入信号,电感的第二端连接第二电阻的第二端;其中,开关,用于响应微处理器发出的控制信号使自身处于关断状态,以使可控衰减电路处于无衰减状态,实现射频功率放大器电路处于非负增益模式;还用于响应微处理器发出的第二控制信号使自身处于导通状态,以使可控衰减电路处于衰减状态,实现射频功率放大器电路处于负增益模式;其中,控制信号为具有电压值的电压信号,第二控制信号为具有第二电压值的电压信号,电压值与第二电压值不同。需要说明的是,开关为绝缘体上硅cmos管,或平面结构mos管。电阻为上拉电阻,其阻值较小,电压信号vgg通过电阻连接开关。在一些实施例中,微处理器通过控制vgg=,使得开关关断,可控衰减电路处于无衰减状态,将输入匹配电路与可控衰减电路隔离,此时,射频功率放大器电路对输入信号放大,射频功率放大器电路实现非负增益模式。
RFMDWiFiPA产品线型号非常多,几乎可以满足所有WiFi产品的射频需求。P/NMinFreqMaxFreqGainPOUTEVM(%)Vcc(V)TxIcc(mA)RFRFRFRF018120RFRFRFRF018120RFRF02810355RFRFRFRF03018395RFRF0345800RF02851000RF03051450RF018120RFPA0265545RFPA0255670RFPA0335470RFPA5201E875RFPASTA-5063Z352STA-6033(Z)83165SZA-2044(Z)300SZA-3044(Z)45340SZA-5044(Z)15330SZA-6044(Z)5165SZM-2066Z583SZM-2166Z76878SZM-3066Z65730SZM-3166Z7900SZM-5066Z55800RFPA55124900MHz5850MHz33dB11ac-?23dBm11n–25dBm11ac––3%5VRFPA0RFPA55225180MHz5925MHz33dB23dBm-35dB5V285mARFPA033RFPA5542B在这些产品中,**令笔者震撼的就是RFPA5201E,其性能好到没朋友。笔者此前开发一款10W(11nHT20MCS7)超大功率放大器时,曾经选用了RFMDRFPA5201E作为驱动级。RFPA5201E测试数据与Datasheet中描述完全一致,如下图。当然,RFPA5201E的功耗也是不容小觑的,达到了可怕的1000mA,这可能也是很多厂商望而却步的原因。Richwave立积电子(RichwaveTechnologyCorp.)成立于2004年,是专业的IC设计公司。公司的主要技术在开发与设计世界前列的无线射频(RF)集成电路,公司的主要目标是在无线射频。乙类工作状态:功率放大器在信号周期内只有半个周期存在工作电流,即导 通角0为180度.对于AM。
且串联电感的个数比到地电容的个数多1。在具体实施中,当lc匹配电路为两阶匹配滤波电路时,参照图4,给出了本发明实施例中的再一种射频功率放大器的电路结构图。图4中,lc匹配滤波电路包括第四电感l4以及第四电容c4,其中:第四电感l4的端与主次级线圈121的第二端耦接,第四电感l4的第二端与射频功率放大器的输出端output耦接;第四电容c4的端与第四电感l4的第二端耦接,第四电容c4的第二端接地。参照图5,给出了本发明实施例中的又一种射频功率放大器的电路结构图。与图4相比,图5中,lc匹配滤波电路还包括第五电感l5以及第六电感l6,其中:第五电感l5串联在第四电容c4的第二端与地之间,第六电感l6串联在第四电容c4的端与射频功率放大器的输出端output之间。参照图6,给出了本发明实施例中的再一种射频功率放大器的电路结构图。与图5相比,lc匹配滤波电路还可以包括第五电容c5、第七电感l7以及第八电感l8,其中:第五电容c5的端与第六电感l6的第二端耦接,第五电容c5的第二端与第七电感l7的端耦接;第七电感l7的端与第五电容c5的第二端耦接,第七电感l7的第二端接地;第八电感l8的端与第五电容c5的端耦接,第八电感l8的第二端与射频功率放大器的输出端output耦接。射频放大器的稳定性问题非常重要,是保证设备安全可靠运行的必要条件。上海使用射频功率放大器值得推荐
射频功率放大器包括A类、AB类、B类和c类等,开关放大 器包括D类、E类和F类等。上海使用射频功率放大器值得推荐
氮化镓集更高功率、更高效率和更宽带宽的特性于一身,能够实现比GaAsMESFET器件高10倍的功率密度,击穿电压达300伏,可工作在更高的工作电压,简化了设计宽带高功率放大器的难度。目前氮化镓(GaN)HEMT器件的成本是LDMOS的5倍左右,已经开始普遍应用在EMC领域的80MHz到6GHz的功率放大器中。4.射频微波功率放大器的分类放大器有不同种的分类方法,习惯上基于放大器件在一个完整的信号摆动周期中工作的时间量,也就是导电角的不同进行分类,通过对放大器件配置不同的偏置条件,就可以使放大器工作在不同的状态。在EMC领域,固态放大器中常用到的偏置方法是A类,AB类和C类。A类放大器A类放大器的有源器件在输入正弦信号的整个周期内都导通,普遍认为,A类和线性放大器是同义词,输出信号是对输入信号的线性放大,在无线通信应用领域必须要考虑到针对复杂调制信号时的情况。在EMC应用领域,输入信号相对简单,放大器必须工作在功率压缩阈值的情况下。A类放大器是EMC领域常用的功率放大器,其工作原理图如图4所示。图4:A类放大器的工作原理图不管是否有射频输入信号存在,A类放大器的偏置设置使得晶体管的静态工作点位于器件电流的中心位置。上海使用射频功率放大器值得推荐
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