由于通电螺线管内部存在磁场，其大小与导线中的电流成正比，故可以利用霍尔传感器测量出磁场，从而确定导线中电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。其优点是不与被测电路发生电接触，不影响被测电路，不消耗被测电源的功率，特别适合于大电流传感。由于具备低成本、低功耗，成都小电流霍尔传感器、占地面积小、距离感应、可靠性高、寿命长等诸多优点，成都小电流霍尔传感器，霍尔传感器被应用于电机旋转编码计数、开关位置检测，成都小电流霍尔传感器、防篡改检测等多功能性应用中。霍尔效应原理是Edwin Hall于1879年，在研究金属的导电机构时发现的。后来，还发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，被普遍地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等领域。 标准圆环铁芯有一个缺口，将霍尔传感器插入缺口中，圆环上绕有线圈，当电流通过线圈时产生磁场，则霍尔传感器有信号输出。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。成都小电流霍尔传感器

与开环霍尔电流传感器相比，闭环霍尔电流传感器多了一个补偿线圈，该线圈缠绕在铁芯上。当电流传感器通过铁芯时，铁芯感应出磁场，霍尔元器件将磁场转化成电压，该电压被运放处理后驱动电路产生一个补偿电流，该补偿电流流过线圈产生一个磁场，该磁场与原边电流产生的磁场大小相等方向相反，从而抵消原边磁场，处于磁平衡状态。所以该补偿电流就是原边电流缩放后的，缩放比例与补偿线圈的圈数呈线性关系。闭环式霍尔电流传感器又叫间接测量法。在霍尔电流传感器中，霍尔元器件是关键元器件，其性能影响着产品的性能。霍尔元器件的作用是将一定范围内的磁通量转化成电压信号，霍尔元器件将50mT内的磁通密度转化成电压信号。所以选用该芯片时，一定不要让铁芯产生的磁通密度超过50mT。武汉霍尔传感器报价线性霍尔效应传感器可响应磁极或一极，以提高器件灵敏度。

霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种。这一现象是霍尔（1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，普遍地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。霍尔传感器是依据霍尔效应制作的。是霍尔1879年在研究金属导电机构时发明的，之后有在导电流体和半导体中均发现此效应。霍尔器件拥有着众多特点，它体积小，重量轻，安装方便，功耗小，频率高还生命长，耐振动不怕油污，水汽，盐雾灰尘等污染。

这里小编为您整理了如下几点关于霍尔传感器的 1、 霍尔传感器可以测量任意波形的电流和电压，如：直流、交流、脉冲波形等，甚至对瞬态峰值的测量。副边电流忠实地反应原边电流的波形。 2、 原边电路与副边电路之间完全电隔离，绝缘电压一般可到12KV。 3、 精度高：在额定点精度优于1%， 4、 线性度好：优于0.1% 5、 动态性能好：响应时间小于１μs,追踪速度di/dt高于50A/μs 6、工作频带宽：一般比较高可以到100kHz，常态工作频率可到20kHz 7. 测量范围宽：霍尔传感器模块为系统产品，电流测量可达20KA，电压测量可达10kV。 8、 过载能力强：当原边电流超负荷，模块达到饱和，可自动保护，即使过载电流是额定值的几倍时，模块也不会损坏。 9、 模块尺寸小，重量轻，易于安装。 10、 模块的初级与次级之间的“电容效应”是很弱的，共模电压的各种影响通常可以忽略。 11、 抗外磁场干扰能力强：在距模块5-10cm处有一个两倍于工作电流(2Ip)的电流所产生的磁场干扰而引起的误差较小，这对大多数应用，抗外磁场干扰是足够的，但对很强磁场的干扰要采取适当的措施，比如做好导磁或者屏蔽。霍尔效应是当流过导体或半导体的电流受到磁场影响时所产生的可测量电压。

霍尔电流传感器是由结构和电路紧密配合的一个产品，这其中，霍尔元器件的高度、位置，铁芯的材料、长度、横截面积都决定着产品的性能。在设计产品时，一定要注意严格根据测量范围计算铁芯的磁路长度、铁芯的横截面积、磁隙间距以及霍尔芯片的高度。当然这部分的计算是设计霍尔电流传感器中比较重要的部分。由于传感器空间限制风其他原因，转换电路常装入电箱中。然而，因为不少传感器要在通过转换电路之后才能输出电量信号，从而决定了转换电路是传感器的组成部分之**性霍尔传感器还可用于测量位置和位移，如液位探测、水流探测等。广州霍尔传感器代理商哪家费用便宜

具有对磁场敏感，结构简单，体积小，频率响应宽，输出电压变化大和使用寿命长等优点。成都小电流霍尔传感器

霍尔效应传感器是由外部磁场的设备。我们知道磁场有两个重要特性：磁通密度，（B）和极性（北极和南极）。霍尔效应传感器的输出信号是器件周围磁场密度的函数。当传感器周围的磁通密度超过某个预设阈值时，传感器检测到它并产生称为霍尔电压V H的输出电压。霍尔传感器基本上由一块薄的矩形p型半导体材料组成，例如砷化镓（GaAs），锑化铟（InSb）或砷化铟（InAs），它们通过自身连续的电流。当器件放置在磁场中时，磁通线在半导体材料上施加力，该力使电荷载流子，电子和空穴偏转到半导体板的任一侧。电荷载流子的这种运动是它们经过半导体材料所经受的磁力的结果。成都小电流霍尔传感器

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