场效应管的工作原理，我们先了解一下只含有一个P—N结的二极管的工作过程。如图6所示，我们知道在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，惠州中压场效应管厂家现货，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，惠州中压场效应管厂家现货，其PN结没有电流通过，惠州中压场效应管厂家现货，二极管截止。盟科电子2010年就开始做场效应管了。惠州中压场效应管厂家现货

    场效应管和晶闸管都是电子电路中常用的开关型器件，但是两者存在本质的区别。场效应管包括结型场效应管JFET和金属-氧化物半导体场效应管MOSFET。而晶闸管一般是指可控硅，可控硅按照导通方向可以分为单向可控硅SCR和双向可控硅Triac。这里主要介绍MOSFET。MOSFET有三个电极，分别为栅极G、源极S和漏极D，其中栅极G为控制端，源极S和漏极D为输出端。PMOS的衬底为N型半导体，在VGS《0时，会形成P沟道，所以叫做P沟道MOS；而NMOS的衬底为P型半导体，在VGS》0时，会形成N沟道，所以叫做N沟道MOS。MOS管是电压驱动型的器件，主要用作可控整流、功率开关、信号放大等，应用比较多方面。MOS管的通道依靠VGS的电平，对于NMOS而言，VGS》0时，NMOS导通，否则NMOS截止；对于PMOS而言，VGS《0，PMOS导通，否则截止。晶闸管又称可控硅，其与场效应管一样，皆为半导体器件，它们的外形封装也基本一样，但它们在电路中的用途却不一样。 中山SOT-23-3L场效应管MOSFET加湿器用到了MK15N10场效应管，15A 100V的N型MOS管。

场效应管非常重要的一个作用是作开关作用，作开关时候多数应用于各类电子负载控制、开关电源开关管，MOS管非常明显的特性是开关特性好，对于NMOS来说，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况，也就是所谓的低端驱动，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。而对于PMOS来说，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况，也就是驱动。但是，虽然PMOS可以很方便地用作驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在驱动中，通常还是使用NMOS。如下图是某开关电源其中一部分电路图，在这里的Q1场效应管用作PWM调制器或开关稳压控制器的功率开关管。

场效应管测试仪仪器主要用以功率场效应管和IGBT的质量检验、参数的配对及其它电子电子元件的耐压测试之用。仪器分N沟导型测试仪和P沟导型测试仪两种。耐压测试仪方法特性：是按照IEC、ISO、BS、UL、JIS等国内、国际的安全基准而设计，是交流安全通用测试仪器，合适家电及低压电器的安全测试。测试电压和漏电流使用4位LED数码管显示，测试时间使用2位LED数码管显示。漏电流值由粗调和细调旋钮调节。漏电流超差时自动切断测试电压，并发出声光报警信号。有外控端子。臣式机箱、塑料面框、外形新颖美观。主要技术参数：测试电压：AC0～5KV。测试电压误差：低于3％。测试电压波形：50Hz市电正弦波。输出容量：500VA(DF2670)，500VA/750VA(DF2670A)。漏电流范围：2mA～20mA共六档(DF2670)～2mA/～20mA(DF2670A)。漏电流测试误差：低于3％。测试时间：1～99秒。时间误差：低于1％。一：场效应管的主要参数(1)直流参数饱和漏极电流IDSS它可概念为：当栅、源极之间的电压相等零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。夹断电压UP它可概念为：当UDS一定时，使ID减少到一个细微的电流时所需的UGS打开电压UT它可概念为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS。在信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管控制器件。

    各类音频放大器具有各自的优点及属性，也各有其不足之处，而场效应管放大器主流兼具晶体管和电子管两者的优势，同时还具备两者所没有的优势。在电路程式上，大量实践证明，单端甲类功放是以效率换音质的典范，具有出色的音乐魅力。不少发烧友从单纯追求音质出发，反复制作功放，反复对比听音，非常终为A类所动，似乎觉得没有A类的音乐犹如孤独的音乐。各类音频放大器具有各自的优点及属性，也各有其不足之处，而场效应管放大器主流兼具晶体管和电子管两者的优势，同时还具备两者所没有的优势。在电路程式上，大量实践证明，单端甲类功放是以效率换音质的典范，具有出色的音乐魅力。不少发烧友从单纯追求音质出发，反复制作功放，反复对比听音，非常终为A类所动，似乎觉得没有A类的音乐犹如孤独的音乐。 中低压mos哪家品质好？汕尾SMD场效应管

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场效应三极管的型号命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J表示结型场效应管，O表示绝缘栅场效应管。第二位字母表示材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。第二种命名方法是CS××#，CS表示场效应管，××以数字表示型号的序号，#用字母表示同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以用作可变电阻。场效应管可以方便地用作恒流源。惠州中压场效应管厂家现货

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