生产氮化硅结合碳化硅制品时候温速度太快，造成坯体表面沉积的碳素不能被排除，严重者还会引起坯体表面隆起小泡。解决措施是： 1)制定合理的烧成温度曲线，保证窑炉内升温速度符合坯体各阶段所需要的热量。 2)控制加煤量，保温阶段缩短还原气氛的时间，四川耐腐蚀碳化硅结合氮化硅厂家，加强坯体的前期氧化。 3)合理调试窑炉小闸板的开度， 达到窑炉处于一个三种制度相互协调的平衡点。 4)烧窑工操作的控制，虽然窑炉设备的调试达到了比较好点，但三种制度都是通过操作来实现的。暗点就是分布于产品表面的黑，四川耐腐蚀碳化硅结合氮化硅厂家、灰色小颗粒状暗点，四川耐腐蚀碳化硅结合氮化硅厂家。从表面看暗点与烟熏相伴而生，但又不同于烟熏，而且较烟熏难于控制。暗点缺点无论在煤烧隧道窑还是在燃气隧道窑都有不同程度的发生。分析这种缺点的原因（排除泥、釉料配方的因素）：一是因为前期氧化气氛不足；二是烧成温度没能达到瓷化所需要的温度。诚挚的欢迎业界新朋老友走进奥翔硅碳！四川耐腐蚀碳化硅结合氮化硅厂家

    氮化硅结合碳化硅材料的氮压控制烧成：所谓氮压控制烧成就是氮化硅结合碳化硅制品在窑炉中氮化烧成时，表现为：在微观上是不断进行的氮与硅的反应，达到一种动态平衡；在宏观上是以氮分压，也就是由窑炉内的N2的消耗量和炉压来控制和检验氮化率，它决定了升温速度。在氮压控制烧成中，不需要规定严格的升温制度，而是预先设定标准炉压，再根据炉压变化来调整氮化工艺参数。氮化开始时，在一定时间间隔内，如果实测炉压等于控制压时，说明氮化反应稳定进行，炉温不变；如果炉压小于控制压，而炉压连续下降，说明氮化反应剧烈，应将炉温下调；如果炉压上升至大于控制压时，说明氮化反应基本达到平衡，窑炉内开始升温，直到检测到下一次炉压下降，这样的一种循环工艺操作以表象上的准静态、实质上连续的动态平衡可使氮化反应高速进行。我厂专业生产氮化硅结合碳化硅砖、氮化硅保护管、碳化硅保护管等产品，是山东率先生产氮化硅坩埚、氮化硅异型件、硅碳棒保护管和热电偶保护管的厂家。西藏耐腐蚀碳化硅结合氮化硅厂家奥翔硅碳是多层次的模式与管理模式。

    氮化硅结合碳化硅制品的原料混炼成型后在氮化炉中高温1400℃左右进行烧制，**终产品的质量和性能与氮化反应的温度有着紧密关系。在硅粉与氮气发生反应的过程中，大致经历两个温度段：首先是升温阶段，然后是原料的氮化反应阶段。其中升温阶段装置内的温度由初始温度升高至1100℃左右，而原料氮化反应阶段的温度在1100～1350℃。氮化硅结合碳化硅的干燥制度影响，干燥工序中温度和时间对产品质量有较大影响。温度过低或时间过短，都会导致胚体中残留水分，在后续的氮化反应过程中诱发硅粉的氧化反应，从而降低氮化反应效率，影响产品质量。温度升高的快慢也会对产品质量造成影响。温度升高太快不利于对高温环境进行控制，过高的温度会造成胚体表面出现裂纹。氮化工序之前的装窑方式可能对质量造成影响的因素是胚体之间的缝隙间隔。胚体之间应留有一定的空间，为氮气的顺畅渗透填充提供有利条件，避免出现因装窑总量过多导致流硅现象。氮化硅结合碳化硅制品的成型工艺主要有半干法成型和注浆成型两大类。其中半干法成型因生产效率较高的优势应用更加普遍。国内主要采用的是注浆法成型，这就要求浆料性能一定要好，决定浆料好坏的因素有很多。

    氮化硅结合碳化硅制品涉及到的主要生产原料有：碳化硅、硅粉、氮气等添加剂。不同于普通的氮化硅材料制品，氮化硅结合碳化硅制品所需要的原料必须具有更高的纯度。碳化硅的纯度应达到，硅粉的纯度应达到99%以上，氮气的纯度应达到。除了原料的纯度需要进行严格的控制之外，生产加工过程中还需要对原料的粒度和颗粒级配进行严格的控制。原料的粒度过高将会直接影响胚体成型的体积密度，造成胚体的致密性降低，影响**终的产品质量。在原料颗粒级配方面，要注意硅粉的粒度，硅粉的粒度控制可以确保硅粉与氮气的反应效率，但是一味降低硅粉的粒度也会存在一定的负面影响，即硅粉与氮气反应速率过快，剧烈的反应造成反应装置中热量集聚上升，一旦温度超过1400℃时，会诱发碳化硅表面出现流硅现象，反而不利于产品的质量控制。另外，在氮化硅结合碳化硅制品的原料中加入ZrSiO4可以起到改善产品抗氧化性的作用。奥翔硅碳愿与各界朋友携手共进，共创未来！

    氮化硅结合碳化硅在氮化炉中烧制时，我们对氮化硅材料氮化烧结环境下的研究认为在烧成反应中存在着间接反应和直接反应。在反应中，作为反应的参与者，N2的分压起着极为重要的作用，但不论氮分压的大小如何，只要生产Si3N4，那么在坯体内就存在着N2的浓度梯度和生成Si3N4的浓度梯度，而且这种浓度梯度的方向是相同的，越是接近坯体表面其两个组分的浓度越高。要想反应不断向坯体内部推进就必须确保合适的氮分压和反应温度。在纯Si3N4的氮化烧结中，通常会发生“流硅”反应而使氮化反应受到影响，这是因为氮化反应是一个放热反应，为使反应完全又将Si粉的粒径控制在很小范围内，这样在氮化过程中若控制不当时，供给热量和生成热量叠加而使温度达到了硅的熔点使Si粉熔化而产生所谓的“流硅”现象。在氮化硅结合碳化硅的氮化烧结中，Si粉的浓度含量相对较低，而浓度较高的SiC又有着较大的导热率从而了“流硅”现象的发生。奥翔硅碳提供周到的解决方案，满足客户不同的服务需要。四川耐腐蚀碳化硅结合氮化硅厂家

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    这样的一种循环工艺操作以表象上的准静态、实质上连续的动态平衡可使氮化反应高速进行。我们说了几点有关氮化硅结合碳化硅制品氮化烧结的主要影响因素，简单说一下氮化硅结合碳化硅在氮化烧结过程是氮化硅及其复合材料生产的技术关键，经过对氮化硅生成机理的研究，我们确定了产品烧成制度中的氮压控制烧成工艺方法。从上述的机理表述中我们知道氮化硅生成过程是一个放热反应过程，如果单纯从窑炉的外显温度控制，就可能在某一温度点使硅融化而堵塞向制品深层氮化的通道，加大了由表及里的氮化率梯度，所以我们通过对窑炉内氮气分压的控制，来实现对反应速度的控制，可以得到制品从外到里氮化率梯度趋近于零的结果。氮化硅结合碳化硅制品氮化烧结的主要影响因素是氮化反应的时间，而两级保温之间的温度大小和氮化烧结**终温度的高低使这两个因子对试样增重率的影响相对较大。经过我们试验分析对在氮化硅结合碳化硅材料的氮化烧结过程中有以下几点：1.适当提高反应起始温度，加速初始氮化反应，不会造成“流硅”现象。2.在反应中温区，可适当加大两级保温之间的温差，加速中温区的反应速率。3.比较高烧成温度可在较大的范围内波动，不像液相烧结陶瓷制品时那么严格。四川耐腐蚀碳化硅结合氮化硅厂家

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