激光二极管------波长390nm~785nm激光二极管波长分类～550纳米︰此波段的激光二极管氮化铟镓/氮化铟镓/三氧化二铝或硒化锌两大材料系列所制成，其发光波长分别为390～440纳米与520纳米左右，多的应用是在超高密度的储存系统，如：高-分辨率的打印机或高密度DVD光驱等。激光二极管波长分类～685纳米︰此波段的激光二极管主要用磷化铝铟镓／磷化铟镓/砷化镓材料所制成。5毫瓦以下的低操作功率激光二极管主要用在条形码阅读机、量测对准，无锡QSI激光二极管产地、激光指示器、及只读型光信息存取系统上，如：DVD-ROM光驱或数字式影碟机的应用。30毫瓦左右的中操作功率激光二极管用于可擦写型存取系统，如：DVD-R与DVD-RW烧录机。100毫瓦操作功率的激光二极管则用于激光打印机，无锡QSI激光二极管产地、固态激光激发源及医学上。 MOCVD可精确控制外延生长层的组分、掺杂浓度、薄到几个原子层的厚度，无锡QSI激光二极管产地，生长效率高，适合大批量制作。无锡QSI激光二极管产地

注意事项编辑 语音1.激光二极管发射的激光有可能对人眼造成伤害。二极管工作时，严禁直接注视其端面，不能透过镜片直视激光，也不能透过反视镜观察激光。2.器件需要合适的驱动电源，瞬时反向电流不能超过2uA，反向电压不得超过3V,否则会损坏器件。驱动电源子在电源通断时，要防止浪涌电流的措施。用示波器测试驱动电路时，要先断开电源再连接示波器探头，若在通电情况下测试探头，可能引用浪涌电流损坏器件。3.器件应存放或工作于干净的环境中。4.在较高温度下工作，会增大阀值电流，较低转化频率，加速器件的老化。在调整光输入量时，要用光功率表检测，防止超过大额定输出。5.输出功率高于指定参数工作，会加速元件老化。6.机器需要充分散热或在制冷条件下使用，激光二极管的温度严格控制在20度以下，保证寿命。7.二极管属于静电敏感器件，在人体有良好的情况下才可以拿取，防静电可以采用防静电手镯的方法。8.激光器的输出波长受工作电流与散热的影响，要保持良好的散热条件，降低工作时管芯的温度。加散热器防止激光二极管在工作中温升过高。905nm激光二极管应用优化器件结构，有源区为应变超晶格QW。有源区周边一般为双沟掩埋或脊型波导结构。

VCSEL采用三明治式结构，其中间只有20nm、1--3层的QW增益区，上、下各层是由多层外延生长薄膜形成的高反射率为100%的布拉格反射层，由此构成谐振腔。相干性极高的激光束***从其顶部激射出。多家厂商有1550nm低损耗窗口与低色散的可调谐VCSEL样品展示。1310nm的产品预计在今后1--2年内上市。可调谐的典型器件是将一只普通980nmVCSEL与微光机电系统的反射腔集成组合，由曲形顶镜、增益层、反射底镜等构成可产生中心波长为1550nm的可调谐结构，用一个静电控制电压将位于支撑薄膜上的顶端反射镜定位，改变控制电压就可调整谐振腔体间隙尺寸，从而达到调整输出波长的目的。在1528--1560nm范围连续可调谐43nm，经过2.5Gb/s传输500km实验无误码，边模抑制优于50dB。如果发射波长在1310--1550nm之间的VCSEL能够商业化生产，将会进一步促进光通信发展，使光网络更加靠近家庭。已有许多公司公布了这种波长的VCSEL原型机的一些技术数据。

半导体激光器发展的第二阶段是异质结构半导体激光器，它是由两种不同带隙的半导体材料薄层，如GaAs,GaAlAs所组成，较早出现的是单异质结构激光器（1969年）.单异质结注人型激光器（SHLD）是利用异质结提供的势垒把注入电子限制在GaAsP一N结的P区之内，以此来降低阀值电流密度，其数值比同质结激光器降低了一个数量级，但单异质结激光器仍不能在室温下连续工作。1970年，实现了激光波长为9000Å：室温连续工作的双异质结GaAs-GaAlAs（砷化镓一镓铝砷）激光器。双异质结激光器（DHL）的诞生使可用波段不断拓宽，线宽和调谐性能逐步提高。其结构的特点是在P型和n型材料之间生长了*有，不掺杂的，具有较窄能隙材料的一个薄层，因此注人的载流子被限制在该区域内（有源区），因而注人较少的电流就可以实现载流子数的反转。在半导体激光器件中，比较成熟、性能较好、应用较广的是具有双异质结构的电注人式GaAs二极管激光器。低于阈值水平的电流迫使二极管表现为LED，发出非相干光。

    激光二极管------原理激光二极管就是可以产生激光的一种半导体二极管，其产生激光的三个条件是：实现粒子数反转、满足阈值条件和谐振条件。由于激光二极管具有极高的静电敏感性，所在在使用时要注意防静电。激光二极管本质上是一个半导体二极管，按照PN结材料是否相同，可以把激光二极管分为同质结、单异质结（SH）、双异质结（DH）和量子阱（QW）激光二极管。量子阱激光二极管具有阈值电流低，输出功率高的优点，是目前市场应用的主流产品。同激光器相比，激光二极管具有效率高、体积小、寿命长的优点，但其输出功率小（一般小于2mW），线性差、单色性不太好，使其在有线电视系统中的应用受到很大限制，不能传输多频道，高性能模拟信号。 处于高能态的粒子在外来光的激发下向低能态跃迁，称之为受激辐射。提供激光二极管厂家直供

二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，这种连接方式称为反向偏置。无锡QSI激光二极管产地

    激光二极管------辐射过程在讲激光产生机理之前，先讲一下受激辐射。在光辐射中存在三种辐射过程，一时处于高能态的粒子在外来光的激发下向低能态跃迁，称之为自发辐射；二是处于高能态的粒子在外来光的激发下向低能态跃迁，称之为受激辐射；三是处于低能态的粒子吸收外来光的能量向高能态跃迁称之为受激吸收。自发辐射，即使是两个从某一高能态向低能态跃迁的粒子，发出光的相位、偏振、发射方向也不同，但受激辐射就不同，当位于高能态的粒子在外来光子的激发下向低能态跃迁，发出在频率、相位、偏振等与外来光子的光。在激光器中，发生的辐射受激辐射，它发出的激光在频率、相位、偏振等一样。的受激发光系统，即有受激辐射，也有受激吸收，只有受激辐射占优势，才能把外来光放大而发出激光。而光源中都是受激吸收占优势，只有粒子的平衡态被打破，使高能态的粒子数大于低能态的粒子数（称为离子数反转），才能发出激光。 无锡QSI激光二极管产地

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