因为设计的可控衰减电路中电感的品质因数q较低,因此频选特性不明显,频率响应带宽较宽,带来的射频信号的插入损耗相对较小。负增益模式下的回波损耗和频率响应带宽也能满足要求。假设fh为上限频率,fl为下限频率,fo为中心频率;且有:fh=900mhz,fl=600mhz,fo=800mhz,回波损耗大于15db,频率响应的带宽可达到300mhz以上,相对带宽可达到(fh-fl)/fo=(900-600)/800=%。下面再提供一种采用可控衰减电路和输入匹配电路的结构,如图5b所示,在该结构中的可控衰减电路的电阻r1可以变为开关sw2,增强了对射频输入端口rfin的esd保护能力。本申请实施例提供的技术方案的有益效果在于:通过在信号的输入端设计可控衰减电路,在实现功率放大器增益负增益的同时,对高增益模式性能的影响很小,并且加强了对rfin端口的esd保护。该电路结构简洁,对芯片面积占用小,湖南射频功率放大器标准,能降低硬件成本。在本申请实施例提供的射频功率放大器电路中,反馈电路中可以用于切换的电阻有多种,例如当射频功率放大器电路需要实现三档增益模式:高增益30db左右,低增益15db左右,负增益-10db左右。此时,反馈电路如图6所示,c51,湖南射频功率放大器标准、c52,湖南射频功率放大器标准、c53和c54是1pf~2pf范围的电容。电阻r53大于r51大于r52。功率放大器按照工作状态分为线性放大和非线性放大两种非线性放大器 效率比较高而线性放大器的效率比较低。湖南射频功率放大器标准
宽带性能一致性差,谐波性能也较差。采用普通结构变压器级联lc匹配实现功率合成和阻抗变换的pa,采用变压器及其输入输出匹配电容,输出级联lc匹配滤波电路。这种结构优点是谐波性能好,可以实现宽带一致的阻抗变换;缺点是宽带性能一致性和插损之间存在折中,高频点插损较大。在本发明实施例中,通过增加辅次级线圈可以在不影响初级线圈和主次级线圈的前提下增加输入到输出的能量耦合路径,减小耦合系数k值较小对阻抗变换的影响。根据初级线圈和主次级线圈的k值等参数,选择合适的辅次级线圈的大小和k值可以有效提高功率合成变压器的阻抗变换工作频率范围,降低功率合成变压器损耗。此外,将功率合成变压器的主次级线圈和辅次级线圈以及匹配滤波电路协同设计,能够进一步提高射频功率放大器的宽带阻抗变换和滤波性能。为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。本发明实施例提供了一种射频功率放大器,参照图1。在本发明实施例中,射频功率放大器可以包括:功率放大单元(powercell)、功率合成变压器以及匹配滤波电路。在具体实施率放大单元可以包括两个输入端以及两个输出端。湖北短波射频功率放大器值得推荐匹配电路是放大器设计中关键一环,可以说放大设计主要是匹配设计。
功率放大电路105,用于放大级间匹配电路输出的信号;输出匹配电路106,用于使射频功率放大器电路和后级电路之间阻抗匹配。其中,射频功率放大器电路应用于终端中,可以根据终端与基站的距离选取对应的模式。当终端与基站的距离较近时,路径损耗较小,终端与基站的通信需要射频功率放大器电路的输出功率较小,射频功率放大器电路此时处于负增益模式下,输入信号进行一定程度的衰减,可得到输出功率较小的输出信号;当终端与基站的距离较远时,路径损耗较大,终端与基站的通信需要射频功率放大器电路的输出功率较大,射频功率放大器电路此时处于非负增益模式下,对输入信号进行一定程度的放大,可得到输出功率较大的输出信号。在一个可能的示例中,模式控制信号包括控制信号和第二控制信号,其中:控制信号表征将射频功率放大器电路切换为非负增益模式时,可控衰减电路,用于响应控制信号,控制自身处于无衰减状态;第二控制信号表征将射频功率放大器电路切换为负增益模式时,可控衰减电路,用于响应第二控制信号,控制自身处于衰减状态。其中,当可控衰减电路处于无衰减状态时,可控衰减电路不工作;当可控衰减电路处于衰减状态时,可控衰减电路工作。
因为栅长l固定,因此可以通过设计栅宽w得到寄生电阻大小为ron的mos管。寄生电容coff=fom/ron,fom为半导体工艺商提供的参数,单位为fs(飞秒),在寄生电阻ron确定后,可确定寄生电容coff的大小,如此,即可确定可控衰减电路中开关的相关参数。在一个可能的示例中,可控衰减电路包括电阻、备用电阻rn、电感、开关和备用开关tn,开关的栅级与电阻的端连接,电阻的第二端连接电压信号,开关的漏级与备用开关的源级连接,开关的源级接地,备用开关的栅级连接备用电阻的端,备用电阻的第二端连接电压信号,备用开关的漏级连接电感的端,电感的第二端连接输入信号;其中,开关和备用开关,用于响应微处理器发出的控制信号使自身处于关断状态,以使可控衰减电路处于无衰减状态,实现射频功率放大器电路处于非负增益模式;还用于响应微处理器发出的第二控制信号使自身处于导通状态,以使可控衰减电路处于衰减状态,实现射频功率放大器电路处于负增益模式;其中,控制信号为具有电压值的电压信号,第二控制信号为具有第二电压值的电压信号,电压值与第二电压值不同。其中,为进一步提高耐压能力和静电保护能力,可采用如图9所示的可控衰减电路,将第二电阻替换成备用开关和备用电阻。微波功率放大器(PA)是微波通信系统、广播电视发射、雷达、导航系统的部件之一。
控制信号vgg通过电阻与开关连接,同时通过备用电阻与备用开关连接。备用电阻的参数与电阻的参数相同,二者都是作为上拉电阻给开关供电。备用开关的参数与开关的参数相同,开关和备用开关的寄生电阻皆为单开关的寄生电阻值ron的一半,因此双开关的整体寄生电阻值与单开关的寄生电阻值相同。开关和备用开关的控制逻辑相同:非负增益模式下,开关和备用开关同时关断;负增益模式下,开关和备用开关同时打开,不需要考虑电阻r1和备用电阻rn。其中,开关和备用开关均为n型mos管,其具体的类型可以是绝缘体上硅mos管,也可以是平面结构mos管。可见,在本申请实施例中,因为使用了叠管设计,将开关和备用开关叠加,使得mos管的耐压能力和静电释放能力提升,相对于单mos管,能在大电流下更好的保护开关和备用开关,使其不被损坏。在一个可能的示例中,输入匹配电路101包括第三电阻r3、电容c1和第二电感l2,第二电感的端连接第二电阻的第二端,第二电感的第二端连接电容的端,电容的第二端连接第三电阻的端。在图9中,假设输入端的输入阻抗zin=r0-jx0,可控衰减电路的等效阻抗为z20=r20+jx20,输入匹配电路的等效阻抗为z30=r30+jx30,为了实现z20和zin的共轭匹配。射频功率放大器(RF PA)是发射系统中的主要部分。安徽线性射频功率放大器定制
微波固态功率放大器的工作状态主要由功率、效率、失真及被放大信号的性 质等要求来确定。湖南射频功率放大器标准
射频功率放大器检测模块的电阻值与配置状态的电阻值相同,则表示射频功率放大器配置完成。相应的,本发明实施例还提供一种移动终端,如图4所示,该移动终端可以包括射频(rf,radiofrequency)电路401、包括有一个或一个以上计算机可读存储介质的存储器402、输入单元403、显示单元404、传感器405、音频电路406、无线保真(wifi,wirelessfidelity)模块407、包括有一个或者一个以上处理的处理器408、以及电源409等部件。本领域技术人员可以理解,图4中示出的移动终端结构并不构成对移动终端的限定,可以包括比图示更多或更少的部件,或者组合某些部件,或者不同的部件布置。其中:rf电路401可用于收发信息或通话过程中,信号的接收和发送,特别地,将基站的下行信息接收后,交由一个或者一个以上处理器408处理;另外,将涉及上行的数据发送给基站。通常,rf电路401包括但不限于天线、至少一个放大器、调谐器、一个或多个振荡器、用户身份模块(sim,subscriberidentitymodule)卡、收发信机、耦合器、低噪声放大器(lna,lownoiseamplifier)、双工器等。此外,rf电路401还可以通过无线通信与网络和其他设备通信。所述无线通信可以使用任一通信标准或协议。湖南射频功率放大器标准
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