辐射近场测量的基本理论虽然已经成熟，且在实用中也取得了较多的研究成果，但对以下问题还应进行进一步的探讨研究：在前述的理论中，所有的理论公式都是在忽略多次散射耦合条件下而得出的，这些公式对常规天线的测量有一定的精度，但对低副瓣或很低副瓣天线测量就必需考虑这些因素，因此，需要建立严格的耦合方程，深圳干扰源近场辐射检测。球面辐射近场测量能够计算除球心以外天线任意面上任意点的辐射场，但测量及计算时间都较长，深圳干扰源近场辐射检测。柱面辐射近场测量能够计算天线全部面的辐射方向图，但在θ=-90°或90°时，柱面波展开式中汉克尔函数已无意义，所以，柱面辐射近场测量适用于天线方向图为扇形波束天线的测量，深圳干扰源近场辐射检测。辐射近场区：超过电抗近场区就到了辐射场区，辐射场区的电磁场已经脱离了天线的束缚。深圳干扰源近场辐射检测

辐射近场测量的研究：为了反映脉冲工作状态和消除环境及其他因素对测量数据的影响，时域测量是一个良好的解决此类问题的途径，但目前处于研究阶段。辐射近场扫频测量的研究：就一般情况而言，天线都在一个频带内工作，因此，各项电指标都是频率的函数，为了快速获得各个频率点的电指标，就需要进行扫频测量。扫频测量的理论与点频的理论完全一样，只是在探头扫描时，收发测量系统作扫频测量。近场测量对天线口径场诊断的精度和速度：近场测量对常规阵列天线口径场的诊断有较好的诊断精度，但对于很低副瓣天线阵列而言，诊断精度和速度还需要进一步研究。深圳干扰源近场辐射检测例如环形天线主要是磁场，环形天线就如同变压器的初级，因为它产生的磁场很大。

电磁波辐射基础知识：电磁辐射常见的产生方式是导体中电流的突变或者电压的骤升，辐射的路径通过PCB走线，器件的引脚，连接器或者是其它的金属介质，包括机箱，机架或者是产品的外壳。这个电磁辐射实际上是指电场和磁场的相互作用，相互影响。它被这样描述：正交时变的电场和磁场的传播。尽管电场和磁场是由同一现象产生的，但是他们对环境的影响是完全不同的。磁场只由移动的电荷（即电流）产生。在大多数电路中，电流通过PCB走线、器件引脚进行传导。因此，磁场在走线中产生的电磁场中倾向占主要地位，从而传导信号和能量到电路中不同的部分。

传统的EMI辐射测试往往借助EMI接收机，在专业实验室的暗室里进行，这固然可以对产品的整体EMI辐射做严格的测试，但往往测试周期长、费用较高，加之远场测试只能测出结果，而不能给出具体辐射的位置，所以给产品的设计和改善带来不小的麻烦。随着测试测量仪器的发展，近几年，近场探头和频谱分析仪的组合个EMI辐射的测试定位带来了新的方向。为采用一个近场探头和实时频谱分析仪对一个电路进行辐射源的查找，我们可以很清楚的观测到在近场探头附件有四个主要频率的辐射，这对于硬件工程师进行设计的改善是具有极大帮助的。辐射强度的衰减要比感应场慢得多。

平面散射近场测量的基本理论已由文献［12～15］给出。其基本原理是综合平面波法，综合平面波的基本思想为：如果对一个由N个辐射单元组成的线阵同时进行激励，每个辐射单元产生一个准球面波e（θ，φ），选择一个与方向角（θ，φ）有关的权函数W（θ，φ）对每个e（θ，φ）进行加权并求和（线性系统），则所得的加权求和函数近似为均匀平面波，对不同方向的（θ，φ）选择不同W（θ，φ）就可以获得不同方向上的平面波对被测目标的照射。这一过程实现了对平面波的综合（这与综合口径雷达SAR的概念极为相似），并很容易在计算机上完成。近区场通常具有如下特点：近区场内，电场强度与磁场强度的大小没有确定的比例关系。深圳干扰源近场辐射检测

根据天线的种类，某一种场会成为主导。深圳干扰源近场辐射检测

近场工作区反射电平测试原理：采用自由空间电压驻波比法测量近场工作区反射电平，测量原理是基于微波暗室中存在有直射信号和反射信号，微波暗室中空间任意一点的场强是直射信号和反射信号的矢量合，在空间形成驻波，驻波数值的大小就反映了微波暗室内反射电平的大小。当接收天线主瓣对准发射天线时，所接收到的信号为ED。移动接收天线，则接收天线的直射信号ED与反射信号ER的相对相位将会改变，此时接收天线收到的信号幅度将产生波动，这一波动反映空间固有驻波，由此即可得到反射电平。深圳干扰源近场辐射检测

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