导电型碳化硅衬底：指电阻率在15~30mΩ·cm的碳化硅衬底。由导电型碳化硅衬底生长出的碳化硅外延片可进一步制成功率器件，功率器件是电力电子变换装臵的**器件，广泛应用于新能源汽车、光伏、智能电网、轨道交通等领域。汽车电动化趋势利好SiC发展。碳化硅应用场景根据产品类型划分：射频器件：射频器件是在无线通信领域负责信号转换的部件，如功率放大器、射频开关、滤波器、低噪声放大器等。碳化硅基氮化镓射频器件具有热导率高、高频率、高功率等优点，相较于传统的硅基LDMOS器件，其可以更好地适应5G通信基站、雷达应用等领域低能耗、高效率要求。功率器件：又称电力电子器件，主要应用于电力设备电能变换和控制电路方面的大功率电子器件，有功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET，浙江熔铁铝碳化硅碳砖、IGBT等。碳化硅基碳化硅器件在1000V以上的中高压领域有深远影响，主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源，浙江熔铁铝碳化硅碳砖、轨道交通、智能电网等，浙江熔铁铝碳化硅碳砖。半导体制造产业链由设计、制造和封装测试环节构成，其产品广泛应用于移动通信、电力电子、****等领域。浙江熔铁铝碳化硅碳砖

半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成氮化镓射频器件。微波射频器件是实现信号发送和接收的基础部件，是无线通讯的**，主要包括射频开关、LNA、功率放大器、滤波器等器件，其**率放大器是放大射频信号的器件，直接决定移动终端和基站的无线通信距离、信号质量等关键参数。根据Yole的预测，得益于5G基站建设和雷达下游市场的大量需求，用于氮化镓外延的半绝缘型碳化硅衬底市场规模取得较快增长，半绝缘型碳化硅衬底市场出货量（折算为4英寸）将由2020年的16.58万片增长至2025年的43.84万片，期间复合增长率为21.50%。浙江耐火铝碳化硅碳砖材料随着碳化硅功率器件的生产成本降低，碳化硅在充电桩领域的应用也将逐步深入。

在半绝缘型碳化硅衬底市场，主流衬底产品规格为4英寸；在导电型碳化硅衬底市场，主流产品规格为6英寸。随着越来越多企业6英寸碳化硅晶片生产线的建立，下游厂商的采购需求逐渐由4英寸转向6英寸。国外**企业率先完成8英寸衬底的研发，国内企业也大力布局大尺寸衬底。2.多领域需求驱动，碳化硅市场前景广阔自1955年菲力浦实验室的Lely***在实验室成功制备碳化硅单晶以来，在随后的60余年中，美国、欧洲、日本等发达国家与地区的科研院所与企业不断创新和改良碳化硅单晶的制备技术与设备，在碳化硅单晶晶体及晶片技术与产业化领域形成了较大优势。2.1.碳化硅在电力电子领域应用场景及市场空间碳化硅功率器件在风力发电、工业电源、航空航天等领域已实现成熟应用。伴随新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等产业的快速发展，功率器件的使用需求大幅增加。

    并发生聚合反应，其具体反应如下：偏磷酸铝[Al(PO3)3]n的形成和聚合，同时形成较强的粘附作用，使得耐火材料制品在中温下获得强度。随着温度的提高，偏磷酸铝发生分解生成AlPO4与P2O5。P2O5还可以与耐火材料中的Al2O3发生反应形成AlPO4，提高耐火材料制品的中温强度。从上述4个反应式中可以看出，在500℃之前，磷酸二氢铝随温度升高主要经历脱水过程。随着制品中游离水的排出，制品产生收缩。在500℃之前的脱水过程中，制品的体积比较稳定，只是结合剂的气孔率和体积密度分别有所提高和降低。此时，由于AlPO4的逐渐析出以及焦磷酸铝和偏磷酸铝的形成和聚合的结果，结合体的密度虽然有所降低，强度却反而***提高。当温度>500℃时，结合体脱水过程减小，制品失重变得极其微小，在制品发生高温陶瓷结合之前，其气孔率和密度变化不明显。以磷酸二氢铝为结合剂的试样的冷态强度以500℃左右为转折点开始降低，直到试样内部发生陶瓷结合，强度才开始上升。与冷态强度相反，试样的热态强度持续上升，在温度达到900℃时达到最大值。热态强度随温度升高而增长，可能是由于加热过程中形成AlPO4和Al(PO3)3等以及材料的膨胀，填充了气孔，使得结构密实。900℃到1000℃。半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件。

国内碳化硅代工企业大幅投入，并完成初始技术积累。目前国内该领域公司主要有：三安光电公司2017年底公告与泉州**合作333亿元化合物半导体项目，预计全部项目五年内实现投产、七年内实现达产。2020年，公司在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司湖南三安，投资160亿元，建设占地面积1000亩的“三安光电第三代半导体产业园”。该产业园主要用于建设具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地，有望成为我国首条碳化硅全产业链产线。目前，湖南三安碳化硅工厂已投产运营。半绝缘型碳化硅衬底：指电阻率高于 105Ω·cm 的碳化硅衬底，其主要用于制造氮化镓微波射频器件。江苏定制铝碳化硅碳砖规格

导电型碳化硅衬底：指电阻率在 15~30mΩ·cm 的碳化硅衬底。浙江熔铁铝碳化硅碳砖

在***技术研发储备上，行业**者科锐公司和贰陆公司均已成功研发并投产8英寸产品，而国内公司在此方面较为落后。目前导电型碳化硅衬底以6英寸为主，8英寸衬底开始研发；半绝缘碳化硅衬底以4英寸为主，目前逐渐向6英寸衬底发展。6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍，相同的晶体制备时间内衬底面积的倍数提升带来衬底成本的大幅降低。与此同时，单片衬底上制备的芯片数量随着衬底尺寸增大而增多，单位芯片的成本也即随之降低，因此碳化硅衬底正在不断向大尺寸的方向发展。浙江熔铁铝碳化硅碳砖

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