因为这些特性,GaAs器件被应用在无线通信、卫星通讯、微波通信、雷达系统等领域,能够在更高的频率下工作,高达Ku波段。与LDMOS相比,击穿电压较低。通常由12V电源供电,由于电源电压较低,使得器件阻抗较低,因此使得宽带功率放大器的设计变得比较困难。GaAsMESFET是电磁兼容微波功率放大器设计的常用选择,在80MHz到6GHz的频率范围内的放大器中被采用,北京有什么射频功率放大器技术。GaAs赝晶高电子迁移率晶体管(GaAspHEMT)GaAspHEMT是对高电子迁移率晶体管(HEMT)的一种改进结构,也称为赝调制掺杂异质结场效应晶体管(PMODFET),具有更高的电子面密度(约高2倍);同时,这里的电子迁移率也较高(比GaAs中的高9%),因此PHEMT的性能更加优越。PHEMT具有双异质结的结构,这不提高了器件阈值电压的温度稳定性,北京有什么射频功率放大器技术,而且也改善了器件的输出伏安特性,使得器件具有更大的输出电阻、更高的跨导、更大的电流处理能力以及更高的工作频率、更低的噪声等。采用这种材料可以实现频率达40GHz,功率达几W的功率放大器。在EMC领域,采用此种材料可以实现,功率达200W的功率放大器。氮化镓高电子迁移率晶体管(GaNHEMT)氮化镓(GaN)HEMT是新一代的射频功率晶体管技术,与GaAs和Si基半导体技术相比,北京有什么射频功率放大器技术。稳定性是指放大器在环境(如温度、信号频率、源及负载等)变化比较大的情况 下依1日保持正常工作特性的能力。北京有什么射频功率放大器技术
Microsemi的产品包括元器件和集成电路解决方案等,可通过改善性能和可靠性、优化电池、减小尺寸和保护电路而增强客户的设计能力。Microsemi公司所服务的主要市场包括植入式医疗机构、防御/航空和卫星、笔记本电脑、监视器和液晶电视、汽车和移动通信等应用领域。Microsemi在发展过程中收购了多家公司,包括熟知的Actel,Zarlink,Vitesee。Microsemi的WiFiPA产品线型号较多,也多次出现在Atheros早期的参考设计中,近期的参考设计就很少出现了。MicrosemiWiFiFrontendModulePartNumberFreq(GHz)Vin(V)Iq(mA)PALNASwitchGainPout(dBM)Pout(dBM)GainNoiseIP3(dB)@3%EVM@(dB)(dB)(dBM)LX5541LL902719N/A1325NoLX5543LU822517N/AN/AN/AN/ASP3TLX5551LQ902618N/AN/AN/AN/ASPDTLX5552LU802617N/A25SPDTLX5553LU822517N/A135SP3TLX5586ALLSPDTLX5586HLLSPDTMicrosemiWiFiPAP/NFreqGainVinPout(dBM)Pout(dBM)Currentat(GHz)(dB)(V)@3%EVM@3%EVM(mA)LX5511LQ2620N/A170LX5514LL2820N/A145LX5535LQ32–522N/A275LX5518LQ32–526N/A390LX5530LQ528–523NA360LX5531LQ532–52523350如果没记错的话,LX5511+LX5530出现在AtherosAP96低功率版本参考设计中。山东高频射频功率放大器经验丰富在所有微波发射系统中,都需要功率放大器将信号放大到足够的功 率电平,以实现信号的发射。
本发明涉及通信技术领域,尤其涉及一种射频功率放大器及通信设备。背景技术:在无线通信中,用户设备需要支持的工作频段很多。尤其是第四代蜂窝移动通信(lte)中,用户设备需要支持40多个工作频带(band)。而宽带功率放大器(poweramplifier,pa)的性能会随着工作频率变化,难以实现很宽的功率频率范围。lte工作频率一般分为低频段(lb,663mhz~915mhz),中频段(mb,1710mhz~2025mhz),高频段(hb,2300mhz~2696mhz)。lte射频前端也包含lb、mb、hb三个pa,每个功率放大器支持一个频段,需要三个宽带pa。尤其是lb的相对频率带宽,pa很难在整个频段内实现高线性和高效率,在设计的过程中会存在线性度和效率和折中处理,同时频段内的不同频点的性能也不同。无线通信对发射频谱的杂散有严格的要求。当pa后连接的滤波器对谐波抑制较少因此要求pa的输出谐波也较低。pa的匹配路同时要具有滤波性能。部分高集成的射频前端芯片(如2g前端模组,nbiot前端模组),要求pa的匹配滤波电路同时具有很高的谐波抑制性能,因此不需要再在pa后增加滤波器。设计一种宽带功率放大器,在功率频率范围内实现一致且良好的性能,成为宽带pa的设计的重点和难点。
第二端与所述射频功率放大器的输出端耦接。可选的,所述第四子滤波电路为lc匹配滤波电路。可选的,所述lc匹配滤波电路包括:第四电容以及第四电感,其中:所述第四电感,端与所述主次级线圈的第二端耦接,第二端与所述射频功率放大器的输出端耦接;所述第四电容,端与所述第四电感的第二端耦接,第二端接地。可选的,所述lc匹配电路还包括:第五电感以及第六电感,其中:所述第五电感,串联在所述第四电容的第二端与地之间;所述第六电感,串联在所述第四电容的端与所述射频功率放大器的输出端之间。可选的,所述lc匹配电路还包括:第五电容、第七电感以及第八电感,其中:所述第五电容,端与所述第六电感的第二端耦接,第二端与所述第七电感的端耦接;所述第七电感,第二端接地;所述第八电感,端与所述第五电容的端耦接,第二端与所述射频功率放大器的输出端耦接可选的,所述射频功率放大器还包括:驱动电路;所述驱动电路的输入端接收输入信号,所述驱动电路的输出端输出所述差分信号,所述驱动电路的第二输出端输出所述第二差分信号。本发明实施例还提供了一种通信设备,包括上述任一种所述的射频功率放大器。与现有技术相比。功率放大器在无线通信系统中是一个不可缺少的重要组成部分通信体制的发展功率放大器进入了快速发展的阶段。
处理器308即处理器,用于控制所述射频功率放大器的开启和关闭。输入单元403可用于接收输入的数字或字符信息,以及产生与用户设置以及功能控制有关的键盘、鼠标、操作杆、光学或者轨迹球信号输入。具体地,在一个具体的实施例中,输入单元403可包括触敏表面以及其他输入设备。触敏表面,也称为触摸显示屏或者触控板,可收集用户在其上或附近的触摸操作(比如用户使用手指、触笔等任何适合的物体或附件在触敏表面上或在触敏表面附近的操作),并根据预先设定的程式驱动相应的连接装置。可选的,触敏表面可包括触摸检测装置和触摸控制器两个部分。其中,触摸检测装置检测用户的触摸方位,并检测触摸操作带来的信号,将信号传送给触摸控制器;触摸控制器从触摸检测装置上接收触摸信息,并将它转换成触点坐标,再送给处理器408,并能接收处理器408发来的命令并加以执行。此外,可以采用电阻式、电容式、红外线以及表面声波等多种类型实现触敏表面。除了触敏表面,输入单元403还可以包括其他输入设备。具体地,其他输入设备可以包括但不限于物理键盘、功能键(比如音量控制按键、开关按键等)、轨迹球、鼠标、操作杆等中的一种或多种。功率放大器因此要尽量采用典型可 靠的电路、合理分配增益、减少放大器的级数,以降低故障概率。江苏应用射频功率放大器检测技术
功率放大器线性化技术一一功率回退、前馈、反馈、预失真,出于射频 预失真结构简单、易于集成和实现等优点。北京有什么射频功率放大器技术
nmos管mn11的漏极连接电容c11,nmos管mn12的漏极连接电容c12。nmos管mn11的漏极和nmos管mn12的漏极为第二主体电路中激励放大器的输出端。变压器副边的中端和第二变压器副边的中端分别通过电阻连接偏置电压,偏置电压用于为激励放大器中的共源放大器提供偏置电压;激励放大器栅放大器的栅极通过电阻接第二偏置电压。如图3所示,变压器t0副边的中端通过电阻r01接偏置电压vbcs_da,第二变压器t03副边的中端通过电阻r06接偏置电压vbcs_da,偏置电压vbcs_da用于为nmos管mn01、nmos管nm02、nmos管mn09、nmos管mn10提供偏置电压。nmos管mn03的栅极和nmos管mn04的栅极分别通过电阻r02接第二偏置电压vbcg_da,。nmos管mn11的栅极和nmos管mn12的栅极分别通过电阻r07接第二偏置电压vbcg_da。nmos管mn01的源极和nmos管mn02的源极接地,nmos管mn03的栅极和nmos管mn04的栅极分别通过电容c03接地。每个主体电路率放大器包括2个共源共栅放大器。如图3所示,主体电路的功率放大器中,nmos管mn05和nmos管mn07构成一个共源共栅放大器,nmos管mn06和nmos管mn08构成一个共源共栅放大器;第二主体电路的功率放大器中,nmos管mn13和nmos管mn15构成一个共源共栅放大器。北京有什么射频功率放大器技术
能讯通信科技(深圳)有限公司是一家产 品 分 别 10KHz ~ 18GHz 频 带 有 百 余 种 射 频 功 放 产 品 ,10W、50W、100W、200W 及各类开关 LC 滤波器(高低通滤波器)宽带双定向耦合器系列产品。功放整机 。的公司,致力于发展为创新务实、诚实可信的企业。能讯通信深耕行业多年,始终以客户的需求为向导,为客户提供***的射频功放,宽带射频功率放大器,射频功放整机,无人机干扰功放。能讯通信致力于把技术上的创新展现成对用户产品上的贴心,为用户带来良好体验。能讯通信创始人马佳能,始终关注客户,创新科技,竭诚为客户提供良好的服务。
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