MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor,MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为N沟道型和P沟道型。对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，场效应管出厂价，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态，场效应管出厂价，场效应管出厂价。场效应管在源极金属与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大。场效应管出厂价

    则该三极管是PNP型半导体三极管.8、现在常见的三极管大部分是塑封的，如何准确判断三极管的三只引脚哪个是b、c、e？三极管的b极很容易测出来，但怎么断定哪个是c哪个是e？a;这里推荐三种方法：第一种方法：对于有测三极管hFE插孔的指针表，先测出b极后，将三极管随意插到插孔中去（当然b极是可以插准确的），测一下hFE值，b;然后再将管子倒过来再测一遍，测得hFE值比较大的一次，各管脚插入的位置是正确的。第二种方法：对无hFE测量插孔的表，或管子太大不方便插入插孔的,可以用这种方法：对NPN管，先测出b极（管子是NPN还是PNP以及其b脚都很容易测出，是吧？），将表置于R×1kΩ档，将红表笔接假设的e极（注意拿红表笔的手不要碰到表笔尖或管脚），黑表笔接假设的c极，同时用手指捏住表笔尖及这个管脚，将管子拿起来，用你的舌尖舔一下b极，看表头指针应有一定的偏转，如果你各表笔接得正确，指针偏转会大些，如果接得不对，指针偏转会小些，差别是很明显的。由此就可判定管子的c、e极。对PNP管，要将黑表笔接假设的e极（手不要碰到笔尖或管脚），红表笔接假设的c极，同时用手指捏住表笔尖及这个管脚，然后用舌尖舔一下b极，如果各表笔接得正确，表头指针会偏转得比较大。东莞高压场效应管品牌盟科电子场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

    MOS场效应半导体三极管双极性三极管是电流控制器件，其输入电阻不够高，在许多场合下不能满足人们的要求，经过不断的探索和实践，人们研制出一种仍具有PN结，但工作机理全然不同的新型半导体器件--场效应管(FET)。场效应三极管用电场效应来控制电流，故此命名，它的特点是输入阻抗高、噪音低、热稳定性好且抗幅射能力强，在工艺上便于集成，因此得到广的应用根据结构和原理的不同，场效应三极管可分为以下两大类。①结型场效应三极管(JFET)②绝缘栅型场效应三极管(MOS管)结型场效应管（JFET）以N沟道结型场效应管为例，以一块N型(多子为电子)半导体作基片，在它的两侧各光刻出一块区域，进行高浓度P+扩散(三价的硼)，在两侧形成两个PN结。两个P+区的引出线连在一起，作为一个电极，称之为栅极G。在N型半导体的两端引出两个电极，分别叫源极S和漏极D。3个电极G、S、D的作用，可以近似地认为分别相当于半导体三极管的基极B、射极E和集电极C。两个PN结之间的区域，称为导电沟道，当在漏极和源极间加上电压，这个区域就是载流子流过的渠道，也就是电流的通道。由于这里的导电通道是N型半导体，所以这种管子叫N沟道结型场效应管，它的为符号如图所示。箭头的方向。

    当然测量时表笔要交换一下测两次，比较读数后才能***判定。这个方法适用于所有外形的三极管，方便实用。根据表针的偏转幅度，还可以估计出管子的放大能力，当然这是凭经验的。c;第三种方法：先判定管子的NPN或PNP类型及其b极后，将表置于R×10kΩ档，对NPN管，黑表笔接e极，红表笔接c极时，表针可能会有一定偏转，对PNP管，黑表笔接c极，红表笔接e极时，表针可能会有一定的偏转，反过来都不会有偏转。由此也可以判定三极管的c、e极。不过对于高耐压的管子，这个方法就不适用了。对于常见的进口型号的大功率塑封管，其c极基本都是在中间（我还没见过b在中间的）。中、小功率管有的b极可能在中间。比如常用的9014三极管及其系列的其它型号三极管、2SC1815、2N5401、2N5551等三极管，其b极有的在就中间。当然它们也有c极在中间的。所以在维修更换三极管时，尤其是这些小功率三极管，不可拿来就按原样直接安上，一定要先测一下.9、半导体三极管的分类：a;按频率分：高频管和低频管b;按功率分：小功率管，**率管和的功率管c;按机构分：PNP管和NPN管d;按材质分：硅管和锗管e;按功能分：开关管和放大10、半导体三极管特性：三极管具有放大功能。盟科MK2301参数是可以替代SI2301的。

    绝缘栅型场效应管是一种利用半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏极电流的器件，它的栅极与半导体之间是绝缘的，其电阻大于10亿Ω。增强型：VGS=0时，漏源之间没有导电沟道，在VDS作用下无iD。耗尽型：VGS=0时，漏源之间有导电沟道，在VDS作用下iD。1.结构和符号（以N沟道增强型为例），在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。2.工作原理（以N沟道增强型为例）(1)VGS=0时，不管VDS极性如何，其中总有一个PN结反偏，所以不存在导电沟道。VGS=0，ID=0VGS必须大于0管子才能工作。(2)VGS>0时，在SiO2介质中产生一个垂直于半导体表面的电场，排斥P区多子空穴而吸引少子电子。当VGS达到一定值时P区表面将形成反型层把两侧的N区沟通，形成导电沟道。VGS>0→g吸引电子→反型层→导电沟道VGS↑→反型层变厚→VDS↑→ID↑(3)VGS≥VT时而VDS较小时：VDS↑→ID↑VT：开启电压，在VDS作用下开始导电时的VGS°VT=VGS—VDS(4)VGS>0且VDS增大到一定值后，靠近漏极的沟道被夹断，形成夹断区。盟科MK3401参数是可以替代万代AO3401的参数。中山中低压场效应管性能

场效应管应用于电子开关作用。场效应管出厂价

    IC脚变形后，应整形检查后方可贴装。（如QFP可在平整的钢板或玻璃上修正和检查）2基板（通常为PCB）因素引起的虚焊及其预防在电子装联过程中，PCB的氧化、污染、变形等都可造成虚焊。（PCB插装孔、焊盘设计不合理也是造成虚焊的原因之一，在此不予讨论）。PCB氧化造成虚焊及预防PCB由于保存时间过长或者保存条件不当，都可以造成焊盘、插装孔壁氧化，从而造成虚焊的产生。氧化后的焊盘，失去金属光泽，发灰、发黑，也有目检没有异常的情况。对疑是氧化的PCB，要按标准进行可焊性试验，结果良好方可使用。以下为各种表面处理的PCB存储条件、存储期限及烘烤条件：化银板真空包装前后之存放条件:温度<30℃，相对湿度<60%.真空包装后有效保存时间半年至一年。储存时间超过六个月时，为了避免板材储藏湿气造成爆板,通常拆封后用烘烤方式来去除板内湿气，烘烤条件为120℃，1h。(**长时间不要超过2h)，使用干净清洁之**烤箱，且化银板**上下一面需先以铝箔纸覆盖,以避免银面氧化或有介电质吸附污染。osp板真空包装前后之存放条件:温度20～30℃，相对湿度<50%.真空包装后有效保存时间3个月至一年。储存时间超过六个月时。为了避免板材储藏湿气造成爆板。场效应管出厂价

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