晶振的指标，负载电容：与晶体一起决定负载谐振频率FL的有效外界电容，用CL表示。负载电容系列：8PF 12PF 15PF 20PF 30PF 50PF 100PF。激励电平：晶体工作时所消耗功率的表征值。激励电平可选值有：2mW、1mW，嘉兴25兆晶振批发、0.5mW、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW 等。老化率：在确定时间内输出频率的相对变化。基频：在振动模式较低阶次的振动频率。泛音：晶体振动的机械谐波。泛音频率与基频频率之比接近整数倍但不是整数倍，这是它与电气谐波的主要区别。泛音振动有3次泛音，嘉兴25兆晶振批发，5次泛音，7次泛音，嘉兴25兆晶振批发，9次泛音等。温度式补偿晶体振荡器是通过附加的温度补偿电路使由周围温度变化产生的振荡频率变化量削减。嘉兴25兆晶振批发

晶振的工作温度范围与温度频差：在提出温度频差时，应考虑设备工作引起的温升容限。当对温度频差要求很高，同时空间和功率都允许的情况下，应考虑恒温工作，恒温晶体振荡器就是为此而设计的。负载电容与频率牵引：在许多应用中，都有用一负载电抗元件来牵引晶体频率的要求，这在锁相环回路及调频应用中非常必要，大多数情况下，这个负载电抗呈容性，当该电容值为CL时，则相对负载谐振频率偏移量为：DL=C1/[2（C0+CL）]。而以CL作为可调元件由DL1调至DL2时，相对频率牵引为：DL1，L2= C1（CL1－CL2）/[2（C0+CL1）（C0+CL2）]。杭州25兆晶振频率调节范围，通过调节晶体振荡器的某可变元件可改变输出频率的范围。

选择振荡器时还需要考虑功耗。分立振荡器的功耗主要由反馈放大器的电源电流以及电路内部的电容值所决定。CMOS放大器功耗与工作频率成正比，可以表示为功率耗散电容值。比如，HC04反相器门电路的功率耗散电容值是90pF。在4MHz、5V电源下工作时，相当于1.8mA的电源电流。再加上20pF的晶振负载电容，整个电源电流为2.2mA。陶瓷谐振槽路一般具有较大的负载电容，相应地也需要更多的电流。相比之下，晶振模块一般需要电源电流为10mA ~60mA。硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能，范围可以从低频（固定）器件的几个微安到可编程器件的几个毫安。

晶振和 IC 间一般是通过铜走线相连的，这根走线可以看成一段导线或数段导线，导线在切割磁力线的时候会产生电流，导线越长，产生的电流越强。现实中，磁力线不常见，电磁波却到处都是，例如：无线广播发射、电视塔发射、手机通讯等等。晶振和IC之间的连线就变成了接收天线，它越长，接收的信号就 越强，产生的电能量就越强，直到接收到的电信号强度超过或接近晶振产生的信号强度时，IC内的放大电路输出的将不再是固定频率的方波了，而是乱七八糟的信 号，导致数字电路无法同步工作而出错。所以，画PCB（电路板）的时候，晶振离它的放大电路（IC管脚）越近越好。石英晶体两端信号的频率不同时，它会呈现出不同的特性。

由于晶体单元的振荡频率本身是由晶体单元的特性决定的，因此基本上不能改变。因此，在无线通信等中，可以采用根据所使用的频率来更换晶体单元的方法。然而，通过调整外部电容，±0几个％是约并应用此可能微调VXO（可变晶体振荡器），以允许电压控制将被替换为可变电容二极管的电容的VCXO（压控晶体振荡器，VCXO）具有电路，例如。此外，晶体振荡器和电压控制振荡器，一个数字电路，由于计数器组合电路和相位比较器等的频率合成器通过，所以能够获得任意的频率稳定的输出信号。石英晶体振子置于内部的恒温槽中，振荡电路置于外部的恒温槽中进行温度补偿，实行双重恒温槽控制法。杭州25兆晶振

通信网络、无线数据传输等系统就需要精度高的晶振。嘉兴25兆晶振批发

晶振是电子电路中较常用的电子元件之一，一般用字母“X”、“G”或“Z”表示，单位为Hz。晶振主要是由晶体和外面元器件构成的。为晶振的实物外形和内部结构及电路图形符号和等效电路。并联型晶体振荡器：三极管VT与R1、R2、R3、R4构成放大电路；C3为交流旁路电容，对交流信号相当于短路；X1为石英晶体，在电路中相当于电感。从交流等效图可以看出，该电路是一个电容三点式振荡器，C1、C2、X1构成选频电路，其选频频率主要由X1决定，频率接近fp。嘉兴25兆晶振批发

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