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金属的纯度是相对于杂质而言的,广义上杂质包括化学杂质(元素)和物理杂质(晶体缺陷)。物理杂质主要是指位错及空位等,而化学杂质是指基体以外的原子以代位或填隙等形式掺入。但只有当金属纯度达到很高的标准时(如纯度9N以上的金属),物理杂质的概念才是有意义的,所以在我们的生产上一般以化学杂质的含量作为评价金属纯度的标准,即以主金属减去杂质总含量的百分数表示,常用N(nine的***个字母)**,如99.9999%写为6N,99.99999%写为7N。
由于ICP-MS主要采用溶液进样,容易引入外界污染,液体进样带来的基体干扰也比较严重,空白值较高,前处理时间较长,样品的整个分析速度难以完全令人满意。采用一些分离富集手段和一些前处理方式,能够更好地使其满足高纯金属样品的分析测试需求。如激光烧蚀样品技术(LA)与ICP-MS的联用能够**减少了样品前处理的时间。然而,由于缺少相应的固样标准样品,该法的精密度和准确度还有待于进一步的提高,目前多用于快速分析或成分简单、分布均一的样品。通过与离子色谱(IC)联用分离高纯金属基体,并采用膜去溶装置吹扫溶剂蒸汽,能够有效降低相关杂质元素的检出限。定制高纯金属铝那个企业做得好!
依据杂质含量可分为工业纯金属和超纯金属。在生产实践中,能得到的一些工业纯常用有色金属的百分纯度为: 锌99.995,铅99.994,锡99.95,镍99.99,铝99.7等。超纯金属的杂质含量在百万分之几数量级或主金属含量在99. 9999%以上,而超纯半导体材料的杂质含量在十亿分之几数量级。电感耦合等离子体质谱法电感耦合等离子质谱法(InductivelyCoupledplasmaMassspcetromeytr,ICP-MS)是以ICP为离子源,结合质谱仪进行分析检测的无机质谱分析技术。ICP-MS综合了等离子体高离子化能力和质谱**辨、高灵敏度及连续测定多元素的优点,检出限可低至0.001-0.1ng/mL,测定范围广,能达到5-6个数量级,是高纯金属中ng/g量级杂质元素痕量分析的重要方法。高纯金属产品使用注意事项!四川4N高纯金属锰Mn
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高纯金属的纯度检测应当以实际应用需要作为主要标准。例如目前工业电解钻的纯度一般接近99.99%,而且检测的杂质元素种类较少。我国电解钻的有色金属行业标准(Y5/T25522000)*要求分析C、S、Mn、Fe、Ni、Cu、As、Pb、Zn、Si、Cd、Mg、P、Al、Sn、Sb、Bi等17种杂质元素,co999s电解钻的杂质总量不超过0.02%,但这仍然不能满足功能薄膜材料材料的要求。高纯金属中痕量元素的检测方法应具有极高的灵敏度。痕量元素的化学分析是指1g样品中含有微克级(10g/g)、纳克级(10g/g)和皮克级(10g/g)杂质的确定。随着对高纯金属材料研究的深入,杂质元素的含量越来越低,普通的滴定分析等己无法准确测定痕量元素,因此促进了分析检测仪器技术不断发展,痕量、超痕量多元素的同时或连续测定已成为可能。目前常用的分析测试技术主要有质谱分析、光谱分析、中子和带电粒子活化分析、X射线荧光光谱分析等。此外,半导体材料中的电离杂质浓度常通过霍尔系数测定,某些金属的纯度可采用剩余电阻率来确定,微观结果可使用扫描电镜进行检测,超微量元素的微区分析和表面分析还可通过电子探针得以实现。四川4N高纯金属锰Mn
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