单片机晶振不起振原因分析遇到单片机晶振不起振是常见现象，那么引起晶振不起振的原因有哪些呢？PCB板布线错误；单片机质量有问题；晶振质量有问题；负载电容或匹配电容与晶振不匹配或者电容质量有问题；PCB板受潮，导致阻抗失配而不能起振；晶振电路的走线过长；晶振两脚之间有走线；外面电路的影响。解决方案，建议按如下方法逐个排除故障：排除电路错误的可能性，因此你可以用相应型号单片机的推荐电路进行比较。排除外面元件不良的可能性，因为外面零件无非为电阻，电容，宁波音叉石英晶振贵不贵，你很容易鉴别是否为良品，宁波音叉石英晶振贵不贵，宁波音叉石英晶振贵不贵。排除晶振为停振品的可能性，因为你不会只试了一二个晶振。试着改换晶体两端的电容，也许晶振就能起振了，电容的大小请参考晶振的使用说明。在PCB布线时晶振电路的走线应尽量短且尽可能靠近IC，杜绝在晶振两脚间走线。晶振具有压电效应，即在晶片两极外加电压后晶体会产生变形。宁波音叉石英晶振贵不贵

振荡器频次：振荡电路中，一个晶体管和一个线圈 - 电容由连接的组合是电路依赖振荡条件（哈特莱振荡器的Colpitts振荡器电路，等等）。在这些电路中，当将晶体谐振器连接到需要线圈作为振荡条件的部分时，可以获得固有频率的振荡输出。该频率可以很容易地以10 6的数量级获得，并且是****的，因此被普遍用作频率和时间的参考。由于晶体的大小，许多实际使用的晶体振荡器约为1-20 MHz。当需要更高的频率时，将执行泛音振荡（或可将用于高频的晶体单元用于泛音），或者使用倍频器。金华直插晶振销售压控制晶体振荡器通常是通过调谐电压改变变容二极管的电容量来“牵引”石英晶体振子频率的。

串联型晶体振荡器的电路的振荡过程：接通电源后，三极管VT1、VT2导通，VT2发射极输出变化的Ie电流中包含各种频率的信号，石英晶体X1对其中的f0信号阻抗很小，f0信号经X1、RP1反馈到VT1的发射极，该信号经VT1放大后从集电极输出，又加到VT2放大后从发射极输出，然后又通过X1反馈到VT1放大，如此反复进行，VT2输出的f0信号幅度越来越大，VT1、VT2组成的放大电路放大倍数越来越小，当放大倍数等于反馈衰减系数时，输出f0信号幅度不再变化，电路输出稳定的f0信号。

晶振的工作温度范围与温度频差：在提出温度频差时，应考虑设备工作引起的温升容限。当对温度频差要求很高，同时空间和功率都允许的情况下，应考虑恒温工作，恒温晶体振荡器就是为此而设计的。负载电容与频率牵引：在许多应用中，都有用一负载电抗元件来牵引晶体频率的要求，这在锁相环回路及调频应用中非常必要，大多数情况下，这个负载电抗呈容性，当该电容值为CL时，则相对负载谐振频率偏移量为：DL=C1/[2（C0+CL）]。而以CL作为可调元件由DL1调至DL2时，相对频率牵引为：DL1，L2= C1（CL1－CL2）/[2（C0+CL1）（C0+CL2）]。在实际应用中要根据具体要求选择适当的晶振。

温度控制式补偿晶体振荡器的间接补偿型。间接补偿型又分模拟式和数字式两种类型。模拟式间接温度补偿是利用热敏电阻等温度传感元件组成温度-电压变换电路，并将该电压施加到一只与晶体振子相串接的变容二极管上，通过晶体振子串联电容量的变化，对晶体振子的非线性频率漂移进行补偿。该补偿方式能实现±0.5×10-6的高精度，但在3V以下的低电压情况下受到限制。数字式间接温度补偿是在模拟式间接温度补偿电路中的温度-电压变换电路之后再加一级模/数（A/D）转换器，将模拟量转换成数字量。该法可实现自动温度补偿，使晶体振荡器频率稳定度非常高，但具体的补偿电路比较复杂，成本也较高，只适用于基地站和广播电台等要求高精度化的情况。晶振的全称为“石英晶体振荡器”，一般称“晶体振荡器”或“晶体谐振器”。宁波音叉石英晶振贵不贵

影响振荡器工作的环境因素有：电磁干扰（EMI）、机械震动与冲击、湿度和温度。宁波音叉石英晶振贵不贵

由于晶体单元的振荡频率本身是由晶体单元的特性决定的，因此基本上不能改变。因此，在无线通信等中，可以采用根据所使用的频率来更换晶体单元的方法。然而，通过调整外部电容，±0几个％是约并应用此可能微调VXO（可变晶体振荡器），以允许电压控制将被替换为可变电容二极管的电容的VCXO（压控晶体振荡器，VCXO）具有电路，例如。此外，晶体振荡器和电压控制振荡器，一个数字电路，由于计数器组合电路和相位比较器等的频率合成器通过，所以能够获得任意的频率稳定的输出信号。宁波音叉石英晶振贵不贵

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