硅材料在MEMS器件当中是很重要的一种材料。在硅材料刻蚀当中，应用于医美方向的硅针刻蚀需要用到各向同性刻蚀，纵向和横向同时刻蚀，硅柱的刻蚀需要用到各项异性刻蚀，主要是在垂直方向刻蚀，而横向尽量少刻蚀。微纳加工平台主要提供微纳加工技术工艺，包括光刻、磁控溅射、电子束蒸镀、湿法腐蚀、干法腐蚀、表面形貌测量等。该平台以积极灵活的方式服务于实验室的研究课题，并产生高水平的研究成果，促进半导体器件的发展，成为国内半导体器件技术与学术交流和人才培养的重要基地，同时为实验室的学术交流，北京半导体微纳加工服务价格，北京半导体微纳加工服务价格、合作研究提供技术平台和便利条件。微纳制造技术是微传感器，北京半导体微纳加工服务价格、微执行器、微结构和功能微纳系统制造的基本手段和重要基础。北京半导体微纳加工服务价格

微纳加工技术的特点：（1）微电子化：采用MEMS工艺，可以把不同功能、不同敏感方向或致动方向的多个传感器或执行器集成于一体，或形成微传感阵列、微执行器阵列甚至把多种功能的器件集成在一起，形成复杂的微系统。微传感器、微执行器和微电子器件的集成可制造出可靠性、稳定性比较高的微电子机械系统。（2）MEMS技术适合批量生产：用硅微加工工艺在同一硅片上同时可制造出成百上千微型机电装置或完整的MEMS，批量生产可较大降低生产成本。（3）多学科交叉：MEMS涉及电子、机械、材料、制造、信息与自动控制、物理、化学和生物等多学科，并集约当今科学发展的许多成果。北京半导体微纳加工服务价格目前微纳制造领域较常用的一种微细加工技术是LIGA。

微纳加工工艺基本分为表面加工体加工两大块，基本流程如下：表面加工基本流程如下：首先：沉积系绳层材料；第二步：光刻定义系绳层图形；第三步：刻蚀完成系绳层图形转移；第四步：沉积结构材料；第五步：光刻定义结构层图形；第六步：刻蚀完成结构层图形转移；第七步：释放去除系绳层，保留结构层，完成微结构制作；体加工基本流程如下：首先：沉积保护层材料；第二步：光刻定义保护图形；第三步：刻蚀完成保护层图形转移；第四步：腐蚀硅衬底，在制作三维立体腔结构；第五步：去除保护层材料。

高精度的微细结构可以通过电子束直写或激光直写制作，这类光刻技术，像“写字”一样，通过控制聚焦电子束（光束）移动书写图案进行曝光，具有比较高的曝光精度，但这两种方法制作效率极低，尤其在大面积制作方面捉襟见肘，目前直写光刻技术*适用于小面积的微纳结构制作。近年来，三维浮雕微纳结构的需求越来越大，如闪耀光栅、菲涅尔透镜、多台阶微光学元件等。据悉，某公司新上市的手机产品中人脸识别模块就采用了多台阶微光学元件，以及当下如火如荼的无人驾驶技术中激光雷达光学系统也用到了复杂的微光学元件。这类精密的微纳结构光学元件需采用灰度光刻技术进行制作。直写技术，通过在光束移动过程中进行相应的曝光能量调节，可以实现良好的灰度光刻能力。干法刻蚀能够满足亚微米/纳米线宽制程技术的要求，且在微纳加工技术中被大量使用。

微纳加工技术指尺度为亚毫米、微米和纳米量级元件以及由这些元件构成的部件或系统的优化设计、加工、组装、系统集成与应用技术。微纳加工按技术分类，主要分为平面工艺、探针工艺、模型工艺。主要介绍微纳加工的平面工艺，平面工艺主要可分为薄膜工艺、图形化工艺（光刻）、刻蚀工艺。光刻是微纳加工技术中较关键的工艺步骤，光刻的工艺水平决定产品的制程水平和性能水平。光刻的原理是在基底表面覆盖一层具有高度光敏感性光刻胶，再用光线（一般是紫外光、深紫外光、极紫外光）透过光刻板照射在基底表面，被光线照射到的光刻胶会发生反应。此后用显影液洗去被照射/未被照射的光刻胶，就实现了图形从光刻板到基底的转移。微纳制造技术属国际前沿技术，作为未来制造业赖以生存的基础和可持续发展的关键。北京半导体微纳加工服务价格

在微纳加工过程中，薄膜的形成方法主要为物理沉积、化学沉积和混合方法沉积。北京半导体微纳加工服务价格

基于掩模板图形传递的光刻工艺可制作宏观尺寸的微细结构，受光学衍射的极限，*适用于微米以上尺度的微细结构制作，部分优化的光刻工艺可能具有亚微米的加工能力。例如，接触式光刻的分辨率可能到达0.5μm，采用深紫外曝光光源可能实现0.1μm。但利用这种光刻技术实现宏观面积的纳米/亚微米图形结构的制作是可欲而不可求的。近年来，国内外比较多学者相继提出了超衍射极限光刻技术、周期减小光刻技术等，力求通过曝光光刻技术实现大面积的亚微米结构制作，但这类新型的光刻技术尚处于实验室研究阶段。北京半导体微纳加工服务价格

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