近场探头是用于配合频谱分析仪查找干扰源的设备。在认证机构中，使用经过各类校准的天线进行辐射泄露测试，都是进行的远场测量。标准的远场辐射泄漏测试，可以准确定量的告诉我们被测件是否符合相应的EMI标准。但是远场测试无法告诉工程师，严重的辐射问题到底是来自于壳体的缝隙，深圳近场辐射检测，还是来自连接的电缆，或USB，LAN之类的通信接口。在这种情况下，我们可以通过近场测试的方法来定位辐射的真正来源。电磁场是由电场和磁场构成。在近场，电场和磁场共同存在，其强度不构成固定关系。以电场为主还是磁场为主，主要是由发射源的类型决定的。简而言之，在高电压，低电流的区域，电场大于磁场。高电流，低电压的区域，磁场大于电场，深圳近场辐射检测，深圳近场辐射检测。同时在主要的EMI测试频段，磁场随着距离的变化要快于电场。远场开始于距离为2λ的地方。辐射出的正弦波和近场、远场。深圳近场辐射检测

电磁波辐射基础知识：电磁辐射常见的产生方式是导体中电流的突变或者电压的骤升，辐射的路径通过PCB走线，器件的引脚，连接器或者是其它的金属介质，包括机箱，机架或者是产品的外壳。这个电磁辐射实际上是指电场和磁场的相互作用，相互影响。它被这样描述：正交时变的电场和磁场的传播。尽管电场和磁场是由同一现象产生的，但是他们对环境的影响是完全不同的。磁场只由移动的电荷（即电流）产生。在大多数电路中，电流通过PCB走线、器件引脚进行传导。因此，磁场在走线中产生的电磁场中倾向占主要地位，从而传导信号和能量到电路中不同的部分。深圳近场辐射检测近的距离分界点是可能时，近场分量和远场成分的强度大致相同的时间的距离。

辐射近场测量方法都需要测量出近场的相位和幅度，才能利用近场理论计算出天线的远场电特性，为了简化计算公式和测量系统以及降低测量时间与测量的相位误差（在频率f很高的情况下，即f＞80GHz，相位的测量误差是很大的），于是，有学者提出只用近场测量值的幅度来重建天线远场的方法。该方法的基本思想为［10］：测出S1，S2两个面的幅度值（A1，A2），人为选定S1面测量值的相位（φ1），先由S1面的幅度、相位值（A1，φ1）计算出S2面的幅度、相位值（a2，φ2），用A2代替a2，再由A2，φ2求出S1面的a1，φ1，用A1代替a1，重新由A1，φ1求出S2面新的a2，φ2，如此迭代下去，直至A1-a1≤ε，A2-a2≤ε（ε为测量精度），便可得到S1或S2面的相位分布，这时，可由S1或S2实测的幅度和迭代过程所得到的相位求得天线的远场电特性。由于迭代收敛等原因，这方面的研究还未付诸实施。

展示了典型的半波偶极子天线是如何产生电场和磁场的。转发后的信号被调制为正弦波，电压呈极性变化，因此在天线的各元件间生成了电场，极性每半个周期变换一次。天线元件的电流产生磁场，方向每半个周期变换一次。电磁场互为直角正交。围绕着半波偶极子的电磁场包括一个电场和一个磁场，电磁场均为球形且互成直角。天线旁边的磁场呈球形或弧形，特别是距离天线近的磁场。这些电磁场从天线向外发出，越向外越不明显，特性也逐渐趋向平面。接收天线通常接收平面波。过渡区是指近场和远场之间的部分(有些模型没有定义过渡区)。

辐射区内，电磁场开始辐射，标志着远场的开始。场的强度和天线的距离成反比(1/r3)。辐射出的正弦波和近场、远场。近场通常分为两个区域，反应区和辐射区。在反应区里，电场和磁场是很强的，并且可以单独测量。根据天线的种类，某一种场会成为主导。例如环形天线主要是磁场，环形天线就如同变压器的初级，因为它产生的磁场很大。近场和远场的边界、运行频段的波长。天线应位于正弦波左侧起始的位置。和近场类似，远场的起始也没有统一的定义。有认为是2λ，有坚持说是距离天线3λ或10λ以外。还有一种说法是5λ/2π，另有人认为应该根据天线的很大尺寸D，距离为50D2/λ。其中的电场与磁场的转换类似于变压器中的电场、磁场之间的转换，是一种感应场。深圳近场辐射检测

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近场成像实验与常规的近场散射实验相比，其明显差别就在于成像实验要进行扫频测量，这是理论所要求的。这样，测量系统就必须具备宽频带特性。发射、接收系统仪器的系统误差可以通过仪器自行校准进行消除，宽带发射、接收探头（天线）由于口径尺寸较大以及与目标之间的电磁耦合，所以对其发射、接收的电磁场必须进行修正，修正的方法是在它们发射、接收的电磁场中乘以复系数，系数的量值由理论值与测量值的比值来定。在此修正理论下，对金属长方体、圆柱体以及四尾翼导弹模型进行了实验测量，其成像结果是令人满意的。深圳近场辐射检测

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