通常，高速数字电路的EMI发射带宽可以通过下面的公式计算：F=1/πTr，F为开关电路产生的高EMI频率，成都芯片EMI分析整改仪器，单位为GHz，Tr为信号的上升时间或者下降时间，单位为ns。比如，对于上升时间为1ns左右的器件，那么它所产生的高EMI频率将为350MHz，而如果上升时间降为为500ps，那么它的高EMI发射频率将为700MHz，远远高于系统正常的工作频率，这将会在一定程度上影响周围其他系统的正常工作。显然，如果能减缓信号的上升沿，成都芯片EMI分析整改仪器，将会在很大程度上减少EMI，但是随着电子设计和芯片制造水平的发展，器件总是朝着高速方向发展，单一的降低信号开关速率显然是不现实的。但我们却可以通过降低信号电压来达到同样的目的，成都芯片EMI分析整改仪器，因为在相同的时间内，低电压器件需要跨越的逻辑门电压幅度较小，就同样减缓器件的上升沿速率，所以低电压器件也是高速电路发展的趋势。把磁场转换为围绕环路流动的电流。成都芯片EMI分析整改仪器

任何信号的传输都存在一个闭环的回路，当电流从驱动端流入接收端的时候，必然会有一个回流电流通过与之相邻的导体从接收端回流至驱动端，构成一个闭合的环路，而环路的大小却和EMI的产生有着很大的关系，我们都知道，每一个环路都可以等效为一个天线，环路数量或者面积越大，引起的EMI也越强。我们知道，交流信号会自动选取阻抗小的路径返回驱动端，但实际情况中，信号不可能始终保持的理想路径，特别是在高密度布线的PCB板上，过孔，缝隙等都可能降低参考平面理想的特性，而是表现为更复杂的回流形式。成都芯片EMI分析整改仪器差分传输在这两根线上都传输信号，这两个信号的振幅相同，相位相反。

整改方案，如下：从传导的曲线上1MHz 前超标的情况可以看出差模电容X 太小了，所以修改了X 电容变成0。22uF。而1-5MHz 之间也超标，所以增加共模电感到50mH ，这项频率超标一般主要是有变压器的漏感造成的。在变压器的外面增加了一个屏蔽铜箔，并接入热地。（同时做了别外一个变压器，去除原变压器内部的屏蔽层，改变了变压器的绕线方式，在变压器的外面做了屏蔽并接入热地用备用）同时将MOS 管和双向二极管的散热片也接入热地。同时将MOS 管的D、S 两脚间增加了一个101/1KV的电容，做完以上的整改方案后做了一次测试。

电磁发射（EMI）的检验项目有：连续干扰电压（150kHz～30MHz）;干扰功率（30MHz～300MHz）谐波电流（2～40次谐波）。EMC（ElectroMagneticCompatibility）直译是“电磁兼容性”。是指设备或系统在其电磁环境中符合要求运行并不对其环境中的任何设备产生无法忍受的电磁干扰的能力。 到目前为止，经过整改的产品涉及的行业有IT信息类产品、AV音视频类产品、通讯设备、汽车电子、家电电器、工业和医疗设备等。整改过的EMC项目有：CE.RE、RS、CS 、ESD、EFT、SURGE等多个项目的EMC问题整改，受到客户的一致好评。有效降低电路EMI的技巧：当存在一个磁场时，一个由导电材料形成的环路充当了天线。

分析信号回流对EMI的影响，可以看到：信号和回流外部区域，由于磁场的极性相反，可以相互抵消，而中间部分是加强的，这也是对外辐射的主要来源。很明显，我们只要缩短信号和回流之间的距离，就可以更好的抵消的电磁场，同时也能降低中间加强部分的面积，很大压制EMI。但如果由于相邻的参考平面上存在缝隙等非理想因素，这就导致了回流的面积增大，低电感的耦合作用减弱，将会有更多的回流通过其它途径或者直接释放到空中，这就会导致EMI的很大增加。在许多国家，尤其在欧洲，对任何系统可能散发的电磁干扰有严格的限制。成都芯片EMI分析整改仪器

在电路板上，差分走线必须是等长、等宽、紧密靠近、且在同一层面的两根线。成都芯片EMI分析整改仪器

EMI 整改：1、对于差模干扰超标可调整 X 电容量,添加差模电感器，调差模电感量；2、对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来压制；3、也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如 FR107 一对普通整流二极管 1N4007。5M 以上，以共摸干扰为主，采用压制共摸的方法（整改建议）对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕 2-3 圈会对 10MHZ 以上干扰有较大的衰减作用; 可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔, 铜箔闭环.处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。成都芯片EMI分析整改仪器

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