电源DC-DC晶片的VIN接脚，合理配置电容，减少输入电源的EMI；在输出端合理配置电感或铁氧体磁珠，这样电路动态功率将从近端的电容获取，重庆 可视化EMI分析整改原理，而不是从远端的电源获取，降低了杂讯干扰。另外，电源平面和地平面尽量完整。EMI又称电磁干扰是指任何在传导或电磁场伴随着电压、电流的作用而产生会降低某个装置、设备或系统的性能，或可能对生物或物质产生不良影响之电磁现象，重庆 可视化EMI分析整改原理。 或说电子设备都会产生传导性电磁噪声干扰，重庆 可视化EMI分析整改原理，就像传染病般地透过电源线传导 电磁干扰也是变频器驱动系统的一个主要问题。在许多国家，尤其在欧洲，对任何系统可能散发的电磁干扰有严格的限制。遮罩是好的解决EMI问题的有效方法。重庆 可视化EMI分析整改原理

通常，高速数字电路的EMI发射带宽可以通过下面的公式计算：F=1/πTr，F为开关电路产生的高EMI频率，单位为GHz，Tr为信号的上升时间或者下降时间，单位为ns。比如，对于上升时间为1ns左右的器件，那么它所产生的高EMI频率将为350MHz，而如果上升时间降为为500ps，那么它的高EMI发射频率将为700MHz，远远高于系统正常的工作频率，这将会在一定程度上影响周围其他系统的正常工作。显然，如果能减缓信号的上升沿，将会在很大程度上减少EMI，但是随着电子设计和芯片制造水平的发展，器件总是朝着高速方向发展，单一的降低信号开关速率显然是不现实的。但我们却可以通过降低信号电压来达到同样的目的，因为在相同的时间内，低电压器件需要跨越的逻辑门电压幅度较小，就同样减缓器件的上升沿速率，所以低电压器件也是高速电路发展的趋势。重庆 可视化EMI分析整改原理具体情况具体分析，其实 EMI 就是一种经验，熟悉整改的方法就可以。

有效降低电路EMI的技巧：因CMOS电路在时脉转换期间吸收的电流要高出平均流耗10mA的标准，而在时脉转换周期之间的流耗非常低甚至为零，所以辐射限制方法是电压和电流的峰值，不是平均值。在时脉转换过程中从电源至晶片电源接脚额电流浪涌是一个主要的辐射源，近端位置增加旁路电容，那晶片所需的电流直接由该电容提供，避免了电流浪涌的产生，减少了杂讯。在晶片电源接脚、I/O接口、重要讯号介面等位置增加旁路电容，有助于滤除积体电路的开关杂讯。晶片电源接脚增加旁路电容(0.1μF)处理，电容要靠近接脚摆放。

分析信号回流对EMI的影响，可以看到：信号和回流外部区域，由于磁场的极性相反，可以相互抵消，而中间部分是加强的，这也是对外辐射的主要来源。很明显，我们只要缩短信号和回流之间的距离，就可以更好的抵消的电磁场，同时也能降低中间加强部分的面积，很大压制EMI。但如果由于相邻的参考平面上存在缝隙等非理想因素，这就导致了回流的面积增大，低电感的耦合作用减弱，将会有更多的回流通过其它途径或者直接释放到空中，这就会导致EMI的很大增加。在频谱上不断跳动但是频域不会变化，这是有用的信号，不能有所破坏。

有效降低电路EMI的技巧：当存在一个磁场时，一个由导电材料形成的环路充当了天线，并且把磁场转换为围绕环路流动的电流。电流的强度与闭合环路的面积成正比。有效降低电路EMI的技巧：出现在板级连接的场合。如智慧机上盒(STB)产品，在STB主机板和EOC主机板或者Wi-Fi模组连接时，会在GND链路形成一个板级环路，可以在GND中间串接一个电感或者铁氧体磁珠进行隔离。透过双绞线电缆传输讯号时，每对差分发射/接收都形成一个环路，因双绞线紧密耦合，对于链路的电缆部分而言环路面积很小。需要保持紧密耦合，减少环路面积。变压器的外面增加了一个屏蔽铜箔，并接入热地。重庆 可视化EMI分析整改原理

接地杂讯电压就会导致地环路干扰的产生。重庆 可视化EMI分析整改原理

在晶片电源接脚、I/O接口、重要讯号介面等位置增加旁路电容，有助于滤除积体电路的开关杂讯。晶片电源接脚增加旁路电容(0.1μF)处理，电容要靠近接脚摆放。讯号线下方的地要完整，要有完整的参考面。讯号电流经过一个低阻抗的路径返还其驱动源，能够有效减小辐射，而且由于地层的遮罩作用，使得电路对外辐射的灵敏度也会降低。如果两个电路的参考电平不一致，就会产生功能问题，如杂讯容限和逻辑开关门限电平紊乱，这个接地杂讯电压就会导致地环路干扰的产生。重庆 可视化EMI分析整改原理

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